chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線(xiàn)課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

GaN Systems和安森美半導(dǎo)體的半橋評(píng)估板展示氮化鎵的下一個(gè)性能飛躍

安森美 ? 來(lái)源:安森美半導(dǎo)體 ? 2019-11-29 14:58 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

GaN功率半導(dǎo)體的全球領(lǐng)袖GaN Systems和全球領(lǐng)先的電源半導(dǎo)體IC供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體今天宣布,采用GaN Systems的650 V、30 A GaN增強(qiáng)型高電子遷移率晶體管(E-HEMT) 和安森美半導(dǎo)體屢獲殊榮的NCP51820高速門(mén)極驅(qū)動(dòng)器評(píng)估板的高速半橋GaN子板已面市。

該評(píng)估板針對(duì)現(xiàn)有和新的PCB設(shè)計(jì)而開(kāi)發(fā),設(shè)計(jì)人員可輕易評(píng)估用于現(xiàn)有半橋或全橋電源中的GaN。該評(píng)估套件采用25 mm x 25 mm超小布板,減少了器件數(shù)量,從而最小化PCB占板空間??焖匍_(kāi)關(guān)GaN功率晶體管的特性,包括1+ MHz工作頻率和200 V/ns 共模瞬態(tài)抗擾度(CMTI)額定值,提供更高的功率密度和更高的性能。

【GaN Systems和安森美半導(dǎo)體的半橋評(píng)估套件使設(shè)計(jì)人員可輕易地在超小布板評(píng)估GaN,從而獲得極具性?xún)r(jià)比的方案?!?/p>

這評(píng)估板的優(yōu)勢(shì)包括顯著減小損耗、重量、尺寸(布板尺寸可減小達(dá)80%)和系統(tǒng)成本(可節(jié)省達(dá)60%的BOM成本),非常適用于如AC-DC適配器、數(shù)據(jù)中心電源、光伏逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)和無(wú)橋圖騰柱拓?fù)涞葢?yīng)用。該方案是兩家公司正在開(kāi)發(fā)的眾多即將推出的基于GaN的電源系統(tǒng)方案之一。 安森美半導(dǎo)體營(yíng)銷(xiāo)總監(jiān)Ryan Zahn說(shuō):

GaN器件生態(tài)系統(tǒng)的擴(kuò)展,包括我們的NCP51820等驅(qū)動(dòng)器IC,消除了設(shè)計(jì)障礙,并充分利用GaN E-HEMT的眾多優(yōu)勢(shì)。隨著人們對(duì)GaN的興趣不斷提高和采用,我們期待與GaN Systems保持合作,以支援和滿(mǎn)足許多行業(yè)中出現(xiàn)的新的功率要求。

GaN Systems全球業(yè)務(wù)拓展高級(jí)總監(jiān)Charles Bailley說(shuō):

與安森美半導(dǎo)體合作開(kāi)發(fā)的新評(píng)估板使得用GaN進(jìn)行設(shè)計(jì)更容易,性?xún)r(jià)比更高,為實(shí)現(xiàn)更小、更輕、更高能效的電源轉(zhuǎn)換器開(kāi)啟了大門(mén)。這合作不僅標(biāo)志著創(chuàng)新不僅發(fā)生在采用GaN設(shè)計(jì)的最終產(chǎn)品上,還在優(yōu)化GaN使用的器件、設(shè)計(jì)工具和參考設(shè)計(jì)中。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 晶體管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    78

    文章

    10298

    瀏覽量

    146601
  • 安森美半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    17

    文章

    565

    瀏覽量

    63262
  • 氮化鎵
    +關(guān)注

    關(guān)注

    66

    文章

    1860

    瀏覽量

    119275

原文標(biāo)題:GaN Systems和安森美半導(dǎo)體的半橋評(píng)估板展示氮化鎵(GaN)的下一個(gè)性能飛躍

文章出處:【微信號(hào):onsemi-china,微信公眾號(hào):安森美】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    雙向氮化應(yīng)用場(chǎng)景PFC部分云半導(dǎo)體發(fā)布 2kW 雙向開(kāi)關(guān) (GaN BDS) 前置升壓 APFC 評(píng)估

    1.?雙向開(kāi)關(guān)前置升壓 APFC 由來(lái) 雙向開(kāi)關(guān)前置升壓 APFC 是無(wú) APFC 拓?fù)渲械?b class='flag-5'>一種,從拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)上來(lái)說(shuō)實(shí)際就是Boost 電路的變形,只是交流輸入的正負(fù)周各自對(duì)應(yīng)不同的電路,此拓?fù)?/div>
    發(fā)表于 12-15 18:35

    半導(dǎo)體發(fā)布 2kW 雙向開(kāi)關(guān) (GaN BDS) 前置升壓 APFC 評(píng)估

    半導(dǎo)體2kW雙向開(kāi)關(guān)(GaNBDS)前置升壓APFC評(píng)估CG-EVB-BDS-PFC-2KW1.雙向開(kāi)關(guān)前置升壓APFC由來(lái)雙向開(kāi)關(guān)前置升壓APFC是無(wú)
    的頭像 發(fā)表于 12-12 16:30 ?1054次閱讀
    云<b class='flag-5'>鎵</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>發(fā)布 2kW 雙向開(kāi)關(guān) (<b class='flag-5'>GaN</b> BDS) 前置升壓 APFC <b class='flag-5'>評(píng)估</b><b class='flag-5'>板</b>

