據(jù)報道，近日，陜西省2020年重點項目觀摩活動舉行。其中，在走進西安中，三星12英寸閃存芯片二期項目、西安奕斯偉硅產業(yè)基地一期項目等被提及。

據(jù)介紹，三星12英寸閃存芯片二期項目由三星（中國）半導體有限公司投資建設，總投資1010億元，新建一條12英寸3D V-NAND生產線。

項目二期2017年開工，預計2021年上半年建成投產，2022年完成全部投資并實現(xiàn)滿產。項目全部滿產后，三星西安公司閃存芯片產能將占三星電子全球產能的40%以上，年產值將突破1000億元，成為陜西省第一家千億級高科技制造業(yè)企業(yè)和全球規(guī)模最大的閃存芯片生產基地。

值得注意的是，三星高端存儲芯片二期第一階段項目在今年3月10日舉行產品下線上市儀式。

據(jù)當時西安新聞網(wǎng)報道，三星高端存儲芯片二期第一階段項目已具備量產能力，預計今年8月實現(xiàn)滿產；二期第二階段項目，投資80億美元，于2019年12月25日正式啟動，預計2021年上半年實現(xiàn)量產。

西安奕斯偉硅產業(yè)基地一期項目于2018年5月開工，由西安奕斯偉硅片技術有限公司投資建設，總投資30億元，項目致力于填補我國半導體行業(yè)大硅片制造的空白，研發(fā)生產12英寸（300mm）電子級硅拋光片和外延片，新建12 英寸硅片材料生產廠房、潔凈間及配套系統(tǒng)，第一階段產能達5萬片/月生產規(guī)模，最終計劃建成月產能100萬片、年產值超百億元的12英寸電子級硅材料企業(yè)。
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