在臺(tái)積電與英特爾（Intel）引領(lǐng)下，先進(jìn)邏輯晶片制造與晶圓代工業(yè)者的投資預(yù)計(jì)在今（2019）年下半年攀升26%，帶動(dòng)今年整體晶圓廠設(shè)備支出將上修至566億美元，大幅優(yōu)于市場(chǎng)預(yù)期。

國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）近日（17日）公布最新全球晶圓廠預(yù)測(cè)報(bào)告。經(jīng)歷上半年衰退態(tài)勢(shì)后，在下半年因存儲(chǔ)器投資激增所挾帶的優(yōu)勢(shì)，預(yù)估今（2019）年全球晶圓廠設(shè)備支出將上修至566億美元，年減7%，但較先前預(yù)測(cè)的年減18%顯著提升11個(gè)百分點(diǎn)。

存儲(chǔ)器方面，同一時(shí)期3D NAND支出則將大幅成長(zhǎng)逾70%。盡管今年上半年對(duì)于DRAM的投資仍持續(xù)下降，但自7月份以來的下降幅度已較緩和。

SEMI全球行銷長(zhǎng)暨***區(qū)總裁曹世綸表示，晶圓廠設(shè)備支出成長(zhǎng)主要來自于先進(jìn)的邏輯晶片制造與晶圓代工業(yè)者對(duì)于存儲(chǔ)器，尤其是3D NAND的投資維持持續(xù)成長(zhǎng)。

由上圖黃色趨勢(shì)線可見，存儲(chǔ)器設(shè)備支出力道是扭轉(zhuǎn)全球晶圓廠設(shè)備支出放緩趨勢(shì)的關(guān)鍵。在今上半年存儲(chǔ)器設(shè)備投資下滑幅度達(dá)38%、降至100億美元水平之下；其中又以3D NAND的設(shè)備投資下滑幅度最為慘烈，衰退57%；DRAM的設(shè)備投資也在2018下半年及2019上半年分別下滑各12%。

SEMI同時(shí)修正明（2020）年晶圓設(shè)備投資預(yù)測(cè)，總金額上修至580億美元，整體市場(chǎng)轉(zhuǎn)趨樂觀。

報(bào)告指出，明年上半年，受到索尼（Sony）建廠計(jì)劃的帶動(dòng)，影像感測(cè)器（CIS）投資預(yù)期將成長(zhǎng)20%，下半年增幅更將超過90%，達(dá)16億美元高峰；另外，在英飛凌（Infineon）、意法半導(dǎo)體（ST Microelectronics）和博世（Bosch）的投資計(jì)劃，電源管理元件的投資預(yù)計(jì)大幅增長(zhǎng)40%以上，下半年將維持成長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，再度上升29%，金額上看近17億美元。