chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

意法半導(dǎo)體推出第三代STPOWER碳化硅(SiC)MOSFET晶體管

意法半導(dǎo)體中國(guó) ? 來(lái)源:意法半導(dǎo)體中國(guó) ? 作者:意法半導(dǎo)體中國(guó) ? 2022-01-17 14:13 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

意法半導(dǎo)體最新一代碳化硅(SiC)功率器件,提升了產(chǎn)品性能和可靠性,保持慣有領(lǐng)先地位,更加適合電動(dòng)汽車(chē)和高能效工業(yè)應(yīng)用

持續(xù)長(zhǎng)期投資SiC市場(chǎng),意法半導(dǎo)體迎接未來(lái)增長(zhǎng)

意法半導(dǎo)體(簡(jiǎn)稱(chēng)ST)推出第三代STPOWER碳化硅(SiC) MOSFET晶體管「MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是現(xiàn)代電子產(chǎn)品的基本元器件?!?,推進(jìn)在電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力系統(tǒng)功率設(shè)備的前沿應(yīng)用,及在其他以高功率密度、高能效、高可靠性為重要目標(biāo)的場(chǎng)景應(yīng)用。

作為SiC功率MOSFET市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)者,意法半導(dǎo)體整合先進(jìn)的設(shè)計(jì)技術(shù),進(jìn)一步挖掘 SiC的節(jié)能潛力,繼續(xù)推動(dòng)電動(dòng)汽車(chē)和工業(yè)市場(chǎng)變革。隨著電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)加速發(fā)展,許多整車(chē)廠商和配套供應(yīng)商都在采用 800V驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),以加快充電速度,幫助減輕電動(dòng)汽車(chē)重量。新的800V系統(tǒng)能夠幫助整車(chē)制造商生產(chǎn)行駛里程更長(zhǎng)的汽車(chē)。意法半導(dǎo)體的新一代SiC器件專(zhuān)門(mén)為這些高端汽車(chē)應(yīng)用進(jìn)行了設(shè)計(jì)優(yōu)化,包括電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力電機(jī)逆變器、車(chē)載充電機(jī)、DC/DC變換器和電子空調(diào)壓縮機(jī)。新一代產(chǎn)品還適合工業(yè)應(yīng)用,可提高驅(qū)動(dòng)電機(jī)、可再生能源轉(zhuǎn)換器和儲(chǔ)能系統(tǒng)、電信電源、數(shù)據(jù)中心電源等應(yīng)用的能效。

意法半導(dǎo)體汽車(chē)和分立器件產(chǎn)品部副總裁、功率晶體管事業(yè)部總經(jīng)理Edoardo Merli表示:

我們繼續(xù)推進(jìn)這一激動(dòng)人心的技術(shù)發(fā)展,在芯片和封裝兩個(gè)層面不斷創(chuàng)新。作為一家全盤(pán)掌控供應(yīng)鏈的 SiC產(chǎn)品制造商,我們能夠?yàn)榭蛻?hù)提供性能持續(xù)改進(jìn)的產(chǎn)品。我們?cè)诓粩嗟赝顿Y推進(jìn)汽車(chē)和工業(yè)項(xiàng)目,預(yù)計(jì) 2024 年意法半導(dǎo)體SiC營(yíng)收將達(dá)到 10 億美元。

意法半導(dǎo)體目前已完成第三代SiC技術(shù)平臺(tái)相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證,從該技術(shù)平臺(tái)衍生的大部分產(chǎn)品預(yù)計(jì)在2021年底前達(dá)到商用成熟度。標(biāo)稱(chēng)電壓650V、750V至1200V的器件將上市,為設(shè)計(jì)人員研發(fā)從市電取電,到電動(dòng)汽車(chē)高壓電池和充電機(jī)供電的各種應(yīng)用提供更多選擇。首批上市產(chǎn)品是有650V的SCT040H65G3AG和750V 裸片形式的SCT160N75G3D8AG。

參考技術(shù)信息

意法半導(dǎo)體最新的平面MOSFET利用全新的第三代SiC技術(shù)平臺(tái),為晶體管行業(yè)樹(shù)立了新的品質(zhì)因數(shù) (FoM) 標(biāo)桿,業(yè)界認(rèn)可的FoM [導(dǎo)通電阻 (Ron) x 裸片面積和Ron x 柵極電荷 (Qg)]算法表示晶體管能效、功率密度和開(kāi)關(guān)性能。用普通硅技術(shù)改善FoM 變得越來(lái)越困難,因此,SiC技術(shù)是進(jìn)一步改進(jìn)FoM的關(guān)鍵。意法半導(dǎo)體第三代SiC產(chǎn)品將引領(lǐng)晶體管FoM進(jìn)步。

