目前，在建筑物早期火災(zāi)監(jiān)測(cè)和報(bào)警上，還是一直沿用有線(xiàn)網(wǎng)絡(luò)的方式，其線(xiàn)路遍布在建筑內(nèi)，初裝成本高，同時(shí)線(xiàn)路本身也是很大的火災(zāi)隱患。因而新型的無(wú)線(xiàn)火災(zāi)監(jiān)測(cè)系統(tǒng)應(yīng)運(yùn)而生，該系統(tǒng)安裝方便、快捷，且其成本更為低廉，有更大的應(yīng)用空間。微控制器是火災(zāi)監(jiān)測(cè)系統(tǒng)的核心部件之一，通用的微處理器和微控制器不能滿(mǎn)足無(wú)線(xiàn)火災(zāi)監(jiān)測(cè)系統(tǒng)中節(jié)點(diǎn)主控芯片低功耗、低成本的要求。

為了掌握無(wú)線(xiàn)火災(zāi)監(jiān)測(cè)系統(tǒng)的核心技術(shù)，建立擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的軟硬件平臺(tái)，推動(dòng)我國(guó)無(wú)線(xiàn)火災(zāi)監(jiān)測(cè)系統(tǒng)的發(fā)展，有必要開(kāi)發(fā)出針對(duì)無(wú)線(xiàn)火災(zāi)監(jiān)測(cè)系統(tǒng)的微處理器。本文完成了一款專(zhuān)用于火災(zāi)檢測(cè)系統(tǒng)的微控制器芯片的物理設(shè)計(jì)。

1 SW-A芯片的架構(gòu)

SW-A芯片是一款基于ARM Cortex-M0的專(zhuān)于無(wú)線(xiàn)火災(zāi)檢測(cè)系統(tǒng)的專(zhuān)用數(shù)?；旌闲?a target="_blank">控制器芯片，總線(xiàn)采用AMBA AHB、APB 雙總線(xiàn)架構(gòu)，工作頻率最高可達(dá)50 MHz，支持多級(jí)內(nèi)部分頻，待機(jī)狀態(tài)下也可以極低的頻率運(yùn)行；內(nèi)置一個(gè)高采樣率的12位逐次逼近的8通道ADC，最多可依次對(duì)來(lái)自8個(gè)傳感器（如溫度傳感器、煙霧傳感器、光強(qiáng)傳感器等）的信號(hào)直接進(jìn)行采樣、轉(zhuǎn)換、保存，檢測(cè)主程序可任意讀取目標(biāo)傳感器對(duì)應(yīng)的采樣數(shù)據(jù)進(jìn)行處理、判斷是否發(fā)生火災(zāi)。

內(nèi)置18 KBSRAM，可靈活切換作為FLASH、RAM使用，滿(mǎn)足火災(zāi)監(jiān)測(cè)和簡(jiǎn)易處理程序的存儲(chǔ)。支持ISP（在系統(tǒng)編程）操作和IAP（在應(yīng)用編程）操作，既便于火災(zāi)監(jiān)測(cè)主程序的更新升級(jí)，又便于軟件編寫(xiě)優(yōu)化。接口包括工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的UART 接口、SSI 通信接口（支持SPI、MicroWire 及SSI 協(xié)議），還有3 組（6 通道）PWM，豐富的接口和功能模塊使該款芯片在功能拓展方面有較大潛力。

2 SW-A芯片的物理設(shè)計(jì)

2.1 采用的物理設(shè)計(jì)流程

SW-A芯片的物理設(shè)計(jì)借助Synopsys公司的EDA工具IC Compiler 進(jìn)行，采用IC Compiler 典型的設(shè)計(jì)流程。基于臺(tái)積電（TSMC）180 nm CMOS工藝進(jìn)行。物理設(shè)計(jì)準(zhǔn)備就緒后（設(shè)計(jì)邏輯庫(kù)、設(shè)置物理庫(kù)、設(shè)置TLU-Plus相關(guān)文件以及設(shè)置讀入的門(mén)級(jí)網(wǎng)表與標(biāo)準(zhǔn)延時(shí)約束），即可開(kāi)始物理設(shè)計(jì)，依次完成設(shè)計(jì)規(guī)劃（Designplanning）、布局（Placement）、時(shí)鐘樹(shù)綜合（Clock tree Syn-thesis）、布線(xiàn)（Routing）直至設(shè)計(jì)完成（Chip Finish）。

