中芯國(guó)際頭頂?shù)摹斑_(dá)摩克里斯之劍”，終究還是落下了。

12月20日晚，中芯國(guó)際正式對(duì)外確認(rèn)已被美國(guó)商務(wù)部列入“實(shí)體清單”。

中芯國(guó)際發(fā)布的公告中稱(chēng)，根據(jù)美國(guó)相關(guān)法律法規(guī)的規(guī)定，對(duì)用于10nm及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)品或技術(shù)，美國(guó)商務(wù)部會(huì)采取“推定拒絕”（Presumption of Denial）的審批政策進(jìn)行審核；同時(shí)公司為部分特殊客戶提供代工服務(wù)也可能受到一定限制。

Omdia芯片分析師何暉告訴時(shí)代財(cái)經(jīng)，中芯國(guó)際先進(jìn)芯片制造領(lǐng)域所需的海外合作廠商，幾乎都因此受到了波及。

被列入“實(shí)體清單”，中芯國(guó)際早有預(yù)期。今年9月份起，就有媒體爆料稱(chēng)，美國(guó)正計(jì)劃將中芯國(guó)際列入“實(shí)體清單”。據(jù)中芯國(guó)際公告顯示，該公司一直與美國(guó)商務(wù)部溝通，以期得到公平、公正的對(duì)待。但現(xiàn)在的結(jié)果顯示，美國(guó)政府延續(xù)了無(wú)端打壓中國(guó)科技企業(yè)的行徑。

這也意味著，在中芯國(guó)際，乃至中國(guó)芯片的研發(fā)上，一道壁壘已擋在了10nm的節(jié)點(diǎn)上。

12月21日，時(shí)代財(cái)經(jīng)致電中芯國(guó)際投資者關(guān)系部，相關(guān)負(fù)責(zé)人表示，一切以公告為準(zhǔn)。不過(guò)，該負(fù)責(zé)人向時(shí)代財(cái)經(jīng)透露，中芯國(guó)際新一代芯片技術(shù)FinFET N+1已研發(fā)成功，并進(jìn)行了小量試產(chǎn)。

10nm以下技術(shù)遭“卡脖子”

所謂“實(shí)體清單”，是美國(guó)商務(wù)部設(shè)立的出口管制條例。被列入“實(shí)體清單”的外國(guó)企業(yè)，美國(guó)將禁止本國(guó)企業(yè)在某些領(lǐng)域與其合作。

更為霸道的是，即使一家企業(yè)不是美國(guó)企業(yè)，但只要它與美國(guó)企業(yè)有合作，美國(guó)也會(huì)對(duì)其施壓，禁止其與“實(shí)體清單”上的企業(yè)來(lái)往。

今年6月，中芯國(guó)際在科創(chuàng)板上市時(shí)，其招股書(shū)便寫(xiě)明：“2019年5月，美國(guó)商務(wù)部將若干中國(guó)公司列入‘實(shí)體名單’……若干自美國(guó)進(jìn)口的半導(dǎo)體設(shè)備與技術(shù)，在獲得美國(guó)商務(wù)部行政許可之前，可能無(wú)法用于為若干客戶的產(chǎn)品進(jìn)行生產(chǎn)制造。”

而如今，輪到中芯國(guó)際自己被列入“實(shí)體清單”了。

“該事項(xiàng)對(duì)公司短期內(nèi)運(yùn)營(yíng)及財(cái)務(wù)狀況無(wú)重大不利影響?！敝行緡?guó)際在公告中表示。

據(jù)中芯國(guó)際2020年三季報(bào)顯示，公司的芯片收入中，技術(shù)節(jié)點(diǎn)在100nm以上的占38.6%，90nm～40nm的占46.4%，較先進(jìn)的28nm、14nm共占14.6%，剩余其他僅占0.4%。

也就是說(shuō)，即使中芯國(guó)際已成功研發(fā)14nm以下的先進(jìn)技術(shù)，目前也尚未大規(guī)模投產(chǎn)。而此次美國(guó)對(duì)中芯國(guó)際采取的措施，屬于更先進(jìn)的10nm以下產(chǎn)品或技術(shù)，尚未波及中芯國(guó)際的主營(yíng)芯片。

但美國(guó)商務(wù)部對(duì)中芯國(guó)際采取的措施，如同一道無(wú)形的壁壘，橫擋在了10nm的位置。

12月21日，中芯國(guó)際投資人關(guān)系部相關(guān)負(fù)責(zé)人告訴時(shí)代財(cái)經(jīng)，其新一代芯片技術(shù)FinFET N+1技術(shù)已研發(fā)成功，并進(jìn)行小量試產(chǎn)。

