臺(tái)積電3nm工藝制程超過(guò)預(yù)期，進(jìn)度將會(huì)提前
在ISSCC 2021國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議上，臺(tái)積電聯(lián)席CEO劉德音公布了該公司的最新工藝進(jìn)展情況，指出3nm工藝超過(guò)預(yù)期，進(jìn)度將會(huì)提前。
不過(guò)劉德音沒(méi)有公布3nm工藝到底如何超前的，按照他們公布的信息，3nm工藝是今年下半年試產(chǎn)，2022年正式量產(chǎn)。
與三星在3nm節(jié)點(diǎn)激進(jìn)選擇GAA環(huán)繞柵極晶體管工藝不同，臺(tái)積電的第一代3nm工藝比較保守，依然使用FinFET晶體管。
與5nm工藝相比，臺(tái)積電3nm工藝的晶體管密度提升70%，速度提升11%，或者功耗降低27%。
不論是5nm還是3nm工藝，甚至未來(lái)的2nm工藝，臺(tái)積電表示EUV光刻機(jī)的重要性越來(lái)越高，但是產(chǎn)能依然是EUV光刻的難題，而且能耗也很高。
劉德音提到，臺(tái)積電已經(jīng)EUV光源技術(shù)獲得突破，功率可達(dá)350W，不僅能支持5nm工藝，甚至未來(lái)可以用于1nm工藝。
按照臺(tái)積電提出的路線圖，他們認(rèn)為半導(dǎo)體工藝也會(huì)繼續(xù)遵守摩爾定律，2年升級(jí)一代新工藝，而10年則會(huì)有一次大的技術(shù)升級(jí)。
責(zé)編AJX
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
臺(tái)積電
+關(guān)注
關(guān)注
44文章
5807瀏覽量
177013 -
先進(jìn)制程
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
93瀏覽量
9025 -
3nm
+關(guān)注
關(guān)注
3文章
238瀏覽量
15064
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
2nm“諸神之戰(zhàn)”打響！性能飆升+功耗驟降，臺(tái)積電攜聯(lián)發(fā)科領(lǐng)跑
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/莫婷婷）2025年，2nm制程正式開(kāi)啟全球半導(dǎo)體“諸神之戰(zhàn)”。就在近期，MediaTek（聯(lián)發(fā)科）宣布，首款采用臺(tái)積電
今日看點(diǎn)：臺(tái)積電敦促客戶預(yù)訂 2nm 制程產(chǎn)能；廣州再添兩大百億級(jí)半導(dǎo)體項(xiàng)目
臺(tái)積電敦促客戶預(yù)訂 2nm 制程產(chǎn)能 業(yè)內(nèi)報(bào)道稱臺(tái)積
臺(tái)積電擬投資170億，在日本建設(shè)3nm芯片工廠
據(jù)報(bào)道，全球最大的半導(dǎo)體代工制造商臺(tái)積電（TSMC）已最終確定在日本熊本縣量產(chǎn)3nm線寬的尖端半導(dǎo)體芯片的計(jì)劃。預(yù)計(jì)該項(xiàng)目投資額將達(dá)到170億美元。日本政府正致力于提升國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體制造能
1.4nm制程工藝！臺(tái)積電公布量產(chǎn)時(shí)間表
供應(yīng)一度面臨緊張局面。為應(yīng)對(duì)市場(chǎng)激增的訂單，臺(tái)積電已啟動(dòng)新建三座工廠的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，旨在進(jìn)一步提升產(chǎn)能，保障客戶供應(yīng)鏈的穩(wěn)定交付。 ? 與此同時(shí)，臺(tái)積
臺(tái)積電2納米制程試產(chǎn)成功，AI、5G、汽車(chē)芯片，誰(shuí)將率先受益？
與現(xiàn)行的3nm工藝相比，臺(tái)積電在2nm制程上首次采用
臺(tái)積電2納米制程試產(chǎn)成功，AI、5G、汽車(chē)芯片
又近了一大步。 ? ? 這一歷史性節(jié)點(diǎn)不僅意味著制程技術(shù)的再度跨越，也預(yù)示著未來(lái)AI、通信與汽車(chē)等核心領(lǐng)域即將迎來(lái)一場(chǎng)深刻的“芯革命”。 1、技術(shù)再突破 與現(xiàn)行的3nm工藝相比，臺(tái)
臺(tái)積電預(yù)計(jì)對(duì)3nm漲價(jià)！軟銀豪擲54億美元收購(gòu)ABB機(jī)器人部門(mén)/科技新聞點(diǎn)評(píng)
在十一黃金周和國(guó)慶假期后第一天工作日，科技圈接連發(fā)生三件大事：1、臺(tái)積電預(yù)計(jì)將對(duì)3nm實(shí)施漲價(jià)策略；2、日本巨頭軟銀宣布54億美元收購(gòu)ABB機(jī)器人部門(mén)；
看點(diǎn)：臺(tái)積電2納米N2制程吸引超15家客戶 英偉達(dá)擬向OpenAI投資1000億美元
。 不單是蘋(píng)果、聯(lián)發(fā)科、高通的手機(jī)芯片將會(huì)采用臺(tái)積電2nm制程，AMD、博通及谷歌、亞馬遜等客戶
臺(tái)積電2nm工藝突然泄密
據(jù)媒體報(bào)道，臺(tái)積電爆出工程師涉嫌盜取2納米制程技術(shù)機(jī)密，臺(tái)灣檢方經(jīng)調(diào)查后，向法院申請(qǐng)羈押禁見(jiàn)3名涉案人員獲準(zhǔn)。 據(jù)悉，由于
臺(tái)積電引領(lǐng)全球半導(dǎo)體制程創(chuàng)新，2納米制程備受關(guān)注
在全球半導(dǎo)體行業(yè)中，先進(jìn)制程技術(shù)的競(jìng)爭(zhēng)愈演愈烈。目前，只有臺(tái)積電、三星和英特爾三家公司能夠進(jìn)入3納米以下的先進(jìn)
臺(tái)積電Q2凈利潤(rùn)3982.7億新臺(tái)幣 暴增60% 創(chuàng)歷史新高
電在第二季度毛利率達(dá)到58.6％；營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率為49.6%，凈利率為42.7%。 在2025年第二季度，臺(tái)積電3納米
力旺NeoFuse于臺(tái)積電N3P制程完成可靠度驗(yàn)證
力旺電子宣布，其一次性可編程內(nèi)存（One-Time Programmable, OTP）NeoFuse已于臺(tái)積電N3P制程完成可靠度驗(yàn)證。N
臺(tái)積電2nm良率超 90%！蘋(píng)果等巨頭搶單
當(dāng)行業(yè)還在熱議3nm工藝量產(chǎn)進(jìn)展時(shí)，臺(tái)積電已經(jīng)悄悄把2nm技術(shù)推到了關(guān)鍵門(mén)檻！據(jù)《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道
臺(tái)積電先進(jìn)制程漲價(jià)，最高或達(dá)30%！
%，最高可能提高30%。 ? 今年1月初臺(tái)積電也傳出過(guò)漲價(jià)消息，將針對(duì)3nm、5nm等先進(jìn)制程技
發(fā)表于 05-22 01:09
?1331次閱讀
AMD實(shí)現(xiàn)首個(gè)基于臺(tái)積電N2制程的硅片里程碑
基于臺(tái)積電先進(jìn)2nm（N2）制程技術(shù)的高性能計(jì)算產(chǎn)品。這彰顯了AMD與臺(tái)
評(píng)論