chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

FinFET是一種新的互補式金氧半導體晶體管

lhl545545 ? 來源:IEEE電氣電子工程師學會 ? 作者:IEEE電氣電子工程師 ? 2020-06-16 14:34 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

近日,IEEE Life Fellow(IEEE終身會士)Chenming Hu教授榮獲今年的 IEEE 榮譽獎章,以表彰他在半導體模型開發(fā)和應用方面做出的杰出貢獻,特別是發(fā)明了使摩爾定律得以延續(xù)數(shù)十年的 3D 結構器件(FinFETs)。

IEEE獎勵委員會(AB)管理的職責是管理由IEEE頒發(fā)的最高獎章,獎勵,認可的活動。通過獎勵計劃,IEEE表彰其會員在IEEE領域內所做的推動社會福利的貢獻。通過這種方法,提高組織,會員和行業(yè)的形象和威信。近一個世紀以來,IEEE獎勵計劃影響的技術,社會和工程的發(fā)展。提名一名同事也成為IEEE最負盛名的榮譽之一。IEEE獎牌,獎項及榮譽由一些世界領先的企業(yè),基金會和個人贊助,以支持IEEE感興趣的領域。

IEEE獎勵計劃分為三種類型:IEEE Medals(獎章), Technical Field Awards(技術領域獎勵), Recognitions (認可)。其中,IEEE獎章是最高層次,而IEEE Medal of Honor(榮譽勛章)又是獎章中的最高榮譽,IEEE獎章包含重要而廣泛的IEEE領域。

Chenming Hu在晶體管模型和新型晶體管結構方面的開創(chuàng)性成就,使半導體器件的規(guī)模不斷擴大,從而能夠生產(chǎn)更小、更強大、成本更高的半導體器件。

FinFET 是一種新的互補式金氧半導體晶體管,F(xiàn)inFET 命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設計可以改善電路控制并減少漏電流,縮短晶體管的閘長,F(xiàn)inFET 閘長已可小于 25 納米,未來預期可以進一步縮小至 9 納米,約是人類頭發(fā)寬度的 1 萬分之 1。由于在這種導體技術上的突破,未來芯片設計人員可望能夠將超級計算機設計成只有指甲般大小。

Chenming Hu是IEEE的終身會士,2014年美國國家技術與創(chuàng)新獎章獲得者,是美國加州大學伯克利分校電氣工程與計算機科學系的TSMC杰出退休教授。
責任編輯:pj

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • IEEE
    +關注

    關注

    7

    文章

    417

    瀏覽量

    49567
  • 半導體
    +關注

    關注

    336

    文章

    30085

    瀏覽量

    259341
  • 晶體管
    +關注

    關注

    78

    文章

    10303

    瀏覽量

    146644
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    晶體管的定義,晶體管測量參數(shù)和參數(shù)測量儀器

    晶體管一種半導體材料為基礎的電子元件,具有檢波、整流、放大、開關、穩(wěn)壓和信號調制等多種功能?。其核心是通過控制輸入電流或電壓來調節(jié)輸出電流,實現(xiàn)信號放大或電路開關功能?。 基本定義 晶體管
    的頭像 發(fā)表于 10-24 12:20 ?289次閱讀
    <b class='flag-5'>晶體管</b>的定義,<b class='flag-5'>晶體管</b>測量參數(shù)和參數(shù)測量儀器

    多值電場型電壓選擇晶體管結構

    多值電場型電壓選擇晶體管結構 為滿足多進制邏輯運算的需要,設計了款多值電場型電壓選擇晶體管。控制二進制電路通斷需要二進制邏輯門電路,實際上是對電壓的一種選擇,而傳統(tǒng)二進制邏輯門電路通
    發(fā)表于 09-15 15:31

    【「AI芯片:科技探索與AGI愿景」閱讀體驗】+半導體芯片產(chǎn)業(yè)的前沿技術

    會減半。這規(guī)律最初由英特爾公司創(chuàng)始人之戈登·摩爾在1965年提出,至今已成為了計算機工業(yè)的基石。(百度到的,不了解的可以自行去了解下) 1、晶體管架構從FinFET到CFET
    發(fā)表于 09-15 14:50

    現(xiàn)代集成電路半導體器件

    目錄 第1章?半導體中的電子和空穴第2章?電子和空穴的運動與復合 第3章?器件制造技術 第4章?PN結和金屬半導體結 第5章?MOS電容 第6章?MOSFET晶體管 第7章?IC中的MOSFET
    發(fā)表于 07-12 16:18

