長(zhǎng)鑫國(guó)產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片的外觀和參數(shù)曝光，使用19納米制造技術(shù)
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正使用其10G1工藝技術(shù)（即19nm工藝）來(lái)制造4GB和8GB的DDR4內(nèi)存芯片，目標(biāo)是在2020年第一季度上市。現(xiàn)在，一名用戶就曝光了新款內(nèi)存的外觀和參數(shù)。
上圖清單中列出長(zhǎng)鑫的筆記本和臺(tái)式機(jī)內(nèi)存，容量都是8GB，速率都是DDR4-2666，電壓為1.2V，時(shí)序未知。
長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)科技有限公司已經(jīng)開始使用19納米制造技術(shù)生產(chǎn)DDR4內(nèi)存。目前，該公司已經(jīng)制定了至少兩個(gè)10納米級(jí)制造工藝的路線圖，并計(jì)劃在未來(lái)生產(chǎn)所有類型的DRAM。不僅如此，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)還計(jì)劃再建兩個(gè)晶圓廠來(lái)提高產(chǎn)量。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)還將使用同樣的技術(shù)將在2020年下半年制造LPDDR4X內(nèi)存。該公司的技術(shù)路線圖包括17nm的DDR4、LPDDR4X、DDR5和LPDDR5內(nèi)存。
現(xiàn)在京東搜索內(nèi)存條，可以發(fā)現(xiàn)8GB DDR4 2666的價(jià)格已經(jīng)比去年有所升高。
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