chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

一個芯片集成多少晶體管

姚小熊27 ? 來源:網(wǎng)絡(luò)整理 ? 作者:佚名 ? 2021-12-14 13:49 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

大家都知道芯片使由晶體管構(gòu)成的,一個芯片由小到幾十,大到超百億晶體管構(gòu)成。像華為麒麟990芯片,就是由103億顆晶體管組成的。

很多人都好奇,小小一顆芯片是怎么把多個晶體管塞到芯片里面的,我們一起來看一下。

我們現(xiàn)在的芯片都是光刻,使用光刻機把電路圖投射到涂了光刻膠的硅晶圓上,然后投射后硅上,就形成了電路圖。然后通過刻蝕機把沒有被光刻膠保護的部分腐蝕掉,在硅圓上就有了坑坑洼洼,然后將等離子注入這坑坑洼洼中,穩(wěn)定下來就形成了晶體管。

在等離子注入且晶體管穩(wěn)定之后,還會有鍍銅一道工序,在硅表面涂上一層銅,然后通過光刻、刻蝕等動作,將鍍上去的這層銅切割成一條一條線,這些線就是按照芯片設(shè)計的電路圖有規(guī)則的把晶體管連接起來,而芯片的電路有可能有幾十層。

審核編輯:姚遠(yuǎn)香

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 芯片
    +關(guān)注

    關(guān)注

    463

    文章

    54369

    瀏覽量

    468923
  • 晶體管
    +關(guān)注

    關(guān)注

    78

    文章

    10432

    瀏覽量

    148524
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關(guān)推薦
    熱點推薦

    揭秘芯片測試:如何驗證數(shù)十億晶體管

    微觀世界的“體檢”難題在枚比指甲蓋還小的芯片中,集成了數(shù)十億甚至上百億晶體管,例如NVIDIA的H100GPU包含800億
    的頭像 發(fā)表于 03-06 10:03 ?331次閱讀
    揭秘<b class='flag-5'>芯片</b>測試:如何驗證數(shù)十億<b class='flag-5'>個</b><b class='flag-5'>晶體管</b>

    MUN5136數(shù)字晶體管技術(shù)解析與應(yīng)用指南

    onsemi MUN5136數(shù)字晶體管旨在取代單個器件及其外部電阻偏置網(wǎng)絡(luò)。這些數(shù)字晶體管包含晶體管
    的頭像 發(fā)表于 11-24 16:27 ?921次閱讀
    MUN5136數(shù)字<b class='flag-5'>晶體管</b>技術(shù)解析與應(yīng)用指南

    NSBCMXW系列偏置電阻晶體管(BRT)技術(shù)解析與應(yīng)用指南

    安森美 (onsemi) NSBCMXW NPN 偏置電阻晶體管 (BRT) 設(shè)計用于替代單個設(shè)備及其相關(guān)的外部偏置電阻網(wǎng)絡(luò)。 這些安森美 (onsemi) BRT集成了單個晶體管
    的頭像 發(fā)表于 11-22 09:44 ?1132次閱讀
    NSBCMXW系列偏置電阻<b class='flag-5'>晶體管</b>(BRT)技術(shù)解析與應(yīng)用指南

    深入解析onsemi偏置電阻晶體管(BRT)NSBAMXW系列技術(shù)特性與應(yīng)用

    安森美 (onsemi) NSBAMXW PNP偏置電阻晶體管 (BRT) 設(shè)計用于替換單個設(shè)備和相關(guān)外部偏置電阻網(wǎng)絡(luò)。 這些PNP偏置電阻晶體管集成了單個晶體管
    的頭像 發(fā)表于 11-21 16:22 ?907次閱讀
    深入解析onsemi偏置電阻<b class='flag-5'>晶體管</b>(BRT)NSBAMXW系列技術(shù)特性與應(yīng)用

    電壓選擇晶體管應(yīng)用電路第二期

    電壓選擇晶體管應(yīng)用電路第二期 以前發(fā)表過關(guān)于電壓選擇晶體管的結(jié)構(gòu)和原理的文章,這期我將介紹下電壓選擇晶體管的用法。如圖所示: 當(dāng)輸入電壓
    發(fā)表于 11-17 07:42

