在當(dāng)前復(fù)雜的國際形勢下，工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件及絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）模塊的發(fā)展滯后將制約我國新舊動(dòng)能轉(zhuǎn)化及產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型，進(jìn)而影響國家經(jīng)濟(jì)發(fā)展。

10月8日，工信部網(wǎng)站發(fā)布《關(guān)于政協(xié)十三屆全國委員會(huì)第二次會(huì)議第2282號(hào)（公交郵電類256號(hào)）提案答復(fù)的函》，在答復(fù)函中，工信部就加快支持工業(yè)半導(dǎo)體芯片技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化自主發(fā)展的政策扶持、開放合作、關(guān)鍵技術(shù)突破、以及人才培養(yǎng)等四個(gè)方面做出了答復(fù)。

具體答復(fù)如下：

一、關(guān)于制定工業(yè)半導(dǎo)體芯片發(fā)展戰(zhàn)略規(guī)劃，出臺(tái)扶持技術(shù)攻關(guān)及產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策的建議

為推動(dòng)我國工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)發(fā)展，我部、發(fā)展改革委及相關(guān)部門，積極研究出臺(tái)政策扶持產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

一是2014年國務(wù)院發(fā)布的《推進(jìn)綱要》中，已經(jīng)將工業(yè)半導(dǎo)體芯片相關(guān)產(chǎn)品作為發(fā)展重點(diǎn)，通過資金、應(yīng)用、人才等方面政策推動(dòng)產(chǎn)業(yè)進(jìn)步。

二是發(fā)展改革委、我部研究制定了集成電路相關(guān)布局規(guī)劃，推動(dòng)包括工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片等產(chǎn)業(yè)形成區(qū)域集聚、主體集中的良性發(fā)展局面。

三是按照國發(fā)〔2011〕4號(hào)文件的有關(guān)要求，對(duì)符合條件的工業(yè)半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)、制造等企業(yè)的企業(yè)所得稅、進(jìn)口關(guān)稅等方面出臺(tái)了多項(xiàng)稅收優(yōu)惠政策，對(duì)相關(guān)領(lǐng)域給予重點(diǎn)扶持。

四是圍繞能源、交通等國家重點(diǎn)工業(yè)領(lǐng)域，充分發(fā)揮相關(guān)行業(yè)組織作用，通過舉辦產(chǎn)用交流對(duì)接會(huì)、新產(chǎn)品推介會(huì)、發(fā)布典型應(yīng)用示范案例等方式，為我國工業(yè)半導(dǎo)體芯片企業(yè)和整機(jī)企業(yè)搭建交流合作平臺(tái)。

下一步，我部及相關(guān)部門將持續(xù)推進(jìn)工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)發(fā)展，根據(jù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展形勢，調(diào)整完善政策實(shí)施細(xì)則，更好的支持產(chǎn)業(yè)發(fā)展。通過行業(yè)協(xié)會(huì)等加大產(chǎn)業(yè)鏈合作力度，深入推進(jìn)產(chǎn)學(xué)研用協(xié)同，促進(jìn)我國工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)的技術(shù)迭代和應(yīng)用推廣。

二、關(guān)于開放合作，推動(dòng)我國工業(yè)半導(dǎo)體芯片材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)發(fā)展的建議

集成電路是高度國際化、市場化的產(chǎn)業(yè)，資源整合、國際合作是快速提升產(chǎn)業(yè)發(fā)展能力的重要途徑。我部與相關(guān)部門積極支持國內(nèi)企業(yè)、高校、研究院所與先進(jìn)發(fā)達(dá)國家加強(qiáng)交流合作。引進(jìn)國外先進(jìn)技術(shù)和研發(fā)團(tuán)隊(duì)，推動(dòng)包括工業(yè)半導(dǎo)體芯片、器件等領(lǐng)域國際專家來華交流，支持海外高層次產(chǎn)業(yè)人才來華發(fā)展，提升我國在工業(yè)半導(dǎo)體芯片相關(guān)領(lǐng)域的研發(fā)能力和技術(shù)實(shí)力。

