chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

搜索歷史

清空
搜索熱詞
      0
      • 聊天消息
      • 系統(tǒng)消息
      • 評(píng)論與回復(fù)
      VIP于 到期 續(xù)費(fèi)
      登錄后你可以
      • 下載海量資料
      • 學(xué)習(xí)在線課程
      • 觀看技術(shù)視頻
      • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
      會(huì)員中心
      創(chuàng)作中心
      發(fā)布
      創(chuàng)作活動(dòng)

      完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你，還能領(lǐng)取20積分哦，立即完善>

      3天內(nèi)不再提示

      儒卓力推出了一款具有高功率密度和高效率的MOSFET器件

      電子工程師 ? 來(lái)源：網(wǎng)絡(luò)整理 ? 作者：佚名 ? 2020-02-20 10:27 ? 次閱讀
      加入交流群
      微信小助手二維碼

      掃碼添加小助手

      加入工程師交流群

      威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是為提高功率轉(zhuǎn)換拓?fù)渲械墓β拭芏群托识O(shè)計(jì)。它們采用3.3x3.3mm緊湊型PowerPAK 1212-8S封裝，可提供低于2mΩ級(jí)別中的最低輸出電容(Coss)。儒卓力在電子商務(wù)網(wǎng)站上供應(yīng)這款MOSFET器件。

      SiSS12DN MOSFET在10V下具有1.98mΩ的低導(dǎo)通電阻(RDS(ON))，可以最大限度地降低傳導(dǎo)損耗。此外，該器件具有680pF的低輸出電容(Coss)和28.7nC的優(yōu)化柵極電荷(Qg)，減少了與開關(guān)相關(guān)的功率損耗。

      與采用6x5mm封裝的相似解決方案相比，TrenchFET Gen IV功率MOSFET占用的印刷電路板(PCB)空間減少了65%，從而實(shí)現(xiàn)了更高的功率密度。它們通過(guò)了100%的RG和UIS測(cè)試，符合RoHS要求且不含鹵素。

      這款N-Channel MOSFET的應(yīng)用包括AC/DC電源中的同步整流；面向電信、服務(wù)器和醫(yī)療設(shè)備的DC/ DC轉(zhuǎn)換器中的初級(jí)和次級(jí)側(cè)開關(guān)；用于服務(wù)器和電信設(shè)備中電壓調(diào)節(jié)的半橋功率級(jí)和降壓-升壓轉(zhuǎn)換器；電信和服務(wù)器電源中的OR-ing功能；用于開關(guān)電容器或開關(guān)柜轉(zhuǎn)換器的功率級(jí)；電動(dòng)工具和工業(yè)設(shè)備中的電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)控制；以及電池管理模塊中的電池保護(hù)和充電。

      聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
      • MOSFET器件
        +關(guān)注

        關(guān)注

        0

        文章

        20

        瀏覽量

        9323
      • 儒卓力
        +關(guān)注

        關(guān)注

        0

        文章

        37

        瀏覽量

        12509
      收藏 人收藏
      加入交流群
      微信小助手二維碼

      掃碼添加小助手

      加入工程師交流群

        評(píng)論

        相關(guān)推薦
        熱點(diǎn)推薦

        onsemi NTMTS0D4N04C N溝道MOSFET——高功率密度的理想之選

        onsemi NTMTS0D4N04C N溝道MOSFET——高功率密度的理想之選 在現(xiàn)代電子系統(tǒng)之中，功率MOSFET作為極為關(guān)鍵的
        的頭像 發(fā)表于 04-10 14:15 ?144次閱讀

        面向高密度算力需求的AI渲染服務(wù)器集群功率MOSFET選型策略與器件適配手冊(cè)

        ，而功率MOSFET的選型直接決定系統(tǒng)能效、功率密度、熱性能及長(zhǎng)期可靠性。本文針對(duì)服務(wù)器集群對(duì)超高效率、極佳散熱、嚴(yán)格EMI及高
        的頭像 發(fā)表于 03-24 15:09 ?391次閱讀
        面向高<b class='flag-5'>密度</b>算力需求的AI渲染服務(wù)器集群<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>選型策略與<b class='flag-5'>器件</b>適配手冊(cè)

        電源的功率密度怎么劃分？

        普遍。1 W/in3 約等于 0.061 W/cm3。 2. 功率密度的高低如何界定？ 在AC/DC 模塊電源領(lǐng)域，“高”與“低”是一個(gè) 相對(duì)概念 ，并且隨著半導(dǎo)體技術(shù)（如氮化鎵GaN、碳化硅 SiC）、變壓器工藝和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的發(fā)
        的頭像 發(fā)表于 03-21 17:45 ?1387次閱讀
        電源的<b class='flag-5'>功率密度</b>怎么劃分？

        SGM6614：高功率密度同步升壓轉(zhuǎn)換器的卓越之選

        SGM6614：高功率密度同步升壓轉(zhuǎn)換器的卓越之選 在電子設(shè)備的電源管理領(lǐng)域，高效、穩(wěn)定且功能強(qiáng)大的升壓轉(zhuǎn)換器至關(guān)重要。SGMICRO推出的SGM6614就是這樣
        的頭像 發(fā)表于 03-19 11:05 ?281次閱讀

        面向高功率密度與長(zhǎng)壽命需求的AI電池儲(chǔ)能柜MOSFET選型策略與器件適配手冊(cè)

