從平面器件到finFET的轉(zhuǎn)變使得芯片制造商能夠?qū)⒐に嚭推骷?6nm/14nm向更密集的方向發(fā)展，但是行業(yè)在每個(gè)節(jié)點(diǎn)處都面臨諸多挑戰(zhàn)。

成本問(wèn)題和技術(shù)問(wèn)題都是明顯的挑戰(zhàn)。此外，cycle time也在逐漸增加，這是芯片尺寸縮小公式中的一個(gè)關(guān)鍵但很少宣傳的因素，這為芯片制造商和客戶帶來(lái)了更多的擔(dān)憂。事實(shí)上，成本、技術(shù)障礙和cycle time都是摩爾定律持續(xù)放緩的原因。

cycle time是晶圓廠從開(kāi)始加工一個(gè)晶圓批次到該批次加工完成所花費(fèi)的時(shí)間。通常，晶圓批次由25個(gè)芯片組成，它在晶圓廠的各種工藝步驟之間移動(dòng)。先進(jìn)的邏輯工藝可以有600到1000個(gè)步驟，甚至更多。

查看cycle time的一個(gè)簡(jiǎn)單方法是在晶圓廠中應(yīng)用稱為L(zhǎng)ittle's Law（利特爾法則）的概率理論。在這種情況下，根據(jù)KLA-Tencor公司的理論，cycle time等于起始速率上的在制品（WIP）。例如，根據(jù)KLA-Tencor的數(shù)據(jù)，如果晶圓廠有12000個(gè)批次，每月處理4000個(gè)批次，則總cycle time為3個(gè)月。

圖1：何為cycle time？（來(lái)源：KLA-Tencor）

這聽(tīng)起來(lái)很簡(jiǎn)單，但在現(xiàn)實(shí)世界中并不奏效。例如，與平面器件相比，3D NAND和finFET具有更多層的復(fù)雜3D結(jié)構(gòu)。處理它們需要更多的步驟，這會(huì)增加晶圓廠的cycle time。

為了防止cycle time的增加，芯片制造商需要更快的設(shè)備，曝光工具成為了重中之重。作為回應(yīng)，設(shè)備供應(yīng)商正在制造具有更高生產(chǎn)能力的工具。這些工具還可以處理更先進(jìn)和更微小的結(jié)構(gòu)。

盡管生產(chǎn)能力有了提升，但是隨著更多的多重曝光步驟和其他工藝的轉(zhuǎn)變，cycle time仍然在增加。加州大學(xué)伯克利分校工業(yè)工程與運(yùn)營(yíng)研究教授Robert Leachman說(shuō)：“我們的流程和產(chǎn)品的復(fù)雜性比工具的生產(chǎn)率提升的速度更快。雖然我們更擅長(zhǎng)運(yùn)營(yíng)工廠，工具也變得好很多，但是制造芯片仍然需要花費(fèi)更長(zhǎng)時(shí)間?！?/p>

通常，制造廠中最常用的cycle time量度是“每層掩膜的天數(shù)”。平均來(lái)說(shuō)，制造廠需要1到1.5天的時(shí)間來(lái)處理一層。最好的晶圓廠是0.8天，Leachman表示。

28nm器件有40至50個(gè)掩膜層。相比之下，14nm/10nm器件有60層，預(yù)計(jì)7nm可以增長(zhǎng)到80到85層，5nm可能有100層。因此，使用今天的平版印刷技術(shù)，28nm的cycle time大約為40天，14nm/10nm為60天，7nm則增加到80到85天。如果5nm仍使用今天的技術(shù)，不用極紫外光刻的話，則會(huì)達(dá)到100天。

為了使事情復(fù)雜化，晶圓廠的cycle time在一項(xiàng)工藝的初期會(huì)增加，但隨著技術(shù)的成熟而下降。在此過(guò)程中，cycle time可能會(huì)受晶圓廠中可變因素的影響。最大的問(wèn)題涉及到處理各個(gè)工藝步驟之間的等待時(shí)間。

圖2：可變因素對(duì)生產(chǎn)能力和cycle time的影響。（來(lái)源: Fabtime）

考慮到這些問(wèn)題，芯片制造商可能會(huì)遇到延遲給定工藝過(guò)程的問(wèn)題。隨著復(fù)雜性的增加，延遲發(fā)生的概率會(huì)更高。潛在的延遲可能會(huì)增加晶圓廠成本以及影響芯片客戶的產(chǎn)品上市時(shí)間。這很難轉(zhuǎn)化為成本，但這意味著雙方的收入都會(huì)蒙受損失。

