三星電子近期為爭(zhēng)搶極紫外光（EUV）設(shè)備，高層頻頻傳出密訪ASML。繼三星電子副會(huì)長(zhǎng)李在镕（Lee Jae-yong）10月親自赴荷蘭拜會(huì)ASML執(zhí)行長(zhǎng)Peter Wennink后，又再度傳出Peter Wennink近期回訪三星，洽談EUV設(shè)備采購(gòu)事宜，展現(xiàn)三星要跟臺(tái)積電爭(zhēng)搶半導(dǎo)體先進(jìn)制程市場(chǎng)決心。

外電報(bào)導(dǎo)指出，Peter Wennink上周訪問(wèn)三星半導(dǎo)體，討論后續(xù)EUV設(shè)備供給及未來(lái)合作發(fā)展事項(xiàng)，且三星期許ASML加大EUV設(shè)備供貨力道，并討論次世代EUV設(shè)備開發(fā)項(xiàng)目。

據(jù)了解，李在镕早在10月就親赴荷蘭拜訪ASML，并傳出當(dāng)時(shí)目的就是為了希望ASML能夠加快EUV設(shè)備供給力道，因此本次ASML執(zhí)行長(zhǎng)Peter Wennink回訪三星實(shí)屬商業(yè)上的「禮尚往來(lái)」。

外電報(bào)導(dǎo)也指出，ASML目前已經(jīng)生產(chǎn)及接單的EUV設(shè)備大約落在70臺(tái)左右水準(zhǔn)，臺(tái)積電已經(jīng)獲得過(guò)半設(shè)備，三星才獲得10臺(tái)，雖然李在镕親自出訪ASML，也才多獲得9臺(tái)，僅接近臺(tái)積電當(dāng)初甫跨入EUV世代的水準(zhǔn)，使三星先進(jìn)制程晶圓供給量遠(yuǎn)低于臺(tái)積電。

供應(yīng)鏈指出，目前三星在7納米先進(jìn)制程當(dāng)中，僅有高通一家客戶使用到EUV設(shè)備，且在下半年才開始逐步量產(chǎn)，放量出貨時(shí)間點(diǎn)將落在2021年上半年，對(duì)比臺(tái)積電早在2020年初就開始量產(chǎn)7+納米制程，且下半年更全面供給蘋果5納米制程應(yīng)用處理器（AP），且2021年又有6納米制程將步入量產(chǎn)，顯示三星半導(dǎo)體先進(jìn)制程供給量遠(yuǎn)輸臺(tái)積電。

事實(shí)上，半導(dǎo)體邏輯制程技術(shù)進(jìn)入到7納米以下后，由于線寬過(guò)細(xì)，因此需要EUV設(shè)備做為曝光媒介，全球當(dāng)前進(jìn)入或計(jì)劃7納米世代的晶圓廠僅剩臺(tái)積電、三星及英特爾，且全球僅有ASML作為EUV設(shè)備的供給商，因此在EUV設(shè)備供給有限之時(shí)，ASML便成為三大晶圓代工廠的必爭(zhēng)之地。

除此之外，不僅邏輯晶圓制程需要EUV設(shè)備之外，就連未來(lái)量產(chǎn)DRAM也需要EUV設(shè)備，因此除了臺(tái)積電、三星及英特爾等晶圓廠爭(zhēng)搶EUV，后續(xù)包含美光、SK海力士也需要大量EUV設(shè)備，更讓ASML的EUV設(shè)備成為炙手可熱的產(chǎn)品，在邏輯芯片及DRAM量產(chǎn)等雙重壓力下，讓三星在EUV設(shè)備取得上有著不能輸?shù)膲毫Α?/p>

三星緊張為哪樁？

半導(dǎo)體微影設(shè)備大廠ASML搭上極紫外光（EUV）需求，2021年相關(guān)設(shè)備產(chǎn)能將上看45～50臺(tái)。設(shè)備業(yè)者傳出，臺(tái)積電就搶下當(dāng)中的30臺(tái)，剩下的才由英特爾、東芝及SK海力士及三星等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手分食，顯示三星勢(shì)必在2021年EUV設(shè)備數(shù)量上將搶輸臺(tái)積電，這也是三星高層為何少見(jiàn)親自出訪ASML的主要原因。

此外，在設(shè)備取得上三星為了追趕臺(tái)積電，傳出希望在次世代的高數(shù)值孔徑（high-numerical aperture，High-Na）技術(shù)上提前卡位，確保未來(lái)1納米、2納米制程設(shè)備供給充足。

據(jù)了解，在未來(lái)邏輯芯片及DRAM等制程都需要EUV情況下，EUV需求量將大幅增加，特別是在三星同時(shí)擁有邏輯芯片及DRAM制程等半導(dǎo)體產(chǎn)能供給需求下，EUV需求量更是龐大，這也是三星高層日前傳出親自出訪ASML的主要原因，不過(guò)礙于臺(tái)積電已經(jīng)先行卡位，就算ASML在2021年EUV設(shè)備供給想要加大供給力道給三星也無(wú)計(jì)可施。

不過(guò)，未來(lái)先進(jìn)半導(dǎo)體邏輯芯片制程將向下推進(jìn)到3納米、2納米，甚至是1納米制程，屆時(shí)EUV設(shè)備將會(huì)出現(xiàn)再度升級(jí)，其中高數(shù)值孔徑技術(shù)已經(jīng)被視為未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。

因此三星為了提前卡位布局高數(shù)值孔徑市場(chǎng)，也同步傳出三星有意聯(lián)手ASML開發(fā)次世代的EUV設(shè)備市場(chǎng)。根據(jù)ASML先前釋出訊息，高數(shù)值孔徑的EUV設(shè)備預(yù)計(jì)在2023年提出原型機(jī)，距離商用化至少仍有3年左右時(shí)間，因此未來(lái)三星是否能卡位成功，仍有待后續(xù)觀察。
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