兩只場效應(yīng)管KW25N120E怎么做逆變器
KW25N120E是電磁爐里較常用的一款大功率IGBT管，該管內(nèi)部采用N溝道場效應(yīng)管作為輸入級，具有很高的輸入電阻；輸出級為大功率雙極型三極管，具有較小的飽和壓降，該管可以用來作為逆變器三極管，其外形封裝如下圖所示。
25N120大功率管一般采用TO-3P封裝，其工作電流為25A，耐壓值高達1200V。由于該管輸入級為場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)，故選用該管作為逆變管，只需要添加簡單的振蕩電路即可。采用兩個25N120構(gòu)成的逆變器電路如下圖所示。
圖中的CD4011是一款微功耗CMOS四2輸入與非門，這里只使用內(nèi)部的兩個與非門接成一個簡單的阻容振蕩器，兩個25N120功率管作為驅(qū)動管，與非門1和與非門2工作時產(chǎn)生的矩形波振蕩信號經(jīng)VT1和VT2放大后驅(qū)動高頻升壓變壓器工作，在變壓器的次級輸出的即為高壓交流電。
制作時，升壓變壓器可以采用E型磁芯制作，初次級匝數(shù)及線徑視逆變器的功率而定。本電路可以在12～15V的電壓下工作。調(diào)整R1或C1的標(biāo)稱值，可以調(diào)節(jié)振蕩器的振蕩頻率。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
場效應(yīng)管
+關(guān)注
關(guān)注
47文章
1294瀏覽量
71772 -
逆變器
+關(guān)注
關(guān)注
305文章
5219瀏覽量
217549
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
深入解析 onsemi FDT457N N 溝道增強型場效應(yīng)晶體管
深入解析 onsemi FDT457N N 溝道增強型場效應(yīng)晶體管 在電子設(shè)計領(lǐng)域，場效應(yīng)晶體管（FET）是不可或缺的基礎(chǔ)元件，廣泛應(yīng)用于各種電路中。今天，我們來深入探討 onsemi
探索 onsemi FDT439N：高性能 N 溝道增強型場效應(yīng)晶體管
探索 onsemi FDT439N：高性能 N 溝道增強型場效應(yīng)晶體管 在電子設(shè)計領(lǐng)域，場效應(yīng)晶體管（FET）是至關(guān)重要的元件，廣泛應(yīng)用于各種電路中。今天，我們將深入了解 onsemi
探索 onsemi NDC7002N 雙 N 溝道增強型場效應(yīng)晶體管
探索 onsemi NDC7002N 雙 N 溝道增強型場效應(yīng)晶體管 在電子設(shè)計領(lǐng)域，場效應(yīng)晶體管（FET）是不可或缺的基礎(chǔ)元件。今天，我們將深入探討 onsemi 公司的 NDC70
Onsemi N 溝道增強型場效應(yīng)晶體管 2N7000、2N7002、NDS7002A 深度解析
Onsemi N 溝道增強型場效應(yīng)晶體管 2N7000、2N7002、NDS7002A 深度解析 在電子設(shè)計領(lǐng)域，場效應(yīng)晶體管是不可或缺的基
深入解析NDS331N：N溝道邏輯電平增強型場效應(yīng)晶體管
深入解析NDS331N：N溝道邏輯電平增強型場效應(yīng)晶體管 在電子設(shè)計領(lǐng)域，場效應(yīng)晶體管（FET）是至關(guān)重要的元件，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。今天，我們將深入探討一款高性能的
N通道場效應(yīng)管15N10 電源應(yīng)用MOS管HC070N10L 100V15A TO-252封裝 原廠直銷 皮實耐抗
在電源管理、DC-DC轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動等應(yīng)用中，選擇一顆兼具低導(dǎo)通電阻、可靠開關(guān)性能與良好耐受能力的MOS管，是保障產(chǎn)品穩(wěn)定性的關(guān)鍵。今天為大家介紹一款HC070N10L N溝道增強型場效應(yīng)晶體
