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長江存儲與新華三攜手推動在中國市場自主創(chuàng)新存儲芯片的研發(fā)與應用

半導體動態(tài) ? 來源:wv ? 作者:新華三 ? 2019-10-24 16:33 ? 次閱讀
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隨著云計算、大數據、物聯(lián)網等領域的發(fā)展,未來市場對存儲器的需求會持續(xù)增加。有數據顯示,我國存儲器的消耗量占全球總消耗量的三成以上(2019年第一季度世界半導體貿易統(tǒng)計WSTS 發(fā)布的統(tǒng)計數據),其中大部分存儲器芯片需要進口,可以說,在中國芯片產業(yè)的發(fā)展過程中,存儲芯片是十分關鍵的發(fā)展領域。

近日,紫光旗下新華三集團正式攜手中國閃存芯片領軍企業(yè)——長江存儲,整合中國頂尖的存儲芯片資源,共同推動在中國市場自主創(chuàng)新存儲芯片的研發(fā)與應用,成功地將3D NAND芯片產品融入服務器產品之中,進一步加速了服務器的自主創(chuàng)新之路。

眾所周知,芯片是信息時代的糧食,其中存儲器芯片應用領域十分廣泛。作為中國存儲芯片的領頭羊,長江存儲從成立至今,在短短3年時間內先后研發(fā)成功并量產了國內首款32層3D NAND閃存和64層3D NAND閃存,同時憑借著國內龐大的內需市場、優(yōu)秀的自主研發(fā)能力,以及國際水準的產能,擔負起推動國內存儲器自主創(chuàng)新、加速發(fā)展的重要使命。此次新華三集團與長江存儲攜手,正是將這些國內領先的研發(fā)技術和存儲芯片引入到服務器產品中,推動優(yōu)秀自主創(chuàng)新方案的落地生根,更好的滿足企業(yè)對高速、大容量存儲解決方案的需求。

2017年,長江存儲成功研發(fā)了中國首顆擁有自主知識產權的32層MLC 3D NAND閃存芯片,實現(xiàn)了中國三維閃存產業(yè)“零”的突破。該芯片的存儲容量為8GB至32GB,目前已通過企業(yè)級驗證并進行小規(guī)模的批量生產,主要應用在U盤,SD卡,機頂盒及固態(tài)硬盤等領域。

此后,長江存儲基于不斷的自主研發(fā)和創(chuàng)新,推出了第二代具備完全自主知識產權的64層256Gb TLC 3D NAND閃存,它擁有全球同代產品中最高的存儲密度,將廣泛應用在智能手機,個人電腦,服務器等領域。長江存儲64層三維閃存既是全球首款基于Xtacking?架構設計并實現(xiàn)量產的閃存產品,也是中國企業(yè)首次實現(xiàn)64層3D NAND閃存芯片的量產,標志著長江存儲已成功走出了一條高端芯片設計制造的創(chuàng)新之路。

提到Xtacking? 技術,不得不說,這是長江存儲在3D NAND閃存架構上的一次重大創(chuàng)新,在世界閃存發(fā)展史上具有舉足輕重的意義。通過芯片架構設計上的變化,Xtacking?能夠使3D NAND閃存擁有更快的I/O傳輸速度,使3D NAND閃存能擁有更高的存儲密度,相比傳統(tǒng)架構,芯片面積可減少約25%。同時,Xtacking?技術還實現(xiàn)了模塊化的設計工藝,能夠有效提升了研發(fā)效率并縮短了生產周期,為NAND閃存的定制化提供了更多可能。目前,Xtacking?技術被主要應用在長江存儲64層及更高規(guī)格的三維閃存上。

為了給行業(yè)用戶帶來更多的價值,長江存儲未來還將推出Xtacking? 2.0創(chuàng)新架構。作為升級換代技術,Xtacking?2.0將夠進一步提升NAND芯片的吞吐速率、提升系統(tǒng)級存儲的綜合性能、開拓定制化NAND全新商業(yè)模式等。未來,Xtacking?2.0技術將應用在長江存儲第三代3D NAND閃存產品中,會廣泛應用于數據中心,企業(yè)級服務器、個人電腦和移動設備等領域,這將開啟高性能、定制化NAND解決方案的全新篇章。

新華三集團將領先的長江存儲閃存引入服務器產品線,將在應用實踐中加速中國存儲芯片與服務器的融合發(fā)展,進一步推動計算產品和架構的迭代。新華三也將在10月24日以“至極之道,智造未來”為主題的計算節(jié)期間,重點展示長江存儲產品自主創(chuàng)新的領先技術,以及更加安全、可靠、可信的計算產品。這些產品將在新華三“至簡,至信,至慧”的智慧計算理念下,更好的滿足企業(yè)用戶的不同需求,為企業(yè)的數字化轉型賦能。

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