2.2 設(shè)計(jì)規(guī)劃

設(shè)計(jì)規(guī)劃（Design Planning）是芯片物理設(shè)計(jì)中非常重要的一步；主要包括布圖規(guī)劃（Floorplan）電源規(guī)劃（Powerplant）。

通常情況下，在布局開(kāi)始之前，設(shè)計(jì)者往往需要花費(fèi)大量的時(shí)間來(lái)進(jìn)行布圖規(guī)劃（Floorplan）和電源規(guī)劃（powerplan），設(shè)計(jì)規(guī)劃的好壞直接決定芯片的功耗、標(biāo)準(zhǔn)單元的擁塞的、時(shí)序收斂、電源穩(wěn)定性等。所以設(shè)計(jì)規(guī)劃是整個(gè)物理設(shè)計(jì)過(guò)程中反復(fù)次數(shù)最多、手動(dòng)設(shè)計(jì)最多的一步。

布圖規(guī)劃（Floorplan）要完成IO 排布、PAD 擺放、Macro（包括模擬模塊、存儲(chǔ)單元等）的定位以及芯片的形狀、擁塞度（Congestion）和面積等的設(shè)定。作為一款面向用戶(hù)的控制芯片，IO 的排布必須綜合考慮用戶(hù)的需求與設(shè)計(jì)的要求，不同功能PAD 的縱橫向尺寸也不同。本文將縱橫兩向尺寸均較大的PAD置于芯片的南北兩邊，將單向尺寸較小的PAD 置于芯片的東西側(cè)且大尺寸邊朝向南北（見(jiàn)圖2（a）），相比較于將雙向尺寸均較大PAD 置芯片的四周（見(jiàn)圖2（b）），這樣的設(shè)計(jì)非常有效的減小了芯片的面積。

本芯片需要定位的Macro 有SRAM、ROM、ADC 以及ANALOG_TOP，本文綜合考慮它們與IO 的位置關(guān)系將它們定位于芯片的四周，這樣可以芯片中保留成片的空白區(qū)域來(lái)放置標(biāo)準(zhǔn)單元。為了保證Macro與PAD 及標(biāo)準(zhǔn)單元之間的互聯(lián)線(xiàn)，在每個(gè)Macro的四周這只一個(gè)空白區(qū)，這個(gè)區(qū)域內(nèi)任何情況不允許擺放標(biāo)準(zhǔn)單元。具體命令如下：

本芯片在放置標(biāo)準(zhǔn)單元和Macro 的核心區(qū)與PAD之間設(shè)計(jì)40 μm 的預(yù)留區(qū)，用于擺放電源環(huán)（PowerRing）及互聯(lián)走線(xiàn)。為防止標(biāo)準(zhǔn)單元重疊放置，用命令可保證標(biāo)準(zhǔn)單元只能置于高度大于10 μm 的通道內(nèi)。設(shè)置好芯片布圖規(guī)劃可使用命令creat_fp_placement進(jìn)行預(yù)布局。本芯片使用TSMC 180 nm 工藝設(shè)計(jì)生產(chǎn)，要求工作電壓為1.8 V，可容忍最大電壓波動(dòng)為±10%，所以本文在進(jìn)行電源規(guī)劃時(shí)，綜合考慮了芯片的供電需求、互聯(lián)線(xiàn)造成的電壓降（IR-Drop）及較小的電源網(wǎng)絡(luò)面積，設(shè)計(jì)了兩個(gè)電源環(huán)（Power ring）和縱橫各14條電源帶（Strap）。經(jīng)過(guò)分析電源網(wǎng)絡(luò)（Analyze Pow-er Network），本設(shè)計(jì)最大的IR-Drop 為29.7 mV.圖3（a）是芯片的設(shè)計(jì)規(guī)劃，圖3（b）是芯片的電壓降分布圖。