發(fā)表于 03-28 11:31
HGK023N12L 控制器專用MOS管TO-252 120V場效應(yīng)管30A 開啟1.7V
惠海半導(dǎo)體NMOS常用型號：3400 30N03 50N03 90N03 120N03 50N04 12
發(fā)表于 01-14 10:29
微碩WINSOK高性能場效應(yīng)管WSD75100DN56，助力后視鏡折疊器性能升級
WINSOK高性能N溝道場效應(yīng)管WSD75100DN56以5.3mΩ低RDS(ON)、75V100ADFN5*6-8L封裝，完美契合后視鏡折疊器系統(tǒng)對高功率密度與散熱效率
中科微電：場效應(yīng)管領(lǐng)域的創(chuàng)新領(lǐng)航者
在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展的今天，場效應(yīng)管（MOSFET）作為電子設(shè)備的核心功率控制單元，其性能直接決定了終端產(chǎn)品的能效、可靠性與小型化水平。中科微電作為深耕場效應(yīng)管領(lǐng)域的高新技術(shù)企業(yè)，自成立以來便以
深度解析場效應(yīng)管ZK60N50T：參數(shù)、特性與應(yīng)用場景
在電力電子領(lǐng)域，場效應(yīng)管（MOSFET）作為核心開關(guān)器件，其性能直接決定了整機系統(tǒng)的效率、可靠性與成本控制。ZK60N50T作為一款典型的N溝道功率MOSFET，憑借其優(yōu)異的電氣參數(shù)與穩(wěn)定的工作特性
中科微電ZK60N20DG場效應(yīng)管：60V/20A的高效能半導(dǎo)體解決方案
在電力電子領(lǐng)域，場效應(yīng)管（MOSFET）作為能量轉(zhuǎn)換與電路控制的核心器件，其性能參數(shù)直接決定了整機系統(tǒng)的效率、可靠性與集成度。ZK60N20DG作為一款專注于中低壓應(yīng)用場景的N溝道增強型場效應(yīng)
FS8205 20V N 溝道增強型MOS場效應(yīng)管技術(shù)手冊
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《FS8205 20V N 溝道增強型MOS場效應(yīng)管技術(shù)手冊.pdf》資料免費下載
發(fā)表于 09-23 15:03
?2次下載
合科泰場效應(yīng)管HKTD70N04在吸塵器中的應(yīng)用
中國家電制造業(yè)已占據(jù)全球 70% 市場份額，其中吸塵器領(lǐng)域更是以 80%+ 的占比領(lǐng)跑全球。然而核心元器件的進口依賴始終是行業(yè)痛點。合科泰半導(dǎo)體深耕功率器件領(lǐng)域多年，推出HKTD70N04 場效應(yīng)管，作為 AON6236 等型號的理想國產(chǎn)替代方案，為吸塵器直流電機驅(qū)動提供
合科泰高壓場效應(yīng)管HKTD5N50的核心優(yōu)勢
在工業(yè)自動化的精密控制系統(tǒng)中，變頻器作為電機調(diào)速的核心部件，其性能直接決定了生產(chǎn)效率與能源消耗。合科泰半導(dǎo)體針對中小功率變頻驅(qū)動場景，推出HKTD5N50 高壓場效應(yīng)管，以 500V 耐壓、低導(dǎo)通損耗及快速開關(guān)特性，成為風(fēng)機、水泵等流體控制設(shè)備的理想驅(qū)動方案。
貼片MOS場效應(yīng)管型號如何識別？
貼片MOS場效應(yīng)管型號的識別需結(jié)合命名規(guī)則、封裝特征及參數(shù)查詢?nèi)矫孢M行，以下是具體方法： 一、型號命名規(guī)則解析 貼片MOS管的型號通常由制造商標(biāo)識、基本型號、功能標(biāo)識、封裝形式及技術(shù)參數(shù)組成，常見
評論