近日,上海新陽在投資者互動平臺上表示,公司用于KRF248nm光刻膠配套的光刻機已完成廠內(nèi)安裝開始調(diào)試,ARF193nm光刻膠配套的光刻機預(yù)計12月底到貨。
上海新陽指出,ARF193nm光刻膠是芯片制造進入90nm銅互聯(lián)制程后最重要的主流光刻膠產(chǎn)品,一直是國內(nèi)空白。公司研發(fā)該款光刻膠意在填補國內(nèi)空白,實現(xiàn)芯片制造在關(guān)鍵工藝技術(shù)和材料技術(shù)的自主可控。經(jīng)過近三年的研發(fā),關(guān)鍵技術(shù)已有重大突破,已從實驗室研發(fā)轉(zhuǎn)向產(chǎn)業(yè)研發(fā)。
光刻膠技術(shù)作為上海新陽核心戰(zhàn)略突破口,上海新陽已經(jīng)確定在未來5-10年,將集中各種資源,對國內(nèi)尚屬空白的各類高端半導(dǎo)體光刻膠和光刻膠配套材料進行研發(fā),逐步形成公司第三大核心技術(shù)-電子光刻技術(shù)。
目前,新引進的技術(shù)專家團隊已到位,各品類研發(fā)在正常進行,各項關(guān)鍵技術(shù)均有突破。其中,KRF光刻膠配套的光刻機已完成廠內(nèi)安裝開始調(diào)試,預(yù)計明年上半年開始中試。
責(zé)任編輯:wv
-
半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
339文章
31190瀏覽量
266313 -
光刻膠
+關(guān)注
關(guān)注
10文章
356瀏覽量
31854
發(fā)布評論請先 登錄
中國打造自己的EUV光刻膠標(biāo)準(zhǔn)!
臺階儀在集成電路制造中的應(yīng)用:高端光刻膠材料純化研究進展
光刻膠剝離工藝
光刻膠旋涂的重要性及厚度監(jiān)測方法
EUV光刻膠材料取得重要進展
國產(chǎn)光刻膠突圍,日企壟斷終松動
針對晶圓上芯片工藝的光刻膠剝離方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量
金屬低蝕刻率光刻膠剝離液組合物應(yīng)用及白光干涉儀在光刻圖形的測量
用于 ARRAY 制程工藝的低銅腐蝕光刻膠剝離液及白光干涉儀在光刻圖形的測量
低含量 NMF 光刻膠剝離液和制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量
金屬低刻蝕的光刻膠剝離液及其應(yīng)用及白光干涉儀在光刻圖形的測量
減少光刻膠剝離工藝對器件性能影響的方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量
光刻膠產(chǎn)業(yè)國內(nèi)發(fā)展現(xiàn)狀
光刻膠剝離液及其制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量
上海新陽表示ARF193nm光刻膠配套的光刻機預(yù)計12月底到貨
評論