2.3 布局

布局（Placement）的好壞是決定芯片物理設(shè)計(jì)成敗的關(guān)鍵。布局的主要任務(wù)是完成設(shè)計(jì)中標(biāo)準(zhǔn)單元的擺放和修復(fù)建立時(shí)間（setup time）。布局正式開(kāi)始之前需使用命令check_physical_design命令檢查布局準(zhǔn)備是否完成，必須保證：所有Hard Macro 和IO 等的位置以固定；設(shè)計(jì)中所有邏輯pin和物理pin一一對(duì)應(yīng)；所有的邏輯單元都有與之對(duì)應(yīng)的物理單元；設(shè)計(jì)中所有單元的尺寸都已固定。為了方便互聯(lián)走線(xiàn)，在開(kāi)始擺放標(biāo)準(zhǔn)單元之前，可以將芯片內(nèi)特定區(qū)域設(shè)置為布局限制區(qū)（Place-ment Blockage）。ICC工具多種形式的限制，如禁止粗略布局時(shí)擺放標(biāo)準(zhǔn)單元、只允許布局優(yōu)化時(shí)擺放標(biāo)準(zhǔn)單元、只允許布線(xiàn)等；本設(shè)計(jì)中設(shè)置了多處布局限制區(qū)，以方便ADC、ANALOG_TOP 等與IO 之間的連線(xiàn)（見(jiàn)圖4（a））。

布局準(zhǔn)備就緒后可使用命令place_opt配合附加約束進(jìn)行布局，該命令執(zhí)行錯(cuò)略布局（coarse place）、高扇出網(wǎng)絡(luò)合成（high-fanout net synthesis）、物理優(yōu)化（physicaloptimization）直至合法化（legalization），由前三步確定單元的位置（見(jiàn)圖4（b）），通過(guò)合法化最終將標(biāo)準(zhǔn)單元正確的擺放在計(jì)算好的位置上（見(jiàn)圖4（c））。本文物理設(shè)計(jì)的具體命令如下：

要求工具對(duì)除關(guān)鍵時(shí)鐘路徑外的其他面積進(jìn)行修復(fù)，努力程度高，通過(guò)選項(xiàng)“-congestion”控制工具盡可能的降低芯片的擁塞度以便利后續(xù)布線(xiàn)，通過(guò)選項(xiàng)“-pow-er”控制工具優(yōu)化泄漏功耗、動(dòng)態(tài)功耗并且進(jìn)行低功耗布局。

完成布局后芯片的面積利用率如表1所示，擁塞度的集中在0.625~0.875之間，擁塞度適中，既沒(méi)有因?yàn)樾酒寐蔬^(guò)低而浪費(fèi)芯片面積，也不會(huì)因?yàn)閾砣冗^(guò)大而導(dǎo)致后續(xù)設(shè)計(jì)困難甚至重新設(shè)計(jì)。

2.4 時(shí)鐘樹(shù)綜合

時(shí)鐘樹(shù)綜合（Clock Tree Synthesis）的主要任務(wù)之一就是將時(shí)鐘偏差控制在可接受范圍內(nèi)，保證芯片高效無(wú)誤的工作。本芯片的時(shí)鐘樹(shù)綜合策略如下：時(shí)鐘樹(shù)的邏輯綜合（clock-cts）、時(shí)鐘樹(shù)的物理綜合（clock-psyn）以及時(shí)鐘樹(shù)的布線(xiàn)（clock-route）。時(shí)鐘樹(shù)的邏輯綜合階段只完成兩項(xiàng)工作：通過(guò)計(jì)算各條時(shí)鐘路徑上的延遲，得到需要插入緩沖器（buffer、inverter）的位置及尺寸（由-only_cts命令選項(xiàng)控制）；由于時(shí)鐘網(wǎng)絡(luò)的功耗占總功耗的比重非常大，所以在時(shí)鐘樹(shù)綜合時(shí)必須進(jìn)行功耗優(yōu)化（-power）此階段并不進(jìn)行布線(xiàn)。具體命令如下：

