隨著技術(shù)的發(fā)展，我們使用的存儲(chǔ)器也各種各樣，雖然都基于芯片顆粒，但表現(xiàn)截然不同，比如說讀寫次數(shù)限制，或者叫壽命，SSD固態(tài)硬盤就有限制，DRAM內(nèi)存卻沒有。

按照分布位置的不同，DRAM內(nèi)存屬于內(nèi)部存儲(chǔ)器，緊挨著CPU處理器，用來臨時(shí)存放后者需要的運(yùn)算數(shù)據(jù)，并與外部存儲(chǔ)器進(jìn)行交換，起到橋梁的作用。

DRAM內(nèi)存的特點(diǎn)是讀寫速度快、延遲低，但屬于易失性存儲(chǔ)，也就是一旦斷電，數(shù)據(jù)就會(huì)全部丟失。

DRAM內(nèi)存顆粒利用晶體管加電容來保存數(shù)據(jù)，而且只是臨時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，并沒有實(shí)質(zhì)性的寫入，不涉及對(duì)物理單元結(jié)構(gòu)、屬性的改變，所以可以無限次讀寫。

當(dāng)然，這并不意味著DRAM內(nèi)存就可以永久使用，畢竟其中的晶體管、電容等物理結(jié)構(gòu)也會(huì)慢慢老化，所有電子設(shè)備都是如此，只是這個(gè)過程非常非常緩慢，正常使用根本感覺不到。

SSD則是外部存儲(chǔ)，用來長久保存數(shù)據(jù)，屬于非易失性存儲(chǔ)，斷電后數(shù)據(jù)還在，但是相對(duì)速度慢、延遲高，HDD機(jī)械硬盤、U盤、光盤等也是此類。

SSD的存儲(chǔ)介質(zhì)是NAND閃存顆粒，需要施加不同的電壓、改變內(nèi)部狀態(tài)來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，隨著時(shí)間的流逝、讀寫次數(shù)的增加，會(huì)出現(xiàn)物理性的損耗，最終不可用。

NAND閃存的壽命一般用P/E編程擦寫次數(shù)來描述，寫滿一次容量就損失一次P/E。

SLC大約是10萬次，MLC只有5000次左右，TLC就只大概2000次，QLC僅為1000次上下，所以不得不依靠更多管理技術(shù)和算法來輔助，以保持壽命。

但另一方面，SLC、MLC、TLC、QLC的存儲(chǔ)密度越來越大，SSD容量也越來越大，寫滿的概率越來越低，所以整個(gè)SSD的實(shí)際壽命其實(shí)并沒有大大縮短，一般應(yīng)用無需過分擔(dān)憂壽命問題。

責(zé)任編輯：wv