Google Pixel 4a真機(jī)實(shí)拍照曝光 挖孔位于左上角且采用后置指紋方案
近日，外媒曝光了全新的Google Pixel 4a真機(jī)實(shí)拍照。
從照片上看，此次曝光的照片與此前曝光的真機(jī)圖并不相同，特別是正面挖空位置有所區(qū)別，此前曝光的真機(jī)照顯示Pixel 4a挖孔位于機(jī)身左上角但預(yù)留了一個(gè)顯示時(shí)間的區(qū)域，而且頂部邊框極窄。
但從全新的真機(jī)照上可以明顯看到挖孔就是位于左上角，而且邊框?qū)挾然貧w正常（類似于iPhone XR，但底部邊框更粗一些），很明顯上次的真機(jī)照應(yīng)該是P過的。
機(jī)身背部造型因?yàn)?a target="_blank">手機(jī)殼被擋住了，但還是能看出來矩形單攝，后置指紋識別以及G字Logo。
從邊框厚度+后置指紋不難推測出，Pixel 4a應(yīng)該搭載了一塊LCD屏幕。
規(guī)格上Pixel 4a采用了挖孔屏方案，這是谷歌首次使用挖孔屏，其屏幕尺寸為5.7或5.8英寸，搭載高通驍龍730或者是驍龍765移動(dòng)平臺，配備4GB內(nèi)存+64GB存儲，后置1220萬像素，運(yùn)行Android 10。
值得一提的是，Pixel 4a的三圍可能為144.2x69.5x8.2mm，相較之下iPhone 11三圍為150.9x75.7x8.3mm，Pixel 4a要比iPhone 11小上一整圈，尺寸更近似于iPhone 8（傳統(tǒng)4.7寸iPhone）。
責(zé)任編輯：wv
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UCC2732x 和 UCC3732x 系列高速雙 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器可提供 4A 拉電流和 4A 灌電流峰值電流，可在米勒高原地區(qū)最需要的地方有效驅(qū)動(dòng) MOSFET。獨(dú)特的雙極和 MOSFET
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UCC27517 4A/4A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 5V UVLO 和 13ns prop 延遲，采用 SOT-23 封裝數(shù)據(jù)手冊
拉出和吸收高峰值電流脈沖 電容負(fù)載提供軌到軌驅(qū)動(dòng)能力和極小的傳播延遲， 通常為 13 ns。
UCC27516 和 UCC27517 提供 4A 拉電流、4A 灌電流（對稱驅(qū)動(dòng)）峰值驅(qū)動(dòng) VDD = 12 V 時(shí)的電流能力。
UCC27516 4A/4A 單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，采用 SON 封裝數(shù)據(jù)手冊
拉出和吸收高峰值電流脈沖 電容負(fù)載提供軌到軌驅(qū)動(dòng)能力和極小的傳播延遲， 通常為 13 ns。
UCC27516 和 UCC27517 提供 4A 拉電流、4A 灌電流（對稱驅(qū)動(dòng)）峰值驅(qū)動(dòng) VDD = 12 V 時(shí)的電流能力。
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