chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

存儲器的特性和六大種類

如意 ? 來源:CSDN ? 作者:EDA365???? ? 2020-06-19 17:05 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

存儲器:用來存放計算機(jī)中的所有信息:包括程序、原始數(shù)據(jù)、運算的中間結(jié)果及最終結(jié)果等。

只讀存儲器(ROM):只讀存儲器在使用時,只能讀出而不能寫入,斷電后ROM中的信息不會丟失。因此一般用來存放一些固定程序,如監(jiān)控程序、子程序、字庫及數(shù)據(jù)表等。ROM按存儲信息的方法又可分為以下幾種:

1、掩膜ROM:

掩膜ROM也稱固定ROM,它是由廠家編好程序?qū)懭隦OM(稱固化)供用戶使用,用戶不能更改內(nèi)部程序,其特點是價格便宜。

2、可編程的只讀存儲器(PROM):

它的內(nèi)容可由用戶根據(jù)自已所編程序一次性寫入,一旦寫入,只能讀出,而不能再進(jìn)行更改,這類存儲器現(xiàn)在也稱為OTP(Only Time Programmable)。

3、可改寫的只讀存儲器EPROM:

前兩種ROM只能進(jìn)行一次性寫入,因而用戶較少使用,目前較為流行的ROM芯片為EPROM。因為它的內(nèi)容可以通過紫外線照射而徹底擦除,擦除后又可重新寫入新的程序。

4、可電改寫只讀存儲器(EEPROM):

EEPROM可用電的方法寫入和清除其內(nèi)容,其編程電壓和清除電壓均與微機(jī)CPU的5V工作電壓相同,不需另加電壓。它既有與RAM一樣讀寫操作簡便,又有數(shù)據(jù)不會因掉電而丟失的優(yōu)點,因而使用極為方便?,F(xiàn)在這種存儲器的使用最為廣泛。

5、隨機(jī)存儲器(RAM):

這種存儲器又叫讀寫存儲器。它不僅能讀取存放在存儲單元中的數(shù)據(jù),還能隨時寫入新的數(shù)據(jù),寫入后原來的數(shù)據(jù)就丟失了。斷電后RAM中的信息全部丟失。因些,RAM常用于存放經(jīng)常要改變的程序或中間計算結(jié)果等信息。

RAM按照存儲信息的方式,又可分為靜態(tài)和動態(tài)兩種。

①靜態(tài)SRAM:其特點是只要有電源加于存儲器,數(shù)據(jù)就能長期保存。

②動態(tài)DRAM:寫入的信息只能保存若干ms時間,因此,每隔一定時間必須重新寫入一次,以保持原來的信息不變。

6、可現(xiàn)場改寫的非易失性存儲器:

這種存儲器的特點是:從原理上看,它們屬于ROM型存儲器,從功能上看,它們又可以隨時改寫信息,作用又相當(dāng)于RAM。所以,ROM、RAM的定義和劃分已逐漸的失去意義。

①快擦寫存儲器(FLASH)

這種存儲器是在EPROM和EEPROM的制造基礎(chǔ)上產(chǎn)生的一種非易失性存儲器。其集成度高,制造成本低于DRAM,既具有SRAM讀寫的靈活性和較快的訪問速度,又具有ROM在斷電后可不丟失信息的特點,所以發(fā)展迅速。

②鐵電存儲器FRAM

它是利用鐵電材料極化方向來存儲數(shù)據(jù)的。它的特點是集成度高,讀寫速度快,成本低,讀寫周期短。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 存儲器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    39

    文章

    7753

    瀏覽量

    172148
  • Flash存儲器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    4

    文章

    106

    瀏覽量

    26934
  • 華秋DFM
    +關(guān)注

    關(guān)注

    20

    文章

    3516

    瀏覽量

    6523
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    六大非隔離DCDC變換基本結(jié)構(gòu)