時(shí)鐘樹(shù)的物理綜合階段將插入的緩沖器擺放至準(zhǔn)確的位置，進(jìn)行RC提取，參照延遲約束文件（SDC）檢查時(shí)鐘網(wǎng)絡(luò)的的最大插入延遲、最小插入延遲、最大時(shí)鐘偏差以及最大轉(zhuǎn)換時(shí)間等并對(duì)設(shè)計(jì)中出現(xiàn)hold違反進(jìn)行修復(fù)，為了便利非時(shí)鐘網(wǎng)絡(luò)布線(xiàn)，此時(shí)需要增加-ar-ea_recovery選項(xiàng)，以減小連線(xiàn)面積，此階段依然對(duì)功耗進(jìn)行優(yōu)化。在完成時(shí)鐘樹(shù)布線(xiàn)時(shí)，本文采用arnoldi模型來(lái)精確計(jì)算時(shí)鐘樹(shù)的延時(shí)并15次循環(huán)迭代法進(jìn)行時(shí)鐘布線(xiàn)。表2是時(shí)鐘綜合前本設(shè)計(jì)的時(shí)序情況，顯而易見(jiàn)有多條關(guān)鍵路徑并存在較多建立時(shí)間違反；完成時(shí)鐘樹(shù)綜合后再進(jìn)行時(shí)鐘檢查，未發(fā)現(xiàn)時(shí)鐘違反，表示時(shí)鐘樹(shù)綜合完成。

2.5 布線(xiàn)與芯片完成

本文將布線(xiàn)及其優(yōu)化分開(kāi)來(lái)做，首先在初始布線(xiàn)階段完成全局布線(xiàn)（global routing）、詳細(xì)布線(xiàn)（detail rout-ing）和檢查與修正（search&repair），然后采用拓?fù)?a href="http://m.brongaenegriffin.com/v/tag/2562/" target="_blank">算法對(duì)布線(xiàn)進(jìn)行優(yōu)化，同時(shí)對(duì)電流漏功耗進(jìn)行優(yōu)化。為了防止天線(xiàn)效應(yīng)的發(fā)生，在芯片完成階段對(duì)芯片進(jìn)行了天線(xiàn)效應(yīng)修復(fù)設(shè)計(jì)，此時(shí)芯片中依然存在空白區(qū)域，需要填充filer 以滿(mǎn)足DRC 的要求。圖5 是該芯片的物理設(shè)計(jì)版圖，表3 是該芯片的面積與功耗，可見(jiàn)總面積為2 794 371.012 703 μm2，總功耗為11.635 4 mW.經(jīng)過(guò)仿真后證明芯片于50 MHz時(shí)鐘頻率下正常工作，滿(mǎn)足設(shè)計(jì)要求，證明本次設(shè)計(jì)是正確有效的。

3 結(jié)語(yǔ)

本文基于TSMC 180 nm 工藝完成了一款用于無(wú)線(xiàn)火災(zāi)監(jiān)測(cè)系統(tǒng)中的微處理器芯片的物理設(shè)計(jì)，采用不同策略分別完成芯片的布圖規(guī)劃、布局、時(shí)鐘樹(shù)綜合及布線(xiàn)等設(shè)計(jì)步驟后得到了該芯片的版圖及面積、功耗等報(bào)表，物理設(shè)計(jì)后芯片的各項(xiàng)設(shè)計(jì)指標(biāo)均滿(mǎn)足設(shè)計(jì)要求，證明了該芯片物理設(shè)計(jì)的正確性。

編輯：hfy