總而言之，雖然解決的問(wèn)題越來(lái)越大，但是cycle time不斷增加并不奇怪。Leachman說(shuō)：“每個(gè)存儲(chǔ)單元或晶體管的成本仍然下降。隨著我們走向摩爾定律最后階段，成本下降的速度可能要比以前慢很多。但是我們得到它們的速度不會(huì)下降。它正在加速。這是一個(gè)很大的挑戰(zhàn)。它價(jià)值連城，非常困難，我們做得并不好?！?/p>

cycle time不限于晶圓廠。同時(shí)也是掩膜部門和其他IC流程的一個(gè)問(wèn)題?？偠灾蛻魧⑿枰玫靥幚韈ycle time問(wèn)題，以便對(duì)設(shè)計(jì)日程有更切合實(shí)際的期望。

掩膜部門的問(wèn)題

涉及cycle time的問(wèn)題始于掩膜部門。在流程中，芯片制造商設(shè)計(jì)一個(gè)IC，然后將其轉(zhuǎn)換為文件格式。然后基于該文件格式開(kāi)發(fā)光掩膜。

光掩膜是IC設(shè)計(jì)的主模板。掩膜開(kāi)發(fā)后，將其運(yùn)送到晶圓廠并放置在光刻機(jī)中。光刻機(jī)投射光線透過(guò)掩膜，將圖像曝光在芯片上。

所以掩膜和光刻被綁定在了一起。今天，芯片制造商使用193nm波長(zhǎng)光刻技術(shù)在芯片上打印微小的特征。實(shí)際上，193nm光刻在80nm半節(jié)距處達(dá)到了它的極限。

為了擴(kuò)展193nm光刻，芯片制造商使用稱為光學(xué)鄰近校正（OPC）的掩膜版增強(qiáng)技術(shù)（RET）。OPC充分利用微小的形狀，以及次解析度輔助特性（SRAF）。SRAF放置在掩膜上，修改掩膜圖案以改善芯片上的可印刷性。然而，在20nm處，SRAF在掩膜上變得太密集，難以在芯片上打印可辨別的特征。

為了解決這個(gè)問(wèn)題，邏輯廠商將目光轉(zhuǎn)移到多重曝光。MentorGraphics高級(jí)物理驗(yàn)證方法的項(xiàng)目經(jīng)理David Abercrombie在一篇博客中解釋說(shuō)：“對(duì)于多重曝光，原始的掩膜形狀在兩個(gè)或更多個(gè)掩膜之間被劃分，使得每個(gè)形狀都具有足夠的空間，以便OPC操作使其可打印。然后單獨(dú)打印每個(gè)掩膜，最終將整套原始形狀的圖像成像到芯片上?！?/p>

多重曝光使行業(yè)能夠縮小IC尺寸，但對(duì)掩膜有一些影響。SRAF正在變得越來(lái)越小，越來(lái)越復(fù)雜。D2S首席執(zhí)行官Aki Fujimura表示：“除此之外，多重曝光還需要更多的掩膜。每個(gè)掩膜的倍增需要更長(zhǎng)的時(shí)間才能產(chǎn)生，并且需要更多的掩膜，這會(huì)在給客戶返回樣片時(shí)引起問(wèn)題?！?/p>

復(fù)雜性影響光掩膜生產(chǎn)的cycle time。掩膜制造商使用術(shù)語(yǔ)“周轉(zhuǎn)時(shí)間（turnaround time，TAT）”，而不是cycle time，TAT是指制作和發(fā)布掩膜的時(shí)間。

根據(jù)Beam Initiative的“掩膜制造商調(diào)查”，28nm掩膜的TAT約為7.28天。對(duì)于16nm/20nm掩膜，TAT增加到了12.82天。雖然在調(diào)查中沒(méi)有分析增加的原因，但一種可能性是多重曝光的來(lái)臨。

根據(jù)調(diào)查，14nm掩膜的TAT下降到8.67天。雖然也沒(méi)有分析其原因，但這可能是由芯片制造商積累了更多的多重曝光經(jīng)驗(yàn)所導(dǎo)致的。在10nm/7nm處，TAT預(yù)計(jì)將增加到9.52天。

