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解密AMD面向未來的小芯片設(shè)計

Felix分析 ? 來源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者:吳子鵬 ? 2021-10-08 08:11 ? 次閱讀
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電子發(fā)燒友報道(文/吳子鵬)Chiplet,小芯片,也被譯為芯粒,其核心思想是通過預(yù)先開發(fā)設(shè)計好的die直接集成到IC封裝中,以此來降低芯片開發(fā)的時間和成本。

目前主流的做法是,如果要打造一顆高性能的芯片,需要開發(fā)一個片上系統(tǒng)(SoC),然后借助晶圓代工廠的先進工藝將里面的功能單元微縮,在相同面積或者更小面積的裸片上實現(xiàn)更高的性能。很明顯,隨著特征尺寸逐漸逼近物理極限,且工藝復(fù)雜度越來越高,這條路越走下去難度會越大。

通俗地講,小芯片的方式就是像搭積木一樣制造芯片,AMD、英特爾、臺積電、Marvell、Cadence等產(chǎn)業(yè)巨頭對其都頗為關(guān)注,將其視為延續(xù)摩爾定律的選擇之一。在這里,我們看一下AMD在小芯片方面的布局。

可以說,業(yè)界如今對于小芯片的關(guān)注,AMD在其中起到了重要作用。小芯片概念最早可以追溯到上世紀(jì)七十年代的多芯片模組——將原來制造好的芯片再加以組裝。2014 年,芯片設(shè)計公司開始關(guān)注到這項技術(shù)。2016年,美國國防部高級研究計劃局Darpa 啟動Chips 項目,里面提到了chiplet Reuse的想法。但小芯片真正聲名鵲起還是因為AMD EYPC系列CPU的成功。

2017年,AMD 在其“Zen 2”架構(gòu)中使用小芯片來開發(fā)EYPC 服務(wù)器處理器“Naples”,根據(jù)當(dāng)時的AMD工程師表述,采用這樣的創(chuàng)新方式,比片上系統(tǒng)設(shè)計減少了一半的成本,并大幅降低了設(shè)計時間。隨后,AMD在消費級 CPU和企業(yè)級EPYC 處理器中都部署了“Zen 2”小芯片技術(shù)。

AMD在官網(wǎng)中提到,“Zen 2”核心在“Zen”架構(gòu)之上進行了重大更新。主要優(yōu)勢如下:
·時鐘周期指令數(shù)提升高達 15%
·3 級高速緩存容量翻倍(高達32MB)
·浮點吞吐能力翻倍(256位)
·OpCache 容量翻倍(4K)
·Infinity Fabric 帶寬翻倍(512位)
·全新的 TAGE 分支預(yù)測器

我們以Ryzen 3000為例來看一下這項技術(shù)的創(chuàng)新點。在之前片上系統(tǒng)的AMD CPU中,會使用四個Zen CPU 模塊,而在Ryzen 3000中,AMD采用了Zen 2核心,也就是8個小CPU核心,采用臺積電7nm工藝,并搭載了采用格芯14nm工藝的I/O 芯片,既保證了性能,又降低了成本。

通過采用7nm工藝的小CPU核心,AMD EPYC Rome 處理器擁有多達 8 個芯片,從而使平臺能夠支持多達 64 個內(nèi)核。目前,小芯片技術(shù)已經(jīng)廣泛大量應(yīng)用于AMD的EPYC服務(wù)器CPU和線程撕裂者桌面CPU產(chǎn)品中。

在CPU取得成功之后,AMD又計劃將小芯片技術(shù)引入到了GPU領(lǐng)域。半導(dǎo)體制造設(shè)備也有光罩尺寸限制,這實質(zhì)上造成了一個障礙,無法制造更大的 GPU,這讓后續(xù)單顆GPU芯片的性能提升非常困難。在專利中AMD提到,由于多數(shù)應(yīng)用是以單個GPU為前提打造的,所以為了保留現(xiàn)有的應(yīng)用編程模型,將小芯片設(shè)計實現(xiàn)在GPU上向來都是一大挑戰(zhàn)。

為了解決這一挑戰(zhàn),AMD使用高帶寬互連來促進小芯片之間的通信,AMD將這種交聯(lián)稱為 HBX。該方法具體的實現(xiàn)方式是將CPU連接到第一個GPU小芯片,并且用一個無源互連將L3緩存和小芯片之間的其他通道連接在一起。這意味著就 CPU而言,它與一個大GPU而不是一堆小GPU進行通信。從開發(fā)人員的角度來看,GPU模型不會發(fā)生變化。

在 COMPUTEX 2021 上,AMD 總裁兼首席執(zhí)行官 Lisa Su分享了AMD在3D小芯片方面的最新進展。她表示,AMD 將繼續(xù)利用 AMD 3D 小芯片技術(shù)鞏固其領(lǐng)先的 IP 和對領(lǐng)先制造和封裝技術(shù)的投資,這是一項封裝突破,使用行業(yè)領(lǐng)先的混合鍵合方法將 AMD 的創(chuàng)新小芯片架構(gòu)與3D堆疊相結(jié)合,提供超過200倍的互連密度,2D小芯片的數(shù)量和密度是現(xiàn)有 3D封裝解決方案的15倍以上。與臺積電密切合作率先推出的行業(yè)領(lǐng)先技術(shù),其能耗也低于當(dāng)前的3D解決方案,是世界上最靈活的主動對主動硅堆疊技術(shù)。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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