近日，廣東省科學技術(shù)廳公示了2020年度省級工程技術(shù)研究中心動態(tài)評估結(jié)果。佛山市國星光電股份有限公司（簡稱“國星光電”）建設的廣東省光電子工程技術(shù)研究開發(fā)中心在動態(tài)評估中排名全市第二，獲評優(yōu)秀。

據(jù)悉，由國星光電組建的廣東省光電子工程技術(shù)研究開發(fā)中心于2004年被列入廣東省工程技術(shù)研究開發(fā)中心組建計劃，自建立以來，一直堅持研發(fā)和儲備核心技術(shù)，始終圍繞光電子工程技術(shù)領域的前沿創(chuàng)新技術(shù)、共性關(guān)鍵技術(shù)和基礎核心技術(shù)開展研發(fā)創(chuàng)新，在競爭日趨激烈的市場環(huán)境中立項了一批高附加值、富有前瞻性的項目，吸引和培養(yǎng)了一支優(yōu)秀的人才隊伍。2011年，廣東省光電子工程技術(shù)研究開發(fā)中心更榮獲“廣東省優(yōu)秀工程技術(shù)研究開發(fā)中心”稱號。

經(jīng)過十多年的沉淀，依托廣東省光電子工程技術(shù)研究開發(fā)中心，國星光電開拓并引領了LED尤其是顯示用LED的發(fā)展。2018年，公司中美兩地率先推出Mini LED IMD-M09產(chǎn)品，開啟了P0.X微顯示時代；2020年，國星光電首款Micro LED nStarⅠ——2.7英寸Micro LED透明全彩顯示模組重磅上市，并自主研發(fā)巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)，初步實現(xiàn)了250PPI以上紅/綠/藍單色轉(zhuǎn)移鍵合點亮，進一步推動LED超高清微顯示發(fā)展。與此同時，國星光電還將第三代半導體列入前瞻發(fā)展戰(zhàn)略方向，目前已制備出SiC雙面散熱模塊功能性樣品，并完成SiC/GaN分立器件封裝工藝路線，力爭為我國第三代半導體產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展添磚蓋瓦。 基于公司創(chuàng)新型戰(zhàn)略發(fā)展，國星光電研究院于今年正式成立，標志著以企業(yè)為主體、市場為導向、產(chǎn)學研深度融合的技術(shù)創(chuàng)新體系得到健壯發(fā)展，企業(yè)創(chuàng)新能力進一步提升，為實現(xiàn)公司做強做優(yōu)做大提供有力支撐。此外，公司更先后承擔或參與國家級科研項目28項，省部級項目55項，榮獲國家科學技術(shù)進步獎一等獎、國家科學技術(shù)進步獎二等獎、國家知識產(chǎn)權(quán)示范企業(yè)、廣東省科技進步一等獎、廣東省專利優(yōu)秀獎等榮譽獎項。 未來，國星光電將繼續(xù)以創(chuàng)新作為引領企業(yè)發(fā)展的第一動力，堅定不移地走“創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展”的道路，大力發(fā)展主導產(chǎn)業(yè)，積極探索新興領域，全面強化行業(yè)領先的優(yōu)勢地位，為中國LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展作出更大貢獻。

原文標題：國星光電省級工程中心獲評優(yōu)秀

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