碳化硅MOSFET的單位面積耐受電壓額定值比硅基MOSFET高,是電動(dòng)汽車(chē)及快速充電基礎(chǔ)設(shè)施的最佳選擇。SiC還有一個(gè)優(yōu)點(diǎn),寄生二極管開(kāi)關(guān)速度非???,電流雙向流動(dòng)特性適用于電動(dòng)汽車(chē)對(duì)外供電(V2X)車(chē)載充電機(jī)(OBC),可以從車(chē)載電池取電供給基礎(chǔ)設(shè)施。此外,SiC晶體管的開(kāi)關(guān)頻率非常高,為在電源系統(tǒng)中使用尺寸更小的無(wú)源器件提供了可能,從而可以在車(chē)輛中使用更緊湊和輕量化的電氣設(shè)備。這些產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)還有助于降低工業(yè)應(yīng)用中的擁有成本。

意法半導(dǎo)體第三代產(chǎn)品有多種封裝可選,包括裸片、分立功率封裝(STPAK、H2PAK-7L、HiP247-4L和HU3PAK)和ACEPACK系列的功率模塊。這些封裝為設(shè)計(jì)者提供了創(chuàng)新功能,例如,專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)的冷卻片可簡(jiǎn)化芯片與電動(dòng)汽車(chē)應(yīng)用的基板和散熱器的連接,這樣,設(shè)計(jì)人員可以根據(jù)應(yīng)用選擇專(zhuān)用芯片,例如,動(dòng)力電機(jī)逆變器、車(chē)載充電機(jī) (OBC)、DC/DC變換器、電子空調(diào)壓縮機(jī),以及工業(yè)應(yīng)用,例如,太陽(yáng)能逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)裝置和電源。

原文標(biāo)題:重磅!ST第三代碳化硅產(chǎn)品問(wèn)世,引領(lǐng)電動(dòng)汽車(chē)和工業(yè)市場(chǎng)新變革

文章出處:【微信公眾號(hào):意法半導(dǎo)體中國(guó)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

審核編輯;湯梓紅

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • ST
    ST
    +關(guān)注

    關(guān)注

    32

    文章

    1186

    瀏覽量

    132126
  • 意法半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    31

    文章

    3338

    瀏覽量

    111159
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    25

    文章

    3345

    瀏覽量

    51777

原文標(biāo)題:重磅!ST第三代碳化硅產(chǎn)品問(wèn)世,引領(lǐng)電動(dòng)汽車(chē)和工業(yè)市場(chǎng)新變革

文章出處:【微信號(hào):STMChina,微信公眾號(hào):意法半導(dǎo)體中國(guó)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    第三代半導(dǎo)體碳化硅(Sic)功率器件可靠性的詳解;

    如有雷同或是不當(dāng)之處,還請(qǐng)大家海涵。當(dāng)前在各網(wǎng)絡(luò)平臺(tái)上均以此昵稱(chēng)為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)! 碳化硅SiC)功率器件作為第三代半導(dǎo)體的核心代表,憑借其高頻、高效、耐高溫、耐高壓等特性,
    的頭像 發(fā)表于 12-04 08:21 ?547次閱讀
    <b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>(<b class='flag-5'>Sic</b>)功率器件可靠性的詳解;

    第三代半導(dǎo)體碳化硅(Sic)加速上車(chē)原因的詳解;

    如有雷同或是不當(dāng)之處,還請(qǐng)大家海涵。當(dāng)前在各網(wǎng)絡(luò)平臺(tái)上均以此昵稱(chēng)為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)! 碳化硅第三代半導(dǎo)體材料的代表;而半導(dǎo)體這個(gè)行業(yè)又過(guò)于學(xué)術(shù),為方便閱讀,以下這篇文章的部分章
    的頭像 發(fā)表于 12-03 08:33 ?232次閱讀
    <b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>(<b class='flag-5'>Sic</b>)加速上車(chē)原因的詳解;

    基本半導(dǎo)體B3M平臺(tái)深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技術(shù)與應(yīng)用

    基礎(chǔ),將其定位為平面柵碳化硅SiCMOSFET技術(shù)的一次重要演進(jìn),其目標(biāo)不僅在于追趕,更在于在特定性能維度上超越市場(chǎng)現(xiàn)有成熟方案。 1.1 第三代(B3M)平臺(tái)概述 B3M系列是基
    的頭像 發(fā)表于 10-08 13:12 ?436次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>B3M平臺(tái)深度解析:<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>技術(shù)與應(yīng)用

    傾佳電子行業(yè)洞察:基本半導(dǎo)體第三代G3碳化硅MOSFET助力高效電源設(shè)計(jì)

    傾佳電子行業(yè)洞察:基本半導(dǎo)體第三代G3碳化硅MOSFET助力高效電源設(shè)計(jì) 傾佳電子(Changer Tech)是一家專(zhuān)注于功率半導(dǎo)體和新能源
    的頭像 發(fā)表于 09-21 16:12 ?1633次閱讀
    傾佳電子行業(yè)洞察:基本<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>第三代</b>G3<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>助力高效電源設(shè)計(jì)

