去年年底，在一輪缺貨行情的推動(dòng)下，多類芯片如車用MCU、電源管理IC等的價(jià)格均出現(xiàn)上漲，然而在半導(dǎo)體細(xì)分產(chǎn)品中銷售占比最大的DRAM，價(jià)格卻一直保持穩(wěn)定，甚至在去年年中還有小幅下降。不過(guò)，美光科技執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官Sumit Sadana日前表示，2021年DRAM產(chǎn)業(yè)將受惠5G帶動(dòng)相關(guān)應(yīng)用，加上車用快速回溫，DRAM將供不應(yīng)求。韓國(guó)NH證券分析師也稱1月份的DRAM合約價(jià)格同比上漲了5%，這是自2020年5月以來(lái)的首次上漲。隨著價(jià)格上漲，DRAM產(chǎn)業(yè)有望在2021年掀起一輪新的競(jìng)爭(zhēng)。

DRAM市場(chǎng)有望觸底反彈

ICInsights近日發(fā)布2021年版《麥克林報(bào)告》（The McClean Report），預(yù)計(jì)DRAM將成為2021年增長(zhǎng)最快的產(chǎn)品領(lǐng)域之一，銷售額將增長(zhǎng)18%。值得注意的是，在2013年、2014年、2017年和2018年，DRAM均為增長(zhǎng)最快的半導(dǎo)體細(xì)分產(chǎn)品。而在經(jīng)過(guò)2019和2020的兩年調(diào)整之后，2021年DRAM市場(chǎng)有望迎來(lái)高增長(zhǎng)。

2021年IC市場(chǎng)增長(zhǎng)預(yù)測(cè)

集邦咨詢同樣表示，在歷經(jīng)超過(guò)兩個(gè)季度的庫(kù)存調(diào)整之后，2021年第一季度預(yù)計(jì)買方將開(kāi)始提高庫(kù)存水位，使DRAM的價(jià)格獲得支撐。整體DRAM的平均銷售單價(jià)將止跌回穩(wěn)，甚至有微幅上漲的可能。

來(lái)自存儲(chǔ)芯片廠商的信息同樣樂(lè)觀。SK海力士在財(cái)報(bào)會(huì)上預(yù)測(cè)，2021年企業(yè)在數(shù)據(jù)中心上的投資將推動(dòng)服務(wù)器用DRAM需求的增加。同時(shí)，2021年5G智能手機(jī)的出貨量將會(huì)擺脫新冠肺炎疫情的影響，推動(dòng)移動(dòng)端DRAM需求增長(zhǎng)。

其實(shí)，利基型（定制化、高毛利）DRAM的價(jià)格早有上漲。在供給吃緊下，利基型DRAM需求在去年第四季度便迎來(lái)調(diào)整，業(yè)者相繼漲價(jià)，部分現(xiàn)貨產(chǎn)品漲幅達(dá)到15%。據(jù)報(bào)道，2021年第一季度利基型DRAM的現(xiàn)貨價(jià)格漲幅進(jìn)一步擴(kuò)大至兩成。

1Q21 DRAM 價(jià)格預(yù)測(cè)表

之所以DRAM價(jià)格出現(xiàn)上漲，與2021年市場(chǎng)需求回暖有著重要關(guān)系。美光科技移動(dòng)產(chǎn)品事業(yè)部高級(jí)副總裁兼總經(jīng)理Raj Talluri表示，2021年，豐富的移動(dòng)應(yīng)用將產(chǎn)生海量的數(shù)據(jù)，對(duì)高帶寬、低功耗內(nèi)存（如LPDDR5）的需求不斷增長(zhǎng)，而低功耗內(nèi)存對(duì)于以低功耗實(shí)現(xiàn)計(jì)算密集型的應(yīng)用非常重要。未來(lái)幾年，人們將看到5G技術(shù)帶來(lái)新的、更優(yōu)化的遠(yuǎn)程醫(yī)療、遠(yuǎn)程學(xué)習(xí)和虛擬娛樂(lè)等應(yīng)用。而這些應(yīng)用都對(duì)內(nèi)存提出更高的需求。

美光科技企業(yè)副總裁兼消費(fèi)類產(chǎn)品和元件部門(mén)總經(jīng)理DineshBahal則看好VR、游戲等新興應(yīng)用對(duì)存儲(chǔ)市場(chǎng)的帶動(dòng)作用。“在未來(lái)幾年中，得益于5G網(wǎng)絡(luò)廣泛普及，以及下一代VR頭盔中嵌入式計(jì)算和內(nèi)存的推動(dòng)，我們預(yù)計(jì)VR將獲得廣泛應(yīng)用。這將使VR體驗(yàn)擺脫P(yáng)C束縛，為用戶提供高清、全沉浸式體驗(yàn)。隨著云計(jì)算和多人游戲的日益流行，PCIe將從小眾走向主流，其采用率將翻番。固態(tài)硬盤(pán)的平均容量將會(huì)翻倍，而隨著游戲玩家希望固態(tài)硬盤(pán)能夠帶來(lái)更好的性能和速度，傳統(tǒng)機(jī)械硬盤(pán)將被邊緣化，甚至被棄用?！盌inesh Bahal說(shuō)。