下一步，我部和相關(guān)部門將繼續(xù)加快推進(jìn)開放發(fā)展。引導(dǎo)國內(nèi)企業(yè)、研究機(jī)構(gòu)等加強(qiáng)與先進(jìn)發(fā)達(dá)國家產(chǎn)學(xué)研機(jī)構(gòu)的戰(zhàn)略合作，進(jìn)一步鼓勵(lì)我國企業(yè)引進(jìn)國外專家團(tuán)隊(duì)，促進(jìn)我國工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)研發(fā)能力和產(chǎn)業(yè)能力的提升。

三、關(guān)于步步為營分階段突破關(guān)鍵技術(shù)的建議

為解決工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件、IGBT模塊等核心部件的關(guān)鍵性技術(shù)問題，我部等相關(guān)部門積極支持工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件、IGBT模塊領(lǐng)域關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)。

一是2017年我部推出“工業(yè)強(qiáng)基IGBT器件一條龍應(yīng)用計(jì)劃”，針對(duì)新能源汽車、智能電網(wǎng)、軌道交通三大領(lǐng)域，重點(diǎn)支持IGBT設(shè)計(jì)、芯片制造、模塊生產(chǎn)及IDM、上游材料、生產(chǎn)設(shè)備制造等環(huán)節(jié)，促進(jìn)IGBT及相關(guān)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

二是指導(dǎo)湖南省建立功率半導(dǎo)體制造業(yè)創(chuàng)新中心建設(shè)，整合產(chǎn)業(yè)鏈上下游資源，協(xié)同攻關(guān)工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件、IGBT模塊領(lǐng)域關(guān)鍵共性技術(shù)。

三是指導(dǎo)中國寬禁帶半導(dǎo)體及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟發(fā)布《中國IGBT技術(shù)與產(chǎn)業(yè)發(fā)展路線圖（2018-2030）》，引導(dǎo)我國IGBT行業(yè)技術(shù)升級(jí)，推動(dòng)相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

下一步，我部將繼續(xù)支持我國工業(yè)半導(dǎo)體領(lǐng)域成熟技術(shù)發(fā)展，推動(dòng)我國芯片制造領(lǐng)域良率、產(chǎn)量的提升。積極部署新材料及新一代產(chǎn)品技術(shù)的研發(fā)，推動(dòng)我國工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件、IGBT模塊產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

四、關(guān)于高度重視人才隊(duì)伍的培養(yǎng)，出臺(tái)政策和措施建立這一領(lǐng)域長期有效的人才培養(yǎng)計(jì)劃的建議

當(dāng)前，人才問題特別是高端人才團(tuán)隊(duì)短缺成為制約我國工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)可持續(xù)發(fā)展的關(guān)鍵因素，為此我部及相關(guān)部門積極推動(dòng)我國相關(guān)產(chǎn)業(yè)人才的培養(yǎng)。

一是我部、教育部共同推動(dòng)籌建集成電路產(chǎn)教融合發(fā)展聯(lián)盟，促進(jìn)產(chǎn)業(yè)界和學(xué)術(shù)界的資源整合，推動(dòng)培養(yǎng)擁有工程化能力的產(chǎn)業(yè)人才。

二是同時(shí)以集成電路為試點(diǎn)實(shí)施關(guān)鍵領(lǐng)域核心技術(shù)緊缺博士人才自主培養(yǎng)專項(xiàng)，根據(jù)行業(yè)企業(yè)需要，依托高水平大學(xué)和國內(nèi)骨干企業(yè)，針對(duì)性地培養(yǎng)一批高端博士人才。

三是教育部、我部等相關(guān)部門印發(fā)了《關(guān)于支持有關(guān)高校建設(shè)示范性微電子學(xué)院的通知》，支持26所高校建設(shè)或籌建示范性微電子學(xué)院，推動(dòng)高校與區(qū)域內(nèi)集成電路領(lǐng)域骨干企業(yè)、國家公共服務(wù)平臺(tái)、科技創(chuàng)新平臺(tái)、產(chǎn)業(yè)化基地和地方政府等加強(qiáng)合作。

下一步，我部與教育部等部門將進(jìn)一步加強(qiáng)人才隊(duì)伍建設(shè)。推進(jìn)設(shè)立集成電路一級(jí)學(xué)科，進(jìn)一步做實(shí)做強(qiáng)示范性微電子學(xué)院，加快建設(shè)集成電路產(chǎn)教融合協(xié)同育人平臺(tái)，保障我國在工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件及IGBT模塊產(chǎn)業(yè)的可持續(xù)發(fā)展。