在1月15日舉行的法人說(shuō)明會(huì)上，臺(tái)積電透露了公司3nm工藝的研發(fā)情況。在今年下半年，臺(tái)積電3nm工藝將進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，并在2022年下半年開(kāi)始批量生產(chǎn)。

臺(tái)積電提高了對(duì)2021年的資本支出目標(biāo)，為250到280億美元。其中，將近80%將用于3nm、5nm等先進(jìn)制程的研發(fā)，以保持臺(tái)積電在先進(jìn)工藝上的優(yōu)勢(shì)。

臺(tái)積電表示，3nm相較于5nm，將具備高達(dá)70%的邏輯密度增益、性能增益與能效增益分別為15%、30%。對(duì)于3nm工藝，臺(tái)積電顯得相當(dāng)有信心。

中芯國(guó)際蔣尚義潑來(lái)冷水

在近日舉行的第二屆中國(guó)芯創(chuàng)年會(huì)上，蔣尚義在回歸中芯國(guó)際后首次公開(kāi)演講，并指明了芯片行業(yè)未來(lái)發(fā)展方向。

蔣尚義表示，摩爾定律的進(jìn)展已接近物理極限，只有極少數(shù)需求量極大的產(chǎn)品，才能使用最先進(jìn)的硅工藝。而在即將到來(lái)的后摩爾時(shí)代里，先進(jìn)封裝與電路板技術(shù)是發(fā)展的趨勢(shì)。

因此，臺(tái)積電所追求的先進(jìn)工藝將逐漸不再適應(yīng)時(shí)代的發(fā)展，先進(jìn)封裝將成為后摩爾時(shí)代布局的技術(shù)。這對(duì)臺(tái)積電來(lái)說(shuō)，無(wú)疑是被潑了一盆冷水。

而為了適應(yīng)時(shí)代的發(fā)展，中芯國(guó)際將在先進(jìn)工藝、先進(jìn)封裝兩方面共同努力。

國(guó)產(chǎn)芯片有望彎道超車

先進(jìn)封裝，有望成為中國(guó)芯片超車的重要利器。

先進(jìn)封裝在新型系統(tǒng)級(jí)芯片的開(kāi)發(fā)中，愈來(lái)愈重要，正成為一種更可行的解決方案，是業(yè)界認(rèn)為一種可以超越摩爾定律極限的方式。

在先進(jìn)封裝上，芯片行業(yè)所追求的不再是更小的芯片尺寸，而是小芯片的排列組合，已達(dá)到不同的效果。

蔣尚義認(rèn)為，當(dāng)集成電路做到極致的時(shí)候，就應(yīng)該反過(guò)來(lái)研究整個(gè)系統(tǒng)。他認(rèn)為，封裝與電路板在先進(jìn)制程進(jìn)步愈發(fā)緩慢時(shí)，將成為制約整個(gè)系統(tǒng)的瓶頸。

因此，蔣尚義是先進(jìn)封裝堅(jiān)決的推崇者。

然而，梁孟松卻持不同觀點(diǎn)。目前先進(jìn)封裝的行業(yè)規(guī)模有限，梁孟松更愿意繼續(xù)朝著先進(jìn)工藝的方向發(fā)展。

這或許是為何，蔣尚義回歸之后，便傳出了梁孟松辭職的消息。這是梁孟松與蔣尚義的一場(chǎng)發(fā)展路線之爭(zhēng)。最終，中芯國(guó)際選擇從先進(jìn)工藝、先進(jìn)封裝兩方面共同推進(jìn)，這可以降低風(fēng)險(xiǎn)。

中芯國(guó)際的決定，為我國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)彎道超車帶來(lái)了希望，令人期待。
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