更重要的是，在需求增長(zhǎng)的同時(shí)，主要DRAM廠商三星、SK海力士和美光科技等庫(kù)存回到合理水位，原買盤(pán)趨緩的數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)開(kāi)始增備庫(kù)存，使得DRAM供應(yīng)吃緊，帶動(dòng)了DRAM合約價(jià)的提升。整體而言，集邦咨詢認(rèn)為，價(jià)格落底、產(chǎn)能趨緊等因素導(dǎo)致市場(chǎng)對(duì)于提前備貨的共識(shí)顯著提高。

DRAM 技術(shù)將有重大突破

隨著DRAM價(jià)格的企穩(wěn)回漲，新一輪競(jìng)爭(zhēng)也將在在2021年展開(kāi)。日前，美光科技宣布批量出貨基于1α（10-11nm） 節(jié)點(diǎn)的 DRAM產(chǎn)品。這是目前世界上最為先進(jìn)的DRAM 技術(shù)，在密度、功耗和性能等各方面均有重大突破。對(duì)比上一代的1z DRAM工藝，1α技術(shù)將內(nèi)存密度提升了40%。SK海力士經(jīng)營(yíng)支援擔(dān)當(dāng)兼CFO盧鐘元表示：“鑒于去年新冠肺炎疫情及國(guó)際貿(mào)易糾紛的激化，存儲(chǔ)器市況展現(xiàn)了較為低迷的趨勢(shì)。然而SK海力士成功保障了1z納米級(jí)DRAM及128層NAND閃存等主力產(chǎn)品的穩(wěn)定生產(chǎn)?！闭雇?021年的DRAM市場(chǎng)，SK海力士同樣計(jì)劃在年內(nèi)投資生產(chǎn)性更高的1α節(jié)點(diǎn)DRAM，以提高公司的成本競(jìng)爭(zhēng)力。另?yè)?jù)報(bào)道，SK海力士已開(kāi)始在韓國(guó)利川的M16工廠安裝EUV光刻機(jī)，為量產(chǎn)1α節(jié)點(diǎn)DRAM做準(zhǔn)備。海力士計(jì)劃從2021年起將EUV應(yīng)用于1αDRAM，2022年將EUV應(yīng)用于更新一代的1βDRAM。

在導(dǎo)入新技術(shù)的同時(shí)，三星、海力士和美光科技在投資擴(kuò)產(chǎn)上則持謹(jǐn)慎態(tài)度。據(jù)悉，三星2021年面向DRAM的資本支出計(jì)劃與2020年持平，但會(huì)將一些DRAM產(chǎn)線轉(zhuǎn)為圖像傳感器產(chǎn)線。這意味著，三星實(shí)際上削減了2021年的DRAM資本支出。SK海力士也同樣持保守態(tài)度，不會(huì)增加DRAM晶圓資本支出。加快新技術(shù)的導(dǎo)入，卻保持產(chǎn)能不會(huì)過(guò)快增長(zhǎng)，這為DRAM的價(jià)格上漲提供了基礎(chǔ)。

中國(guó)DRAM廠商或有大機(jī)會(huì)

DRAM市場(chǎng)回升也給中國(guó)DRAM帶來(lái)更多機(jī)會(huì)。IC Insights的報(bào)告顯示，2021年增長(zhǎng)最快的產(chǎn)品領(lǐng)域就是存儲(chǔ)，其中DRAM更是拔得頭籌，預(yù)計(jì)銷售額增長(zhǎng)18％。從本土存儲(chǔ)廠商的布局來(lái)看，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)于2019年第三季度成功量產(chǎn)19nm（1x）節(jié)點(diǎn)的DDR4/LPDDR4X芯片。預(yù)計(jì)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)接下來(lái)將推出17nm DDR5/LPDDR5等產(chǎn)品。集邦咨詢研究副總經(jīng)理郭祚榮在“2020-2021年全球內(nèi)存廠商晶圓投片量”中預(yù)估，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)2020年第一季度投片量為1萬(wàn)片/月，第四季度投片量已提升到4.5萬(wàn)片/月，至2021年第四季度，預(yù)計(jì)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的投片量將達(dá)到8.5萬(wàn)片/月。

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)晶圓投片量預(yù)估

此外，兆易創(chuàng)新于2月8日發(fā)布關(guān)于擬簽署框架采購(gòu)協(xié)議公告，預(yù)計(jì)2021年度采購(gòu)DRAM產(chǎn)品、產(chǎn)品聯(lián)合開(kāi)發(fā)平臺(tái)合作額度分別為3億美元、3000萬(wàn)元人民幣。兆易創(chuàng)新表示，預(yù)計(jì)上半年公司會(huì)有自研DRAM產(chǎn)品推出。兆易創(chuàng)新將研發(fā)1x（19nm、17nm）工藝下的DRAM技術(shù)，設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4系列DRAM芯片。

在這一輪市場(chǎng)趨漲的行情推動(dòng)下，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片無(wú)疑將有更多機(jī)會(huì)，更加容易進(jìn)入目標(biāo)市場(chǎng)。集微咨詢高級(jí)分析師陳躍楠認(rèn)為：“未來(lái)的3到5年十分關(guān)鍵。隨著5G驅(qū)動(dòng)下智能手機(jī)迎來(lái)?yè)Q機(jī)周期，智能手機(jī)的單機(jī)內(nèi)存搭載量提升，再疊加考慮服務(wù)器需求景氣度提高，下半年游戲機(jī)新產(chǎn)品帶來(lái)的增量需求，以及物聯(lián)網(wǎng)快速落地衍生出大量的終端需求，未來(lái)存儲(chǔ)行業(yè)需求容量增速有望提升。”
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