1月24日，蘇州納維科技有限公司（以下簡稱“納維科技”）總部大樓奠基儀式在蘇州納米城舉行。

項目占地面積超14000平方米，總建筑面積超34000平方米，將建設(shè)成為國際前三的氮化鎵（GaN）單晶襯底研發(fā)基地與高端產(chǎn)品生產(chǎn)基地，預計年產(chǎn)氮化鎵單晶襯底及外延片5萬片。

據(jù)蘇州納米城消息，該公司實現(xiàn)了2英寸氮化鎵單晶襯底的生產(chǎn)、完成了4英寸產(chǎn)品的工程化技術(shù)開發(fā)、突破了6英寸產(chǎn)品的關(guān)鍵核心技術(shù)，成為國內(nèi)唯一一家能夠同時批量提供2英寸高導電、半絕緣氮化鎵單晶的企業(yè)，產(chǎn)品性能國際領(lǐng)先，并先后獲得蘇州市首屆姑蘇雙創(chuàng)人才、園區(qū)首批科技領(lǐng)軍人才企業(yè)等榮譽。

納維科技董事長徐科表示，“我們將一如既往、繼續(xù)深耕細作，努力實踐每畝200萬元稅收的先行先試，打造出國際前三的GaN單晶襯底的研發(fā)基地與高端產(chǎn)品生產(chǎn)基地！”

目前，蘇州工業(yè)園區(qū)已培育了納維科技等一批創(chuàng)新勢頭強勁的企業(yè)，第三代半導體上、中、下游產(chǎn)業(yè)鏈規(guī)模初顯；集聚了全國80%的氮化鎵領(lǐng)域“國家級重點人才”，掌握了一批核心自主知識產(chǎn)權(quán)，已成為國內(nèi)最具影響力的人才和技術(shù)高地。

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