    體硅FinFET和SOI FinFET的差異

    半導體制造領域,晶體管結構的選擇如同建筑中的地基設計,直接決定了芯片的性能上限與能效邊界。當制程節(jié)點推進到22nm以下時,傳統(tǒng)平面晶體管已無法滿足需求,鰭場效應
    的頭像 發(fā)表于 06-25 16:49 ?1758次閱讀
    體硅<b class='flag-5'>FinFET</b>和SOI <b class='flag-5'>FinFET</b>的差異

    晶體管光耦的工作原理

    晶體管光耦(PhotoTransistorCoupler)是一種將發(fā)光器件和光敏器件組合在起的半導體器件,用于實現(xiàn)電路之間的電氣隔離,同時傳遞信號或功率。
    的頭像 發(fā)表于 06-20 15:15 ?670次閱讀
    <b class='flag-5'>晶體管</b>光耦的工作原理

    代高速芯片晶體管解制造問題解決了!

    心存疑慮,根據(jù)imec在2025年VSLI研討會上的最新聲明,這家研究巨頭開發(fā)了一種全新的尖端叉片晶體管設計方法,解決了制造難題,這將推動晶體管的未來持續(xù)發(fā)展。 叉片晶體管(Forks
    發(fā)表于 06-20 10:40

    場效應晶體管的原理和優(yōu)勢

    半導體晶體管問世以來,集成電路技術便在摩爾定律的指引下迅猛發(fā)展。摩爾定律預言,單位面積上的晶體管數(shù)量每兩年翻番,而這進步在過去幾十年里
    的頭像 發(fā)表于 06-03 18:24 ?1398次閱讀
    鰭<b class='flag-5'>式</b>場效應<b class='flag-5'>晶體管</b>的原理和優(yōu)勢

    無結場效應晶體管詳解

    場效應晶體管(TFET)沿溝道方向有個 PN結,金屬-半導體場效應晶體管(MESFET)或高電子遷移率晶體管(HEMT)垂直于溝道方向含有
    的頭像 發(fā)表于 05-16 17:32 ?1041次閱讀
    無結場效應<b class='flag-5'>晶體管</b>詳解

    什么是晶體管?你了解多少?知道怎樣工作的嗎?

    晶體管(Transistor)是一種?半導體器件?,用于?放大電信號?、?控制電流?或作為?電子開關?。它是現(xiàn)代電子技術的核心元件,幾乎所有電子設備(從手機到超級計算機)都依賴晶體管
    的頭像 發(fā)表于 05-16 10:02 ?3668次閱讀

    多值電場型電壓選擇晶體管結構

    多值電場型電壓選擇晶體管結構 為滿足多進制邏輯運算的需要,設計了款多值電場型電壓選擇晶體管??刂贫M制電路通斷需要二進制邏輯門電路,實際上是對電壓的一種選擇,而傳統(tǒng)二進制邏輯門電路通
    發(fā)表于 04-15 10:24

    互補MOSFET脈沖變壓器的隔離驅動電路設計

    引言 隨著電力半導體器件的發(fā)展[1-2],已經(jīng)出現(xiàn)了各種各樣的全控型器件,最常用的有適用于大功率場合的大功率晶體管(GTR)、適用于中小功率場合但快速性較好的功率場效應晶體管(MOSFET)以及
    發(fā)表于 03-27 14:48

    場效應晶體管制造工藝流程

    FinFET(鰭場效應晶體管)從平面晶體管FinFET的演變是一種先進的
    的頭像 發(fā)表于 02-17 14:15 ?2373次閱讀
    鰭<b class='flag-5'>式</b>場效應<b class='flag-5'>晶體管</b>制造工藝流程

    互補場效應晶體管的結構和作用

    隨著半導體技術不斷逼近物理極限,傳統(tǒng)的平面晶體管(Planar FET)、鰭場效應晶體管FinFET)從平面
    的頭像 發(fā)表于 01-24 10:03 ?4299次閱讀
    <b class='flag-5'>互補</b>場效應<b class='flag-5'>晶體管</b>的結構和作用

    BJT晶體管的工作原理

    BJT(Bipolar Junction Transistor)是雙極結型晶體管的縮寫,是一種三端有源器件,通過控制基區(qū)電流來控制集電區(qū)電流,從而實現(xiàn)電流的放大、調節(jié)和開關等功能。BJT的工作原理
    的頭像 發(fā)表于 12-31 16:11 ?5544次閱讀