FRAM器件提供非易失性存儲，用10年的數(shù)據(jù)保存時間，在與熟悉的閃存和EEPROM替代所需的功率的一小部分。利用現(xiàn)有的基于FRAM存儲器和MCU器件，工程師們可以放心地在他們盡管間歇性的斷電操作多年，并長期保持數(shù)據(jù)的能力建立這些強大的設備進入低功耗能量收集應用程序。

設備配置

設計人員可以找到FRAM存儲器支持并行，SPI串行或I2C / 2線串行接口。例如，連同其平行的1Mb MB85R1001A FRAM，富士通1MB的SPI串行器，MB85RS1MT，使設計人員能夠采用典型的SPI主/從配置（圖1）設備的任意數(shù)字。除了在較低的電源電壓比他們的同行并行操作，串行FRAM器件還提供了適用于空間受限的設計更小的封裝選項。例如，ROHM半導體32K SPI串行MR45V032A是在8引腳塑料小外形封裝（SOP）只有0.154測量“和3.90毫米寬度可用。

富士通MB85RS1MT的圖像

圖1：設備，如富士通MB85RS1MT允許使用熟悉的主/從配置為SPI-配備的MCU - 或使用使用設備的SI和SO端口，用于非基于SPI的設計，簡單的總線連接解決方案。

FRAM技術的優(yōu)勢擴展到微控制器，如德州儀器MSP430FR MCU系列具有片上FRAM。在微控制器，F(xiàn)RAM的高速運行速度整體處理，允許寫入非易失性存儲器進行全速而不是強迫MCU進入等待狀態(tài)或阻塞中斷。 TI的FRAM微控制器系列的延伸，如MSP430FR5739其全功能MSP430FR5969系列設備。最小的設備在MSP430系列中，MSP430FR5739是一個24引腳2×2芯片尺寸的球柵陣列（DSBGA）可用，但包括5個定時器，一個12通道10位ADC，以及直接存儲器存取（DMA）用于最小化在主動模式下的時間。

TI的MSP430FR5969是該公司低功耗MCU具有實質(zhì)性芯片F(xiàn)RAM存儲（圖2）。在主動模式下，MCU僅需要為100μA/ MHz有源模式電流和450 nA的待機模電流與實時時鐘（RTC）啟用。在這一系列的設備包括一個全面的外設和一個16通道12位模擬 - 數(shù)字轉換器（ADC），其能夠單層或差分輸入操作。這些MCU還配備了256位高級加密標準（AES）加速器和知識產(chǎn)權（IP）封裝模塊，用于保護關鍵數(shù)據(jù)。

德州儀器MSP430FR5969 MCU的圖像

圖2：德州儀器MSP430FR5969 MCU結合周邊的全套帶有片上FRAM存儲器，而只需要100μA/ MHz有源模式電流和顯著少帶了多個低功耗模式（LPM）。