4月11日，北京耐威科技股份有限公司（以下簡稱“耐威科技”）公布公告稱，為了進一步完善GaN業(yè)務(wù)的全產(chǎn)業(yè)鏈布局，把握產(chǎn)業(yè)發(fā)展機遇，逐步形成自主可控的生產(chǎn)制造能力，盡快拓展相關(guān)材料與器件在5G通信、物聯(lián)網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心、新型電源等領(lǐng)域的推廣應(yīng)用，公司擬投資設(shè)立全資子公司。

公告顯示，耐威科技此次擬新設(shè)公司名稱為北京聚能海芯半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“聚能海芯”，暫定名，具體以工商核名為準(zhǔn)），注冊資本1億元，以此作為項目公司，組織資源投資建設(shè)自主GaN微波及功率器件生產(chǎn)線。

據(jù)披露，該新設(shè)公司將經(jīng)營半導(dǎo)體器件、集成電路的技術(shù)開發(fā)、技術(shù)轉(zhuǎn)讓、技術(shù)咨詢、技術(shù)服務(wù)；委托加工制造半導(dǎo)體器件；產(chǎn)品設(shè)計；銷售電子產(chǎn)品等業(yè)務(wù)。不過，耐威科技表示，以上信息均以工商行政管理機關(guān)最終核定的信息為準(zhǔn)。

資料顯示，耐威科技成立于2008年，以傳感技術(shù)為核心，緊密圍繞物聯(lián)網(wǎng)、特種電子兩大產(chǎn)業(yè)鏈，一方面大力發(fā)展MEMS、導(dǎo)航、航空電子三大核心業(yè)務(wù)，一方面積極布局無人系統(tǒng)、第三代半導(dǎo)體材料和器件等潛力業(yè)務(wù)，主要產(chǎn)品及業(yè)務(wù)包括MEMS芯片的工藝開發(fā)及晶圓制造、導(dǎo)航系統(tǒng)及器件、航空電子系統(tǒng)等，應(yīng)用領(lǐng)域包括通信、生物醫(yī)療、工業(yè)科學(xué)、消費電子、航空航天、智能交通等。

近年來，耐威科技不斷布局和完善第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的布局。

2018年6月，耐威科技在青島市即墨區(qū)投資設(shè)立聚能晶源（青島）半導(dǎo)體材料有限公司，主要從事半導(dǎo)體材料，尤其是氮化鎵（GaN）外延材料的設(shè)計、開發(fā)、生產(chǎn)；2018年7月，耐威科技在青島市嶗山區(qū)投資設(shè)立青島聚能創(chuàng)芯微電子有限公司，主要從事功率與微波器件，尤其是氮化鎵（GaN）功率與微波器件的設(shè)計、開發(fā)。

2018年12月，耐威科技公告宣布，聚能晶源成功研制“8英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延晶圓”；2019年9月，聚能晶源宣布其第三代半導(dǎo)體材料制造項目（一期）正式投產(chǎn)。

如今，耐威科技在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域取得階段性成果的同時也在進一步完善該領(lǐng)域的布局。2019年11月6日，耐威科技發(fā)布公告稱，與青島西海岸新區(qū)管委簽署協(xié)議，擬在青島西海岸新區(qū)投資建設(shè)氮化鎵（GaN）晶圓制造項目。

根據(jù)公告，耐威科技擬建設(shè)一條6英寸氮化鎵微波器件生產(chǎn)線和一條8英寸氮化鎵功率器件生產(chǎn)線；項目總建筑面積約20.40萬平米，其中廠房與辦公建筑面積約18.00萬平米，宿舍面積約2.40萬平米。項目建成后，將有助于青島形成氮化鎵（GaN）基礎(chǔ)材料全產(chǎn)業(yè)鏈基地及產(chǎn)業(yè)集群。
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