此前10月12日，與中芯國(guó)際合作的芯動(dòng)科技也宣布，公司已完成FinFET N+1先進(jìn)工藝的芯片流片和測(cè)試，所有IP全自主國(guó)產(chǎn)，功能一次測(cè)試通過(guò)。

創(chuàng)道投資咨詢總經(jīng)理、天津集成電路行業(yè)協(xié)會(huì)顧問(wèn)步日欣認(rèn)為，F(xiàn)inFET N+1已經(jīng)可以對(duì)應(yīng)7nm制程。而業(yè)界中即使比較保守的觀點(diǎn)，也認(rèn)為FinFET N+1優(yōu)于10nm。

根據(jù)這種判斷，F(xiàn)inFET N+1將在生產(chǎn)上受到美國(guó)的限制?！皩?shí)體清單一出，F(xiàn)inFET N+1芯片就被卡脖子了。”步日欣對(duì)時(shí)代財(cái)經(jīng)說(shuō)。

另尋出路

芯片制造是一個(gè)龐大的工程，涉及到多個(gè)步驟。一顆芯片的制造，首先需要由晶圓廠從原料中提取出單晶硅、切割成一片片晶圓；然后由芯片設(shè)計(jì)公司提供設(shè)計(jì)藍(lán)圖。中芯國(guó)際等芯片代工廠，利用供應(yīng)商提供的晶圓，按照芯片設(shè)計(jì)藍(lán)圖，把芯片制造出來(lái)。

芯片制造本身也大有學(xué)問(wèn)。晶圓表面要先附上刻有電路紋路的光刻膠，然后光刻機(jī)再在其上進(jìn)行刻蝕，刻蝕完畢后，再利用特有的光刻膠清除劑，將光刻膠去除?？躺想娐返男酒詈筮€需要進(jìn)行封裝，使芯片與外部器件實(shí)現(xiàn)連接。

掩模制作、切片、擴(kuò)散、光刻、刻蝕、離子注入……每個(gè)步驟背后都是一整條產(chǎn)業(yè)鏈。目前這些產(chǎn)業(yè)鏈大部分都被海外廠商壟斷，而這些廠商大多與美國(guó)企業(yè)合作，在美國(guó)商務(wù)部的威逼下，這些廠商或?qū)㈦y以跟中芯國(guó)際保持合作。

其中最主要的莫過(guò)于光刻機(jī)。前瞻產(chǎn)業(yè)研究院的一份分析報(bào)告顯示，荷蘭的ASML占據(jù)了2019年全球光刻機(jī)市場(chǎng)份額的75%，日本的尼康和佳能合計(jì)占據(jù)19%。

ASML還壟斷了最先進(jìn)的第五代光刻機(jī)技術(shù)，22nm～7nm的芯片制造，都需要從ASML進(jìn)口光刻機(jī)。

在半導(dǎo)體光刻膠上，中國(guó)工廠也嚴(yán)重依賴進(jìn)口。半導(dǎo)體光刻膠基本為日本企業(yè)壟斷，日本合成橡膠（JSR）、東京應(yīng)化（TOK）、住友化學(xué)、信越化學(xué)四家日企，在全球光刻膠市場(chǎng)份額接近8成。

芯片設(shè)計(jì)就更不必說(shuō)，全球收入前三的博通、高通和英偉達(dá)，全部都是美國(guó)企業(yè)。但在這個(gè)領(lǐng)域，中芯國(guó)際已可以跟同被列入“實(shí)體清單”的華為海思合作。

步日欣告訴時(shí)代財(cái)經(jīng)，海思在芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域已實(shí)現(xiàn)國(guó)際較高水平：“之前華為在臺(tái)積電流片，麒麟9000處理器的工藝制程是5nm?！?/p>

如今來(lái)看，中芯國(guó)際得另尋出路。步日欣認(rèn)為，中芯國(guó)際可能會(huì)轉(zhuǎn)向往先進(jìn)封裝和chiplet技術(shù)發(fā)力，通過(guò)三維封裝的方式，提高單位面積的晶體管數(shù)量。

其向時(shí)代財(cái)經(jīng)分析，蔣尚義回歸中芯國(guó)際任職副董事長(zhǎng)，一定程度上也與公司被列入“實(shí)體清單”有關(guān)：“他（蔣尚義）向來(lái)是推崇先進(jìn)封裝和chiplet工藝，可能也是下一步中芯國(guó)際戰(zhàn)略重點(diǎn)。”
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