    晶體管的基本結(jié)構(gòu)和發(fā)展歷程

    隨著集成電路科學(xué)與工程的持續(xù)發(fā)展,當(dāng)前集成電路已涵蓋二極、晶體管、非易失性存儲器件、功率器件、光子器件、電阻與電容器件、傳感器件共 7 個大族,衍生出 100 多種不同類型的器件,推
    的頭像 發(fā)表于 09-22 10:53 ?1889次閱讀
    <b class='flag-5'>晶體管</b>的基本結(jié)構(gòu)和發(fā)展歷程

    多值電場型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)

    內(nèi)建電場來控制晶體管對電壓的選擇性通斷,如圖: 該晶體管由兩PN結(jié)組成,第一個晶體管PN結(jié)在外加電場下正向偏置,減小了內(nèi)建電場,當(dāng)通入的
    發(fā)表于 09-15 15:31

    文詳解NMOS與PMOS晶體管的區(qū)別

    在電子世界的晶體管家族中,NMOS(N 型金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)與 PMOS(P 型金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)如同對默契的 “電子開關(guān)”,掌控著電
    的頭像 發(fā)表于 07-14 17:05 ?2.9w次閱讀
    <b class='flag-5'>一</b>文詳解NMOS與PMOS<b class='flag-5'>晶體管</b>的區(qū)別

    晶體管架構(gòu)的演變過程

    芯片制程從微米級進入2納米時代,晶體管架構(gòu)經(jīng)歷了從 Planar FET 到 MBCFET的四次關(guān)鍵演變。這不僅僅是形狀的變化,更是次次對物理極限的挑戰(zhàn)。從平面晶體管到MBCFET,
    的頭像 發(fā)表于 07-08 16:28 ?2486次閱讀
    <b class='flag-5'>晶體管</b>架構(gòu)的演變過程

    晶體管光耦的工作原理

    器件的特性。工作原理概述1.發(fā)光器件:晶體管光耦通常包含發(fā)光二極(LED)作為光源。當(dāng)電流通過LED時,它會發(fā)出特定波長的光。2.光敏器件:光耦的另
    的頭像 發(fā)表于 06-20 15:15 ?1110次閱讀
    <b class='flag-5'>晶體管</b>光耦的工作原理

    代高速芯片晶體管解制造問題解決了!

    允許兩晶體管容納在晶體管的面積內(nèi),同時提升性能并降低功耗。然而,CFET 的生產(chǎn)難度極高,因此像 Imec 這樣的
    發(fā)表于 06-20 10:40

    鰭式場效應(yīng)晶體管的原理和優(yōu)勢

    自半導(dǎo)體晶體管問世以來,集成電路技術(shù)便在摩爾定律的指引下迅猛發(fā)展。摩爾定律預(yù)言,單位面積上的晶體管數(shù)量每兩年翻番,而這進步在過去幾十年里
    的頭像 發(fā)表于 06-03 18:24 ?2285次閱讀
    鰭式場效應(yīng)<b class='flag-5'>晶體管</b>的原理和優(yōu)勢

    低功耗熱發(fā)射極晶體管的工作原理與制備方法

    集成電路是現(xiàn)代信息技術(shù)的基石,而晶體管則是集成電路的基本單元。沿著摩爾定律發(fā)展,現(xiàn)代集成電路的集成度不斷提升,目前單個
    的頭像 發(fā)表于 05-22 16:06 ?1469次閱讀
    低功耗熱發(fā)射極<b class='flag-5'>晶體管</b>的工作原理與制備方法

    無結(jié)場效應(yīng)晶體管詳解

    當(dāng)代所有的集成電路芯片都是由PN結(jié)或肖特基勢壘結(jié)所構(gòu)成:雙極結(jié)型晶體管(BJT)包含兩背靠背的PN 結(jié),MOSFET也是如此。結(jié)型場效應(yīng)晶體管
    的頭像 發(fā)表于 05-16 17:32 ?1597次閱讀
    無結(jié)場效應(yīng)<b class='flag-5'>晶體管</b>詳解