    BUCK:BOOST:BUCK-BOOST:上述三者之間隱含的關(guān)系:BOOST-BUCK(Cuk):Sepic(對Cuk電路的輸出端進(jìn)行改造):Zeta(對Cuk電路的輸輸入端進(jìn)行改造):六大非隔離
    的頭像 發(fā)表于 04-17 11:03 ?64次閱讀
    <b class='flag-5'>六大</b>非隔離DCDC變換<b class='flag-5'>器</b>基本結(jié)構(gòu)

    sram存儲器是什么,sram存儲芯片選型要點

    在半導(dǎo)體存儲芯片領(lǐng)域,SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器)一直以高速、低延遲的特性占據(jù)著獨特位置。與需要不斷刷新的DRAM不同,SRAM采用4T或6T晶體管構(gòu)成的雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)結(jié)構(gòu),只要通電就
    的頭像 發(fā)表于 04-14 15:07 ?138次閱讀

    通用SPI接口的NOR Flash存儲器特性

    在嵌入式系統(tǒng)設(shè)計中,NOR Flash存儲器憑借其快速讀取和可靠的數(shù)據(jù)存儲能力,成為代碼存儲與直接執(zhí)行(XIP)的核心器件。英尚代理推出的一款適合工業(yè)級應(yīng)用的SPI接口NOR Flash芯片
    的頭像 發(fā)表于 04-07 15:15 ?105次閱讀

    串行mram磁性隨機(jī)存儲器的工作原理與存儲機(jī)制

    存儲器技術(shù)不斷演進(jìn)的今天,MRAM磁性隨機(jī)存儲器憑借其獨特的非易失性、高速讀寫與高耐久性,正成為越來越多高端應(yīng)用場景的理想選擇。尤其是串行MRAM磁性隨機(jī)存儲器,通過精簡的接口設(shè)計與靈活的集成方式,進(jìn)一步拓展了MRAM在嵌入式
    的頭像 發(fā)表于 03-30 16:27 ?193次閱讀
    串行mram磁性隨機(jī)<b class='flag-5'>存儲器</b>的工作原理與<b class='flag-5'>存儲</b>機(jī)制

    PG-1000脈沖發(fā)生在非易失性存儲器(NVM)及MOSFET測試的應(yīng)用

    一、文檔概述本文聚焦非易失性存儲器(NVM)單元表征與MOSFET晶體管測試的核心技術(shù),介紹關(guān)鍵存儲類型、測試痛點及適配測試儀器,為相關(guān)電子元件研發(fā)與檢測提供技術(shù)參考。二、核心存儲與測試相關(guān)內(nèi)容(一
    發(fā)表于 03-09 14:40

    【案例5.1】存儲器選型的考慮要點

    【案例5.1】存儲器選型的考慮要點某設(shè)計,用戶接口數(shù)據(jù)傳輸速率為10Gbps,每8個字節(jié)的數(shù)據(jù)對應(yīng)一次查表需求,數(shù)據(jù)表存儲在由DDR4SDRAM組成的存儲器中。工程師需綜合考慮各方面要求,進(jìn)行
    的頭像 發(fā)表于 03-04 17:20 ?405次閱讀
    【案例5.1】<b class='flag-5'>存儲器</b>選型的考慮要點

    VTI低功耗SRAM存儲器VTI508HB08

    VTI SRAM存儲器在現(xiàn)代芯片設(shè)計中的關(guān)鍵作用日益凸顯,尤其在高性能微處理中,其低功耗與高速特性已成為提升系統(tǒng)能效的關(guān)鍵。隨著半導(dǎo)體工藝持續(xù)升級,存儲器在整體芯片功耗中所占比例顯著
    的頭像 發(fā)表于 02-09 14:41 ?263次閱讀

