什么是晶體管的輸入電容?這會(huì)影響該元件或者電路中的什么指標(biāo)?下面小編就來(lái)一說(shuō)究竟。
晶體管的輸入電容就是極間的寄生電容。且這兩個(gè)電容都是PN結(jié)電容,因此跟偏置電壓的大小和極性都有關(guān)系。
因?yàn)檫@兩個(gè)寄生電容的存在,會(huì)對(duì)晶體管的頻率特性產(chǎn)生比較大的影響,尤其是對(duì)共射結(jié)構(gòu)或反相器結(jié)構(gòu)電路。
總體來(lái)說(shuō),這兩個(gè)電容的存在的影響,在交流情況下都是分流基極電流分量,導(dǎo)致基極注入電流的減少,從而對(duì)輸出特性產(chǎn)生延遲效應(yīng)。
晶體管的電容大,對(duì)高頻信號(hào)的分流作用就大,晶體管的高頻上限就低,只能用于頻率較低的電路。
本你問(wèn)綜合整理自瀟湘客、z315976968、Bigbird78
審核編輯:劉清
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
電路
+關(guān)注
關(guān)注
173文章
6086瀏覽量
178822 -
晶體管
+關(guān)注
關(guān)注
78文章
10436瀏覽量
148557 -
輸入電容
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
48瀏覽量
10130
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
晶體管入門:BJT 與 MOSFET 的控制差異#晶體管 #BJT #MOSFET? #場(chǎng)效應(yīng)管 #電子放大
晶體管
安泰小課堂
發(fā)布于 :2025年12月05日 17:20:57
基于偏置電阻晶體管(BRT)的數(shù)字晶體管系列MUN2231等產(chǎn)品解析
在電子電路設(shè)計(jì)中,晶體管的合理選擇和應(yīng)用對(duì)于電路性能起著關(guān)鍵作用。今天,我們就來(lái)深入探討ON Semiconductor推出的MUN2231、MMUN2231L、MUN5231、DTC123EE、DTC123EM3、NSBC123EF3這一系列數(shù)字晶體管。
MUN5136數(shù)字晶體管技術(shù)解析與應(yīng)用指南
onsemi MUN5136數(shù)字晶體管旨在取代單個(gè)器件及其外部電阻偏置網(wǎng)絡(luò)。這些數(shù)字晶體管包含一個(gè)晶體管和一個(gè)單片偏置網(wǎng)絡(luò),單片偏置網(wǎng)絡(luò)由兩個(gè)電阻器組成,一個(gè)是串聯(lián)基極電阻器,另一個(gè)是基極-發(fā)射極
電壓選擇晶體管應(yīng)用電路第二期
電壓選擇晶體管應(yīng)用電路第二期
以前發(fā)表過(guò)關(guān)于電壓選擇晶體管的結(jié)構(gòu)和原理的文章,這一期我將介紹一下電壓選擇晶體管的用法。如圖所示:
當(dāng)輸入電壓Vin等于電壓選擇
發(fā)表于 11-17 07:42
晶體管的定義,晶體管測(cè)量參數(shù)和參數(shù)測(cè)量?jī)x器
晶體管是一種以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的電子元件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓和信號(hào)調(diào)制等多種功能?。其核心是通過(guò)控制輸入電流或電壓來(lái)調(diào)節(jié)輸出電流,實(shí)現(xiàn)信號(hào)放大或電路開關(guān)功能?。 基本定義 晶體管泛指
英飛凌功率晶體管的短路耐受性測(cè)試
本文將深入探討兩種備受矚目的功率晶體管——英飛凌的 CoolGaN(氮化鎵高電子遷移率晶體管)和 OptiMOS 6(硅基場(chǎng)效應(yīng)晶體管),在極端短路條件下的表現(xiàn)。通過(guò)一系列嚴(yán)謹(jǐn)?shù)臏y(cè)試,我們將揭示
晶體管的基本結(jié)構(gòu)和發(fā)展歷程
