在工藝制程方面，臺(tái)積電的進(jìn)度明顯要快于英特爾。其實(shí)在2017年的時(shí)候，英特爾就指出臺(tái)積電7nm并非真實(shí)的7nm。而且英特爾呼吁行業(yè)應(yīng)該統(tǒng)一命名標(biāo)準(zhǔn)，防止命名混亂。英特爾更希望以晶體管密度作為衡量標(biāo)準(zhǔn)。

如果按照晶體管密度的話，英特爾的10nm工藝要優(yōu)于臺(tái)積電的7nm。這也是英特爾呼吁建立統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)的原因。英特爾給出的具體建議是，以邏輯晶體管密度作為指標(biāo)，同時(shí)也加入掃描觸發(fā)器、NAND2密度和SRAM單元規(guī)模。

制程工藝

臺(tái)積電對(duì)此的回應(yīng)是，其實(shí)從350nm開始，工藝中的數(shù)字就已經(jīng)不代表物理尺度了，其實(shí)也算是承認(rèn)7nm工藝并非真的7nm。7nm或者N7只是行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)話術(shù)而已，后續(xù)的5nm或者N5也是如此。