    FIFO存儲器種類、IP配置及應(yīng)用

    FIRST IN FIRST OUT (先入先出)。顧名思義,F(xiàn)IFO是一個數(shù)據(jù)具有先進(jìn)先出的存儲器。
    的頭像 發(fā)表于 01-13 15:15 ?574次閱讀
    FIFO<b class='flag-5'>存儲器</b>的<b class='flag-5'>種類</b>、IP配置及應(yīng)用

    瑞薩RA系列FSP庫開發(fā)實戰(zhàn)指南之常用存儲器介紹

    存儲器是計算機(jī)結(jié)構(gòu)的重要組成部分。存儲器是用來存儲程序代碼和數(shù)據(jù)的部件,有了存儲器計算機(jī)才具有記憶功能。基本的存儲器
    的頭像 發(fā)表于 01-12 06:21 ?7379次閱讀
    瑞薩RA系列FSP庫開發(fā)實戰(zhàn)指南之常用<b class='flag-5'>存儲器</b>介紹

    雙口SRAM靜態(tài)隨機(jī)存儲器存儲原理

    在各類存儲設(shè)備中,SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存儲器)因其高速、低功耗和高可靠性,被廣泛應(yīng)用于高性能計算、通信和嵌入式系統(tǒng)中。其中,雙口SRAM靜態(tài)隨機(jī)存儲器憑借其獨特的雙端口設(shè)計,在高帶寬和多任務(wù)場景中表現(xiàn)尤為出色,成為提升系統(tǒng)效率的重
    的頭像 發(fā)表于 11-25 14:28 ?757次閱讀

    芯源的片上存儲器介紹

    片上FLASH 閃存由兩部分物理區(qū)域組成:主FLASH 存儲器和啟動程序存儲器。 ●● 主 FLASH 存儲器,共 64KB,地址空間為 0x0000 0000 - 0x0000 FFFF。該區(qū)
    發(fā)表于 11-12 07:34

    Everspin存儲器8位并行總線MRAM概述

    在需要高速數(shù)據(jù)寫入與極致可靠性的工業(yè)與數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中,Everspin推出的8位位并行接口MRAM樹立了性能與耐用性的新標(biāo)桿。這款Everspin存儲器MRAM與SRAM引腳兼容的存儲器,以高達(dá)35
    的頭像 發(fā)表于 10-24 16:36 ?796次閱讀

    QSPI PSRAM偽靜態(tài)隨機(jī)存儲器選型攻略

    QSPI PSRAM是一種集成了QSPI接口與PSRAM存儲功能的高效芯片。QSPI(四線串行外設(shè)接口)是一種高速串行通信接口,用于連接外部設(shè)備;而PSRAM(偽靜態(tài)隨機(jī)存儲器)則結(jié)合了快速隨機(jī)訪問與動態(tài)存儲
    的頭像 發(fā)表于 10-23 15:40 ?721次閱讀

    FeRAM存儲器在光伏逆變器中的應(yīng)用優(yōu)勢

    隨著全球二氧化碳減排的推進(jìn),可再生能源,尤其是太陽能發(fā)電的重要性日益凸顯。光伏逆變器又稱功率調(diào)節(jié)可將太陽能板產(chǎn)生的電壓轉(zhuǎn)換成正確的電流及電壓波形并入電網(wǎng)。由于需要連接到電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施,因此對可靠性、易維護(hù)性和使用壽命有所要求,F(xiàn)eRAM(鐵電體存儲器)的優(yōu)異
    的頭像 發(fā)表于 08-08 14:41 ?1773次閱讀
    FeRAM<b class='flag-5'>存儲器</b>在光伏逆變器中的應(yīng)用優(yōu)勢

    簡單認(rèn)識高帶寬存儲器

    HBM(High Bandwidth Memory)即高帶寬存儲器,是一種基于 3D 堆疊技術(shù)的高性能 DRAM(動態(tài)隨機(jī)存取存儲器)。其核心設(shè)計是通過硅通孔(TSV)和微凸塊(Microbump
    的頭像 發(fā)表于 07-18 14:30 ?5357次閱讀