圖3：TAT再次上升（來(lái)源：eBeam Initiative）

Dai Nippon Printing（DNP）的研究員Naoya Hayashi說(shuō)：“TAT更長(zhǎng)的原因是寫入時(shí)間、檢查時(shí)間和驗(yàn)證時(shí)間?！?/p>

寫入時(shí)間是罪魁禍?zhǔn)?。如上所述，IC設(shè)計(jì)要轉(zhuǎn)換為文件格式。該格式被轉(zhuǎn)換成電子束掩膜寫入器的一組指令。這個(gè)過(guò)程稱為掩膜數(shù)據(jù)準(zhǔn)備（MDP）。

然后，電子束掩膜寫入器將指令和圖案微小的特征寫入掩膜。但隨著掩膜復(fù)雜性的增加，電子束需要更長(zhǎng)的時(shí)間來(lái)寫入它們。

幸運(yùn)的是，我們有解決方案。最近，IMS Nanofabrication引入了一個(gè)多光束掩膜寫入器。它配備262,144個(gè)光束，系統(tǒng)可以在10小時(shí)內(nèi)寫完一個(gè)光學(xué)掩膜，而傳統(tǒng)工具要寫30小時(shí)。

NuFlare正在開(kāi)發(fā)一個(gè)類似的系統(tǒng)?！岸喙馐鴮懭胗兄赥AT，因?yàn)閷懭霑r(shí)間與形狀的數(shù)量和復(fù)雜性無(wú)關(guān)?！盌2S的Fujimura說(shuō)。

還有其他問(wèn)題。Fujimura說(shuō)：“掩膜形狀需要更小、更復(fù)雜，以滿足所需的晶圓加工余量、劑量控制和實(shí)現(xiàn)線性校正所需的形狀校正。這需要增加數(shù)據(jù)準(zhǔn)備的處理時(shí)間?！?/p>

一方面，D2S開(kāi)發(fā)了可以加快MDP和其他流程的平臺(tái)。但距離掩膜部門的要求還有差距，該行業(yè)希望有更快的過(guò)程控制工具和其他系統(tǒng)。

晶圓廠內(nèi)部

一旦掩膜完成，便被運(yùn)送到晶圓廠。根據(jù)加州大學(xué)伯克利分校的理論，晶圓廠每月有50,000個(gè)晶圓開(kāi)始制造，晶圓廠可能需要以下設(shè)備：

?50臺(tái)掃描式/步進(jìn)式光刻機(jī)加上晶圓軌道；

?10臺(tái)大電流和8個(gè)中等電流離子注入機(jī)；

?40臺(tái)刻蝕機(jī)

?30種CVD工具

晶圓廠還需要清潔系統(tǒng)和過(guò)程控制工具。

晶圓廠是使用自動(dòng)化材料處理系統(tǒng)（AMHS）的自動(dòng)化工廠。為此，芯片在一種稱為前端開(kāi)啟式晶圓傳送盒（FOUP）的封閉容器中進(jìn)行加工和運(yùn)輸。使用高架式芯片運(yùn)輸車（OHT）系統(tǒng)將FOUP從一組設(shè)備運(yùn)送到另一組。據(jù)Daifuku說(shuō)，在大型晶圓廠中，OHT軌道可以長(zhǎng)達(dá)10公里，可容納數(shù)百輛汽車。

圖4：統(tǒng)一的晶圓廠運(yùn)輸系統(tǒng)（來(lái)源：Daifuku）

為了讓所有工作一齊進(jìn)行，晶圓廠使用了各種工廠自動(dòng)化技術(shù)。 供應(yīng)商還使用WIP流程技術(shù)（如實(shí)時(shí)分發(fā)和調(diào)度）來(lái)協(xié)調(diào)制造流程。

除物流外，晶圓廠管理者也在關(guān)注其他事宜。KLA-Tencor全球客戶組織高級(jí)總監(jiān)Robert Cappel表示：“管理者關(guān)心成本、cycle time和可預(yù)測(cè)的收益。芯片制造商的目標(biāo)是用可接受的成本來(lái)制造可靠的器件。cycle time也是關(guān)鍵。我每天都在晶圓廠中，cycle time的增加會(huì)花費(fèi)我更多的錢?！?/p>

然而，控制cycle time是具有挑戰(zhàn)性的。例如，晶圓廠工具具有一定的生產(chǎn)能力規(guī)格，相當(dāng)于確定的cycle time。Cappel說(shuō)：“這就像是工作在完美的世界中，但cycle time中有更多的組分。有處理時(shí)間，然后有等待使用工具的排隊(duì)時(shí)間?！?/p>