    基本半導(dǎo)體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊

    基本半導(dǎo)體推出34mm封裝的全碳化硅MOSFET半橋模塊,該系列產(chǎn)品采用第三代碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 08-01 10:25 ?1183次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>推出</b>34mm封裝的全<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>半橋模塊

    電鏡技術(shù)在第三代半導(dǎo)體中的關(guān)鍵應(yīng)用

    第三代半導(dǎo)體材料,以碳化硅SiC)和氮化鎵(GaN)為代表,因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現(xiàn),正在成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的重要
    的頭像 發(fā)表于 06-19 14:21 ?520次閱讀
    電鏡技術(shù)在<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>中的關(guān)鍵應(yīng)用

    SiC碳化硅第三代半導(dǎo)體材料 | 耐高溫絕緣材料應(yīng)用方案

    發(fā)展最成熟的第三代半導(dǎo)體材料,可謂是近年來(lái)最火熱的半導(dǎo)體材料。尤其是在“雙碳”戰(zhàn)略背景下,碳化硅被深度綁定新能源汽車(chē)、光伏、儲(chǔ)能等節(jié)能減碳行業(yè),萬(wàn)眾矚目。陶瓷方面,
    的頭像 發(fā)表于 06-15 07:30 ?863次閱讀
    <b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>材料 |  耐高溫絕緣材料應(yīng)用方案

    第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域

    )和碳化硅SiC),它們?cè)陔娏﹄娮印⑸漕l和光電子等領(lǐng)域展現(xiàn)出卓越的性能。本文將詳細(xì)探討第三代半導(dǎo)體的基本特性、優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用領(lǐng)域以及其發(fā)展前景。
    的頭像 發(fā)表于 05-22 15:04 ?1741次閱讀

    破浪前行 追光而上——向國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)勞動(dòng)者致敬

    致以崇高的敬意!是你們的智慧與汗水,讓中國(guó)在第三代半導(dǎo)體變革浪潮中勇立潮頭;是你們的堅(jiān)守與創(chuàng)新,為電力電子行業(yè)自主可控的宏圖鋪就基石。 傾佳電子(Changer Tech)-專(zhuān)業(yè)汽車(chē)連接器及功率半導(dǎo)體(
    的頭像 發(fā)表于 05-06 10:42 ?462次閱讀
    破浪前行 追光而上——向國(guó)產(chǎn)<b class='flag-5'>SiC</b><b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>MOSFET</b>產(chǎn)業(yè)勞動(dòng)者致敬

    基本半導(dǎo)體碳化硅SiCMOSFET低關(guān)斷損耗(Eoff)特性的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

    BASiC基本股份半導(dǎo)體碳化硅SiCMOSFET憑借其低關(guān)斷損耗(Eoff)特性,在以下應(yīng)用中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢(shì): 傾佳電子(Changer Tech)-專(zhuān)業(yè)汽車(chē)連接器及功率
    的頭像 發(fā)表于 05-04 09:42 ?701次閱讀
    基本<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>(<b class='flag-5'>SiC</b>)<b class='flag-5'>MOSFET</b>低關(guān)斷損耗(Eoff)特性的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

    半導(dǎo)體:推進(jìn)8英寸SiC戰(zhàn)略,引領(lǐng)行業(yè)規(guī)模化發(fā)展

    新的機(jī)遇和挑戰(zhàn)。為了更好地解讀產(chǎn)業(yè)格局,探索未來(lái)的前進(jìn)方向,行家說(shuō)三代半與行家極光獎(jiǎng)聯(lián)合策劃了 《第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)-行家瞭望2025》 專(zhuān)題報(bào)道。 ? ? 日前,
    的頭像 發(fā)表于 04-10 09:18 ?3442次閱讀

    麥科信光隔離探頭在碳化硅SiCMOSFET動(dòng)態(tài)測(cè)試中的應(yīng)用

    碳化硅SiCMOSFET 是基于寬禁帶半導(dǎo)體材料碳化硅SiC)制造的金屬氧化物
    發(fā)表于 04-08 16:00

    40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN!

    BASiC基本半導(dǎo)體40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超結(jié)MOSFET或者20-30mR的GaN! BASiC基
    發(fā)表于 01-22 10:43

    什么是MOSFET柵極氧化層?如何測(cè)試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?

    氧化層?如何測(cè)試碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?”讓我們一起跟隨基本半導(dǎo)體市場(chǎng)部總監(jiān)魏煒老師的講解,揭開(kāi)這一技術(shù)領(lǐng)域的神秘面紗。
    發(fā)表于 01-04 12:37

    第三代半導(dǎo)體廠商加速出海

    近年來(lái),在消費(fèi)電子需求帶動(dòng)下,加上新能源汽車(chē)、數(shù)據(jù)中心、光伏、風(fēng)電、工業(yè)控制等產(chǎn)業(yè)的興起,以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體廠商發(fā)展迅速。
    的頭像 發(fā)表于 01-04 09:43 ?1175次閱讀