芯片制造全過程詳解
芯片究竟是什么？為什么會成為人類不可或缺的核心科技？一個小小的硅片，承載著幾千萬甚至數(shù)百億的晶體管，它是如何被設(shè)計和制造出來的？
芯片設(shè)計可分為規(guī)格定義、系統(tǒng)級設(shè)計、前端設(shè)計和后端設(shè)計4大過程。
芯片制作完整過程包括：芯片設(shè)計、晶片制作、封裝制作、成本測試等幾個環(huán)節(jié)，其中晶片片制作過程尤為的復(fù)雜。
有了設(shè)計好的“藍圖”，就可以開始芯片生產(chǎn)流程中的制造過程了
1、硅純化制作晶圓
晶圓（Wafer）經(jīng)過拋光處理及一系列嚴格篩查后，投入第一階段的生產(chǎn)工藝，即前段生產(chǎn)（Front End Of Line）。這一階段主要完成集成晶體管的制造，包括光刻、薄膜、刻蝕、清洗、注入等幾大模塊的工藝。
2、晶圓涂膜
3、晶圓光刻顯影、蝕刻
4、攙加雜質(zhì)
5、晶圓測試
6、芯片封裝
7、測試、包裝
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責(zé)任編輯：李倩
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1 目的
希望以簡短的篇幅，將公司目前設(shè)計的流程做介紹，若有介紹不當(dāng)之處，請不吝指教。
2 設(shè)計步驟:
2.1 繪線路圖、PCB Layout.
2.2 變壓器計算.
2.3 零件選用.
2.4 設(shè)計驗證.
3設(shè)計流程介紹(以 DA-14B33 為例):
3.1線路圖、PCB Layout 請參考資識庫中說明.
3.2變壓器計算:
變壓器是整個電源供應(yīng)器的重要核心，所以變壓器的計算及驗證是很重要的，以下即就 DA-14B33 變壓器做介紹.
3.2.1
決定變壓器的材質(zhì)及尺寸:
依據(jù)變壓器計算公式
B(max) =鐵心飽合的磁通密度(Gauss)
Lp =一次側(cè)電感值(uH)
Ip =一次側(cè)峰值電流(A)
Np =一次側(cè)(主線圈)圈數(shù)
Ae =鐵心截面積(cm2)
B(max) 依鐵心的材質(zhì)及本身的溫度來決定，以 TDK Ferrite Core PC40 為例，100℃時的 B(max)為3900 Gauss，設(shè)計時應(yīng)考慮零件誤差，所以一般取 3000~3500 Gauss 之間，若所設(shè)計的 power 為Adapter(有外殼)則應(yīng)取 3000 Gauss 左右，以避免鐵心因高溫而飽合，一般而言鐵心的尺寸越大，Ae 越高，所以可以做較大瓦數(shù)的 Power。
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發(fā)表于 03-07 15:53
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