    ?基于安森美EVBUM2878G-EVB評(píng)估數(shù)據(jù)手冊(cè)的技術(shù)解析

    安森美 EVBUM2878G-EVB評(píng)估設(shè)計(jì)用于評(píng)估采用F2封裝的1200VM3S全4-PACK模塊。
    的頭像 發(fā)表于 11-24 14:38 ?228次閱讀
    ?基于<b class='flag-5'>安森美</b>EVBUM2878G-EVB<b class='flag-5'>評(píng)估</b><b class='flag-5'>板</b>數(shù)據(jù)手冊(cè)的技術(shù)解析

    安森美垂直氮化技術(shù)的精彩問(wèn)答

    在電氣化、可再生能源和人工智能數(shù)據(jù)中心的推動(dòng)下,電力電子領(lǐng)域正經(jīng)歷場(chǎng)變革。安森美(onsemi)憑借創(chuàng)新的垂直氮化 (vGaN) 技術(shù)引領(lǐng)這
    的頭像 發(fā)表于 11-20 14:57 ?1876次閱讀

    半導(dǎo)體發(fā)布 3kW 無(wú)圖騰柱 GaN PFC 評(píng)估

    半導(dǎo)體半導(dǎo)體發(fā)布3kW無(wú)圖騰柱GaNPFC評(píng)估
    的頭像 發(fā)表于 11-11 13:43 ?651次閱讀
    云<b class='flag-5'>鎵</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>發(fā)布 3kW 無(wú)<b class='flag-5'>橋</b>圖騰柱 <b class='flag-5'>GaN</b> PFC <b class='flag-5'>評(píng)估</b><b class='flag-5'>板</b>

    安森美推出垂直氮化功率半導(dǎo)體

    隨著全球能源需求因 AI 數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車(chē)以及其他高能耗應(yīng)用而激增,安森美(onsemi)推出垂直氮化(vGaN)功率半導(dǎo)體,為相關(guān)應(yīng)用的功率密度、能效和耐用性樹(shù)立新標(biāo)桿。這些突破
    的頭像 發(fā)表于 10-31 13:56 ?1918次閱讀

    意法半導(dǎo)體GaN柵極驅(qū)動(dòng)器簡(jiǎn)化電源管理設(shè)計(jì)

    意法半導(dǎo)體的STDRIVEG210和STDRIVEG211氮化GaN)柵極驅(qū)動(dòng)器是為工業(yè)
    的頭像 發(fā)表于 10-29 10:47 ?484次閱讀

    如何在開(kāi)關(guān)模式電源中運(yùn)用氮化技術(shù)

    LTspice?作為合適的工具鏈來(lái)使用,以便成功部署GaN開(kāi)關(guān)。 引言 氮化(GaN)是種III-V族
    發(fā)表于 06-11 10:07

    GaN驅(qū)動(dòng)技術(shù)手冊(cè)免費(fèi)下載 氮化半導(dǎo)體功率器件門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方案

    GaN驅(qū)動(dòng)技術(shù)手冊(cè)免費(fèi)下載 氮化半導(dǎo)體功率器件門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方案
    的頭像 發(fā)表于 03-13 18:06 ?4.5w次閱讀
    <b class='flag-5'>GaN</b>驅(qū)動(dòng)技術(shù)手冊(cè)免費(fèi)下載 <b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>功率器件門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方案

    氮化系統(tǒng) (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案

    氮化系統(tǒng) (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案
    的頭像 發(fā)表于 03-13 16:33 ?4514次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>系統(tǒng) (<b class='flag-5'>GaN</b> <b class='flag-5'>Systems</b>) E-HEMTs 的EZDriveTM方案

    氮化GaN)充電頭安規(guī)問(wèn)題及解決方案

    什么是氮化GaN)充電頭?氮化充電頭是種采用氮化
    的頭像 發(fā)表于 02-27 07:20 ?4301次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>(<b class='flag-5'>GaN</b>)充電頭安規(guī)問(wèn)題及解決方案

    納微半導(dǎo)體APEC 2025亮點(diǎn)搶先看

    近日,唯全面專(zhuān)注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一氮化Ga
    的頭像 發(fā)表于 02-25 10:16 ?1724次閱讀

    NX-HB-GAN3R2-BSC評(píng)估

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《NX-HB-GAN3R2-BSC評(píng)估.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 02-18 17:29 ?2次下載
    NX-HB-<b class='flag-5'>GAN</b>3R2-BSC<b class='flag-5'>半</b><b class='flag-5'>橋</b><b class='flag-5'>評(píng)估</b><b class='flag-5'>板</b>

    氮化充電器和普通充電器有啥區(qū)別?

    的代替材料就更加迫切。 氮化GaN)被稱(chēng)為第三代半導(dǎo)體材料。相比硅,它的性能成倍提升,而且比硅更適合做大功率器件、體積更小、功率密度更大
    發(fā)表于 01-15 16:41

    安森美成功收購(gòu)紐約州德威特GaN晶圓制造廠,助力技術(shù)布局!

    近日,全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商安森美(onsemi)宣布,以2000萬(wàn)美元的價(jià)格成功收購(gòu)位于美國(guó)紐約州德威特的原NexGenPowerSystems氮化(
    的頭像 發(fā)表于 01-08 11:40 ?1140次閱讀
    <b class='flag-5'>安森美</b>成功收購(gòu)紐約州德威特<b class='flag-5'>GaN</b>晶圓制造廠,助力技術(shù)布局!