隨著集成電路科學(xué)與工程的持續(xù)發(fā)展,當(dāng)前集成電路已涵蓋二極管、晶體管、非易失性存儲(chǔ)器件、功率器件、光子器件、電阻與電容器件、傳感器件共 7 個(gè)大族,衍生出 100 多種不同類型的器件,推動(dòng)集成電路技術(shù)
0.45-6.0 GHz 低噪聲晶體管 skyworksinc
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()0.45-6.0 GHz 低噪聲晶體管相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè),更有0.45-6.0 GHz 低噪聲晶體管的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料,0.45-6.0
發(fā)表于 09-18 18:33
多值電場(chǎng)型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)
,有沒有一種簡(jiǎn)單且有效的器件實(shí)現(xiàn)對(duì)電壓的選擇呢?本文將介紹一種電場(chǎng)型多值電壓選擇晶體管,之所以叫電壓型,是因?yàn)橥ㄟ^(guò)調(diào)控晶體管內(nèi)建電場(chǎng)大小來(lái)實(shí)現(xiàn)對(duì)電壓的選擇,原理是PN結(jié)有內(nèi)建電場(chǎng),通過(guò)外加電場(chǎng)來(lái)增大或減小
發(fā)表于 09-15 15:31
晶體管架構(gòu)的演變過(guò)程
芯片制程從微米級(jí)進(jìn)入2納米時(shí)代,晶體管架構(gòu)經(jīng)歷了從 Planar FET 到 MBCFET的四次關(guān)鍵演變。這不僅僅是形狀的變化,更是一次次對(duì)物理極限的挑戰(zhàn)。從平面晶體管到MBCFET,每一次架構(gòu)演進(jìn)到底解決了哪些物理瓶頸呢?
晶體管光耦的工作原理
晶體管光耦(PhotoTransistorCoupler)是一種將發(fā)光器件和光敏器件組合在一起的半導(dǎo)體器件,用于實(shí)現(xiàn)電路之間的電氣隔離,同時(shí)傳遞信號(hào)或功率。晶體管光耦的工作原理基于光電效應(yīng)和半導(dǎo)體
下一代高速芯片晶體管解制造問(wèn)題解決了!
設(shè)計(jì)中,接觸柵間距(CPP)為42nm,金屬間距為16nm,相比納米片晶體管的45nm CPP和30nm金屬間距,面積進(jìn)一步縮小。
由于叉片晶體管的結(jié)構(gòu)允許更緊密的器件布局,其寄生電容更低,從而
發(fā)表于 06-20 10:40
安科瑞繼電器或晶體管輸出開關(guān)量輸入信號(hào)隔離器
1. 概述 安科瑞開關(guān)量輸入信號(hào)隔離器 ,輸入干接點(diǎn)或NAMUR型接近開關(guān)信號(hào),繼電器或晶體管隔離輸出??赏ㄟ^(guò)撥碼開關(guān)設(shè)置輸出和輸入同相或反相邏輯控制,設(shè)置開啟或關(guān)閉線路故障檢測(cè)功能。
無(wú)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管詳解
當(dāng)代所有的集成電路芯片都是由PN結(jié)或肖特基勢(shì)壘結(jié)所構(gòu)成:雙極結(jié)型晶體管(BJT)包含兩個(gè)背靠背的PN 結(jié),MOSFET也是如此。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET) 垂直于溝道方向有一個(gè) PN結(jié),隧道穿透
什么是晶體管?你了解多少?知道怎樣工作的嗎?
是關(guān)于晶體管的詳細(xì)解析: 一、核心定義與歷史背景 ?定義?: 晶體管利用半導(dǎo)體材料(如硅、鍺)的特性,通過(guò)輸入信號(hào)(電流或電壓)控制輸出電流,實(shí)現(xiàn)信號(hào)放大或電路通斷。 ?發(fā)明?: 1947年由?貝爾實(shí)驗(yàn)室?的肖克利(Shockl
什么是晶體管的輸入電容呢
評(píng)論