據(jù)報道，長鑫存儲技術有限公司（CXMT）公布了最新的DRAM技術路線圖，從其路線規(guī)劃來看，其研發(fā)的產品線包括DDR4、LPDDR4X、DDR5以及LPDDR5、GDDR6，雖然未公布具體時間節(jié)點，但產品發(fā)展線路與三星、SK海力士、美光等國際大廠DRAM發(fā)展大體一致。

目前，全球主要的DRAM廠商三星、SK海力士、美光等采用的是1ZnmDRAM技術。其中三星在2019年3月宣布將在下半年采用1Znm工藝技術量產8GbDDR4，生產率提高20%以上；美光也在8月份大規(guī)模生產1Znm16GbDDR4產品，SKHynix也采用第三代10nm級（1znm）工藝開發(fā)出了16GbitDDR4。

長鑫存儲正在使用其10G1技術（19nm工藝）來制造4Gb和8Gb DDR4存儲器芯片，目標在2020年第一季度將其商業(yè)化并投放市場，該技術將用于在2020下半年制造的LPDDR4X存儲器，雖然在工藝上不及國際DRAM原廠，但差距在一步一步的縮小。

長鑫存儲還規(guī)劃將采用10G3（17nm工藝）發(fā)展DDR4、LPDDR4X、DDR5以及LPDDR5產品，采用10G5工藝推出DDR5、LPDDR5以及GDDR6產品，該技術是使用HKMG和氣隙位線技術，并在未來導入使用柱狀電容器、全能柵極晶體管以及極紫外光刻（EUV）工藝。

長鑫DRAM技術發(fā)展為何如此受關注？

DRAM是最常見的系統(tǒng)內存，被喻為連接中央處理器的“數(shù)據(jù)高速公路”，廣泛用于PC、手機、服務器等領域，是集成電路產業(yè)產值占比最大的單一芯片品類。中國是DRAM芯片最大的應用市場，然而自主產能卻相當匱乏，其產能的95%被韓國三星、海力士、美國美光壟斷。長鑫存儲的出現(xiàn)填補了國內DRAM的空白，有望突破韓國、美國企業(yè)在國際市場的壟斷地位。

長鑫12英寸存儲器晶圓制造基地項目，是中國大陸唯一擁有完整技術、工藝和生產運營團隊的DRAM項目，目標是打造設計和制造一體化的內存芯片國產化制造基地，項目于2016年由合肥市產業(yè)投資（控股）集團有限公司和北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司合作投資。

當時長鑫存儲項目與長江存儲和福建晉華并稱為中國存儲產業(yè)的三大探路者，備受業(yè)界關注。今年9月20日，長鑫存儲技術有限公司在大會上宣布：總投資約1500億元的長鑫存儲內存芯片自主制造項目正式投產，其與國際主流動態(tài)隨機存取存儲芯片（DRAM）同步的10納米級第一代8GbDDR4在大會上首度亮相，一期設計產能達每月12萬片晶圓，首批芯片今年底將會送到客戶手中。

中國科學技術大學特聘教授陳軍寧等業(yè)內權威專家表示，長鑫存儲正式投產標志我國在內存芯片領域實現(xiàn)量產技術突破，擁有了這一關鍵戰(zhàn)略性元器件的自主產能。

長鑫存儲技術有限公司董事長兼首席執(zhí)行官朱一明透露，長鑫存儲投產的產品是現(xiàn)在全球市場上的主流產品，另一款供移動終端使用的低功耗產品也即將投產。

長鑫已開始DRAM新技術探索

長鑫存儲副總裁、未來技術評估實驗室負責人平爾萱在此前舉辦的中國閃存技術峰會(CFMS)上的介紹，合肥長鑫基于授權所得的奇夢達相關技術和從全球招攬的極具豐富經驗的人才，長鑫存儲借助先進的機臺已經把原本奇夢達的46納米DRAM平穩(wěn)推進到了10納米級別。公司也開始了在EUV、HKMG和GAA等目前還沒有在DRAM上實現(xiàn)的新技術探索。

DRAM是有它的極限的。平爾萱博士認為，我們可以通過改進，將極限推遲，如導入EUV及HKMG三極管以縮小線寬及加強外圍電路性能，就是DRAM產業(yè)的一個選擇，這在未來幾年將可以維持DRAM技術發(fā)展，滿足大數(shù)據(jù)時代的需求。

首先在EUV方面，平爾萱博士指出，EUV是繼193納米Immersion Scanner后又一個光刻機革命。它可滿足工藝精準度在持續(xù)微縮中不斷增加的要求。而DRAM又是一個十分密集堆疊的設計，且對信號要求十分嚴格，任何小的偏離都會對信號造成損失。那就意味著EUV技術的出現(xiàn)對DRAM技術的延展有很大的作用：如將線寬進一步減少以增加存儲密度。

“EUV主要是針對陣列。但外圍線路的增強及微縮也是近來DRAM技術發(fā)展的另一個機會”，平博士補充說。

他表示，在DRAM幾乎一半的外圍線路中，有一半是邏輯線路用的。在過往，這部分的CMOS一直都是用傳統(tǒng)的SiON/PolySiGate堆棧的。但這個堆棧在32/28納米階段碰到了瓶頸：一方面是SiON厚度已到極限，不能再薄了；另一方面，PolySi作為半導體材料，導電率也不足了，出現(xiàn)了嚴重的元器件性能不足。如在高端的圖顯DDR中，芯片性能速度明顯不足，這就需要引進更先進的HKMGCMOS提供更好性能。隨著DDR5的到來，HKMGCMOS的使用會越來越現(xiàn)實。

“由于DRAM制程中有電容這一段，因此HGMG制程的選擇需與電容制程匹配。所謂的GateFirst制程就可被選擇為DRAM邏輯線路CMOS制程”，平博士說。他進一步表示，通過引入HKMG，不但可以推動存儲密度進一步提高，接口速度也同步獲得了提升。

“為了繼續(xù)發(fā)展DRAM技術，我們還需要在新材料、新架構上進行更多探索，并與相關企業(yè)進行合作”，平博士說。他指出，回顧過去幾十年的DRAM發(fā)展，證明IDM是發(fā)展DRAM的必然選擇，而這正是長鑫存儲從一開始建立就堅持的。