事實(shí)上，cycle time的最大組分是等待時(shí)間?？勺円蛩?、操作員延遲、設(shè)備安裝錯(cuò)誤，以及設(shè)備停機(jī)也是等式的一部分。此外，晶圓廠的利用率也是組合的一部分。ASML產(chǎn)品營(yíng)銷總監(jiān)Michael Lercel說(shuō)：“如果以很低的利用率運(yùn)營(yíng)晶圓廠，您的加工時(shí)間會(huì)非常原始。但是，如果以更高的利用率運(yùn)營(yíng)晶圓廠，排隊(duì)時(shí)間就會(huì)變得更長(zhǎng)。”

如果這還不夠，則還有其他問(wèn)題。三星半導(dǎo)體研發(fā)中心的技術(shù)人員Han Jin Lim表示：“隨著器件的復(fù)雜性日益增加，晶圓廠工具的生產(chǎn)率下降了。”

考慮到這一點(diǎn)，芯片制造商需要更快的工具。但不是所有的流程步驟都需要更高的生產(chǎn)能力工具，特別是對(duì)于一些非關(guān)鍵層。

AppliedMaterials副總裁兼圖案和封裝部門總經(jīng)理Prabu Raja說(shuō)：“有些工具需要cycle time和生產(chǎn)能力的顯著改善?！?/p>

總而言之，cycle time是一個(gè)復(fù)雜的問(wèn)題，它有許多變量。以下是公式：

圖5：Cycle time的組分（來(lái)源：KLA-Tencor）

Cycle time的瓶頸

顯然，芯片制造商希望在四個(gè)主要領(lǐng)域保持一定的cycle time。它們是：圖案形成、前段工程（FEOL），后段工程（BEOL）和不增值作業(yè)。FEOL是在晶圓廠形成晶體管的地方，而BEOL是制造銅互連的地方。不增值作業(yè)包括計(jì)量和檢驗(yàn)。

finFET制造工藝從圖案形成開(kāi)始，這是cycle time最大的瓶頸。三星的Lim表示：“隨著圖案復(fù)雜性的增加，晶圓廠工具的cycle time也將增加，包括從FEOL到BEOL的所有步驟。”

在今天的多重曝光流程中，芯片制造商實(shí)施了兩步加工——畫線和切割。首先，使用一種稱為自對(duì)準(zhǔn)二重/四重圖案（SADP/SAQP）的技術(shù)在器件上畫細(xì)線。 SADP/SAQP使用一個(gè)光刻步驟以及額外的沉積和蝕刻步驟。

圖6：SADP金屬工藝，其中的間隔物是電介質(zhì)（來(lái)源：Mentor Graphics）

對(duì)于切割，芯片制造商使用SADP/SAQP，或雙重曝光工藝。雙重曝光有時(shí)被稱為曝光-刻蝕-曝光-刻蝕（LELE）。三重曝光包括LELELE。

對(duì)于多重曝光中，7nm工藝所進(jìn)行沉積、蝕刻和清潔步驟是16nm/14nm的兩倍。 Coventor首席技術(shù)官David Fried表示：“隨著我們從簡(jiǎn)單的一次曝光，到大多數(shù)28nm工藝所采用的多重曝光，步驟數(shù)增加得很快。現(xiàn)在，有三個(gè)切割級(jí)別的SAQP流程可能有60步操作，如沉積、蝕刻、清潔、旋轉(zhuǎn)和曝光。”

在SADP流程中，可以使用抗蝕劑來(lái)繪制圖層。然后在抗蝕劑上沉積一層，再次蝕刻，直到沉積物留在抗蝕劑線的兩側(cè)。然后去除掉抗蝕劑。專家指出，SADP無(wú)需兩個(gè)完整的光刻循環(huán)，因此不會(huì)增加循環(huán)時(shí)間。

然后就是LELE。如果進(jìn)行兩次完整的光刻/蝕刻循環(huán)來(lái)創(chuàng)建雙重曝光，那么循環(huán)時(shí)間會(huì)增加。據(jù)專家介紹，如果您的工藝有25個(gè)光刻層，其中有5層需要雙重曝光，那么您將會(huì)有30個(gè)光刻循環(huán)。

