我國一站式IP定制芯片企業(yè)芯動科技（INNOSILICON）近日宣布：已完成全球首個基于中芯國際FinFET N+1先進工藝的芯片流片和測試，所有IP全自主國產(chǎn)，功能一次測試通過。 芯動科技擁有自主全系列高帶寬高性能計算IP技術(shù)，曾多次在芯片先進工藝上填補國內(nèi)空白。自2019年開始，芯動科技在中芯國際“N+1”工藝尚待成熟的情況下，技術(shù)團隊全程攻堅克難，投入數(shù)千萬元進行優(yōu)化設(shè)計，基于中芯國際“N+1”制程的首款芯片經(jīng)過持續(xù)數(shù)月、連續(xù)多輪的測試迭代，成功助力中芯國際突破“N+1”工藝良率瓶頸，從而向著實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)邁出了堅實一步。

在今年3月底，中芯國際也表示，先進工藝正是中芯國際今年發(fā)展的重點，接下來該公司會轉(zhuǎn)向下一代工藝——N+1及N+2代FinFET工藝的研發(fā)。 2019年初，中芯國際投資額達100億美元，完成中芯國際南方FinFET晶圓廠的建設(shè)，該晶圓廠將用于領(lǐng)先的制造技術(shù)，并將在設(shè)備中投入使用。一旦該晶圓廠準(zhǔn)備投入商業(yè)運營，中芯國際將能夠使用其14nm和N＋1 FinFET制造技術(shù)來提高芯片產(chǎn)量。 在2019年第四季度，中芯國際首次開始使用其14 nm FinFET制造工藝開始大規(guī)模生產(chǎn)芯片。由于只有很少的公司設(shè)法開發(fā)了依賴于此類晶體管的制造工藝，因此中芯國際的FinFET生產(chǎn)線比其他代工廠要小得多。中芯國際的前代制造技術(shù)為28nm，因此14nm工藝切實提高了晶體管的密度，提高了性能，并降低了功耗，這自然使該公司能夠生產(chǎn)出更復(fù)雜，更昂貴的芯片，而這些芯片原本可以外包給更大的競爭對手，加之國內(nèi)對少數(shù)公司開發(fā)了依賴于此類晶體管的制造工藝，中心國際的芯片競爭優(yōu)勢并不顯著。 從那時起，該公司一直在努力開發(fā)其下一個主要節(jié)點，稱為N +1。該技術(shù)具有與競爭性7 nm工藝技術(shù)相當(dāng)?shù)哪承┕δ?，但中芯國際希望明確表明N + 1不是7nm制程工藝。 與中芯國際的14 nm制程技術(shù)相比，N + 1將功耗降低了57％，性能提高了20％，邏輯面積減少了63％。盡管此過程使芯片設(shè)計人員能夠使SoC變得更小，更節(jié)能，但適度的性能改進無法使N + 1與競爭對手的7nm技術(shù)及其派生產(chǎn)品競爭。因此，中芯國際將其N + 1定位為便宜的芯片技術(shù)。 中芯國際發(fā)言人說：“我們對N + 1的目標(biāo)是低成本應(yīng)用，與7nm相比，它可以將成本降低約10％。因此，這是一個非常特殊的應(yīng)用?！?值得一提的是，中芯國際的N + 1沒有使用極端紫外光刻（EUVL），因此制造商無需從ASML購買其他昂貴的設(shè)備。但這并不是說該公司尚未考慮EUV（該公司確實獲得了EUV逐步掃描系統(tǒng)），但尚未安裝。據(jù)悉，中芯國際的N + 2將使用EUV。

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原文標(biāo)題：全自主國產(chǎn) | 基于中芯國際N+1先進工藝的芯片流片和測試完成

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