        系統(tǒng)）均衡、智能溫控風(fēng)扇等關(guān)鍵負(fù)載提供高效電能管理與控制，而功率MOSFET的選型直接決定系統(tǒng)轉(zhuǎn)換效率、功率密度、熱管理及長(zhǎng)期可靠性。本文針
        的頭像 發(fā)表于 03-18 08:24 ?9240次閱讀
        面向<b class='flag-5'>高</b><b class='flag-5'>功率密度</b>與長(zhǎng)壽命需求的AI電池儲(chǔ)能柜<b class='flag-5'>MOSFET</b>選型策略與<b class='flag-5'>器件</b>適配手冊(cè)

        CGH40006P射頻晶體管

        ）更高的電子遷移率，顯著提升開關(guān)速度和頻率響應(yīng)。寬帶寬能力：支持多倍頻程應(yīng)用，適用于十倍頻程帶寬功率放大器。高功率密度：?jiǎn)挝粬艑?b class='flag-5'>功率密度高，
        發(fā)表于 02-03 10:00

        CHA8107-QCB兩級(jí)氮化鎵（GaN）高功率放大器

        ）兼容性。技術(shù)優(yōu)勢(shì)GaN 材料特性：高功率密度：GaN 的寬帶隙特性使其在相同尺寸下輸出功率遠(yuǎn)高于 GaAs 或硅基器件。高頻性能優(yōu)異：在 6GHz 頻段仍能保持
        發(fā)表于 12-12 09:40

        SiLM27213EK-DG專用MOSFET門極驅(qū)動(dòng)器，高頻高效率開關(guān)電源解決方案

        電路，擠占了本就緊張的PCB空間？如果你對(duì)以上任何一個(gè)問(wèn)題感同身受，那么問(wèn)題的核心可能指向了電源架構(gòu)中的一個(gè)關(guān)鍵角色——MOSFET門極驅(qū)動(dòng)器。一款高性能的驅(qū)動(dòng)器，往往是解鎖高頻、
        發(fā)表于 12-10 08:55

        MPN12AD20-TS：高功率高效率，完美替代ADI/TI/TOREX/Murata村田

        MPN12AD20-TS可作為高功率密度、高效率的替代方案，適用于需要20A負(fù)載的場(chǎng)景，但需驗(yàn)證輸入/輸出范圍、保護(hù)功能及溫度范圍的匹配性。以下是對(duì)MPN12AD20-TS替代ADI、TI
        發(fā)表于 11-26 09:43

        Leadway GaN系列模塊的功率密度

        場(chǎng)景提供高性價(jià)比的全國(guó)產(chǎn)解決方案。一、功率密度提升的核心邏輯材料特性突破： GaN（氮化鎵）作為寬禁帶半導(dǎo)體，電子遷移率（2000cm2/Vs）和飽和漂移速度（2.5×10?cm/s）遠(yuǎn)超傳統(tǒng)硅基器件
        發(fā)表于 10-22 09:09

        三菱電機(jī)SiC MOSFET模塊的高功率密度和低損耗設(shè)計(jì)

        鐵路牽引變流器作為軌道交通車輛動(dòng)力系統(tǒng)的核心部件，正朝著高可靠性、高功率密度和高效率方向發(fā)展。目前IGBT仍是鐵路牽引領(lǐng)域的主流功率半導(dǎo)體器件
        的頭像 發(fā)表于 09-23 09:26 ?2369次閱讀
        三菱電機(jī)SiC <b class='flag-5'>MOSFET</b>模塊的<b class='flag-5'>高</b><b class='flag-5'>功率密度</b>和低損耗設(shè)計(jì)

        高電流、高效率電荷泵，具有自動(dòng)定時(shí)器 skyworksinc

        電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()高電流、高效率電荷泵，具有自動(dòng)定時(shí)器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有高電流、高效率電荷泵，
        發(fā)表于 07-29 18:32
        <b class='flag-5'>高</b>電流、<b class='flag-5'>高效率</b>電荷泵，<b class='flag-5'>具有</b>自動(dòng)定時(shí)器 skyworksinc

        揚(yáng)杰科技推出用于清潔能源的N60V MOSFET產(chǎn)品

        揚(yáng)杰科技最新推出了一系列用于清潔能源的N60V MOSFET產(chǎn)品，產(chǎn)品采用特殊優(yōu)化的SGT技術(shù)，具有較低的導(dǎo)通電阻Rdson和柵極電荷Qg，明顯降低導(dǎo)通和開關(guān)損耗，同時(shí)提升了
        的頭像 發(fā)表于 06-27 09:43 ?1619次閱讀
        揚(yáng)杰科技<b class='flag-5'>推出</b>用于清潔能源的N60V <b class='flag-5'>MOSFET</b>產(chǎn)品

        基于CM6901的LLC半橋諧振開關(guān)電源設(shè)計(jì)

        具有的高頻化、高效率、高功率密度等優(yōu)勢(shì)受到廣大研發(fā)人員的青睞。那么要設(shè)計(jì)一款高效率、高性能的LL
        發(fā)表于 06-05 15:14

        安森美高效電源方案：基于GaN技術(shù)的1KW智能工業(yè)電源

        安森美推出了一款基于GaNFETNCP58921與次級(jí)控制芯片NCL38046的智能工業(yè)電源解決方案，支持通過(guò)Analog與PWM方式調(diào)整輸出功率，最大功率可達(dá)1KW。這
        的頭像 發(fā)表于 04-23 08:02 ?803次閱讀
        安森美<b class='flag-5'>高效</b>電源方案：基于GaN技術(shù)的1KW智能工業(yè)電源