“這是看待問(wèn)題的另一種方法，對(duì)于LELE雙重曝光，層的cycle time可能會(huì)加倍，因?yàn)槟仨氈貜?fù)照相/蝕刻/去膠過(guò)程，三重曝光會(huì)增加三倍的cycle time，依此類推?！盡entor的Abercrombie說(shuō)。

還有其他因素，如定位誤差（overlay）和整體設(shè)備效率（OEE）。定位誤差涉及到光刻機(jī)將各種掩膜層精確對(duì)準(zhǔn)的能力。根據(jù)加州大學(xué)伯克利分校的理論，OEE是指完成的工作量除以總時(shí)間。

加州大學(xué)伯克利分校的Leachman表示：“將所有這些都加起來(lái)。如果你在某些層上做三重曝光，你會(huì)有50到60層，這需要很長(zhǎng)時(shí)間。你要面對(duì)這些步驟所有的等待時(shí)間。減少cycle time的真正戰(zhàn)斗在于減少等待時(shí)間。一個(gè)晶圓必須等待所有晶圓都通過(guò)了流水線才會(huì)離開(kāi)。即使每個(gè)芯片通過(guò)光刻機(jī)只需1分鐘，從這個(gè)批次開(kāi)始到機(jī)器人將它運(yùn)走仍會(huì)花費(fèi)45分鐘的時(shí)間?！?/p>

有解決方案嗎？

同時(shí)，每家芯片制造商都有給定工藝過(guò)程的設(shè)定cycle time。為每個(gè)工藝過(guò)程指定cycle time非常困難，但很顯然，cycle time正在增加。

那么解決方案有哪些？可以肯定的是，工具廠商正在進(jìn)行改進(jìn)。不久前，193nm光刻機(jī)每小時(shí)處理量為100片。ASML的Lercel說(shuō)：“現(xiàn)在，光刻機(jī)每小時(shí)處理275個(gè)晶圓，而且精度更高?！?/p>

如果行業(yè)采用EUV，情況可能會(huì)不同。他表示，例如，在7nm工藝中使用EUV，cycle time至少減少一個(gè)月。

沉積和蝕刻工具的供應(yīng)商也在進(jìn)行改進(jìn)。Lam Research全球產(chǎn)品集團(tuán)首席技術(shù)官Yang Pan說(shuō)：“最終，這事關(guān)良品的數(shù)目，而且想得到良品有許多因素需要考慮。這包括：在沉積過(guò)程中降低薄膜應(yīng)力，滿足finFET特性的苛刻要求，特征從頂部一直到底部的蝕刻，減少可變因素，等等”

多重曝光還需要使用一種稱為原子層沉積（ALD）的緩慢工藝制造的薄膜。為了加快這個(gè)過(guò)程，有些廠商提供了多晶圓系統(tǒng)。Pan說(shuō)：“我們已經(jīng)證明，更多地利用（多晶圓）工藝架構(gòu)固有的生產(chǎn)力優(yōu)勢(shì)對(duì)于厚膜沉積堆疊至關(guān)重要?！?/p>

的確，這需要一個(gè)整體的方法。Applied Materials公司蝕刻和圖案策略和市場(chǎng)營(yíng)銷副總裁Uday Mitra說(shuō)：“我們與客戶合作，簡(jiǎn)化了多重曝光中使用的工藝流程，從而減少了工藝步驟和成本，同時(shí)降低了cycle time和工藝引起的變化。這可以通過(guò)在隔膜、硬掩膜、間隙填充，和高選擇性蝕刻能力的過(guò)程中使用新型薄膜來(lái)實(shí)現(xiàn)?！?/p>

在另一種方法中，業(yè)界繼續(xù)開(kāi)發(fā)新的集群工具。 AppliedMaterials的Raja說(shuō)：“現(xiàn)在有更多的集成工具，例如沉積和蝕刻。現(xiàn)在，我們可以把沉積和蝕刻放在一起，把外延和時(shí)刻放在一起，把CVD和PVD放在一起。這些類型的集成系統(tǒng)消除了排隊(duì)時(shí)間。”

另一個(gè)策略是早日解決問(wèn)題。為此，芯片制造商應(yīng)該加強(qiáng)他們的計(jì)量和檢查工作。發(fā)現(xiàn)缺陷，或檢測(cè)線路中的可變因素可以解決一些問(wèn)題?！斑^(guò)程控制可以幫助您縮短cycle time，把cycle time做到最好的人有更多的過(guò)程控制程序?！盞LA-Tencor的Cappel說(shuō)。