一.干擾源

在液晶顯示模塊的系統(tǒng)測(cè)試階段，抗干擾測(cè)試是一個(gè)重要的項(xiàng)目，無(wú)論是使用專(zhuān)業(yè)儀器測(cè)試還是整機(jī)長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行測(cè)試。干擾是系統(tǒng)整機(jī)常見(jiàn)而又非常棘手的問(wèn)題。當(dāng)系統(tǒng)電路受到干擾時(shí)，電源線或者信號(hào)線上會(huì)產(chǎn)生某種頻率、某個(gè)幅值的干擾波。這個(gè)干擾波施加在液晶顯示模塊的接口線端時(shí)，必然給顯示帶來(lái)不期望的顯示效果。

液晶顯示模塊對(duì)系統(tǒng)整機(jī)而言是純輸入型部件，或稱(chēng)被動(dòng)型部件。液晶顯示模塊自身沒(méi)有糾錯(cuò)功能，即液晶顯示模塊可以接收滿(mǎn)足操作時(shí)序關(guān)系的任何信號(hào)而沒(méi)有能力判斷是與非，對(duì)與錯(cuò)。錯(cuò)誤的信號(hào)和錯(cuò)誤的數(shù)據(jù)都會(huì)產(chǎn)生錯(cuò)誤的控制指令或者錯(cuò)誤的顯示圖案，導(dǎo)致錯(cuò)誤的顯示效果。

消除干擾的首要工作是找到干擾源和產(chǎn)生干擾影響的位置，然后用有效的方法去消除、削弱或者屏蔽、補(bǔ)救。

二.抗干擾措施

本文根據(jù)液晶顯示模塊在系統(tǒng)整機(jī)抗干擾測(cè)試或者拷機(jī)運(yùn)行時(shí)常見(jiàn)的顯示問(wèn)題給予一些建設(shè)性的解決思路，但有效的方法還需要在實(shí)際測(cè)試和運(yùn)行中摸索和驗(yàn)證。

1.系統(tǒng)整機(jī)在運(yùn)行對(duì)或者進(jìn)行抗干擾測(cè)試時(shí)，液晶顯示模塊無(wú)顯示，調(diào)對(duì)比度也沒(méi)有反應(yīng)

這種現(xiàn)象是因?yàn)樵谡麢C(jī)工作期間，液晶顯示模塊的電源線或者/RESE7信號(hào)線上受到電磁干擾，產(chǎn)生干擾脈沖，導(dǎo)致液晶顯示模塊被復(fù)位。其復(fù)位的結(jié)果是初始化模塊的內(nèi)部寄存器，同時(shí)關(guān)顯示。推薦的解決方法是：

①如果干擾施加在電源線上，則建議在最靠近液晶顯示模塊位置的電源線VDD、VSS之間并人一個(gè)穩(wěn)壓電容(10μF)和一個(gè)濾波電容(0.1μF或0.01μF)。

②如果干擾施加在/RESET信號(hào)線上，則建議在最靠近液晶顯示模塊位置的/RESET信號(hào)線與VSS之間并人一個(gè)濾波電容，電容容量選擇0.1μF或O.01μF。

上述電容值的選擇，需要根據(jù)實(shí)際測(cè)試的效果而定。

2.系統(tǒng)整機(jī)運(yùn)行時(shí)或者進(jìn)行抗干擾測(cè)試時(shí)，畫(huà)面產(chǎn)生錯(cuò)誤的字符或亂點(diǎn)(數(shù)據(jù)錯(cuò)誤).或者畫(huà)面平移、上下顛倒等現(xiàn)象。有時(shí)無(wú)法恢復(fù)，只能清屏重新寫(xiě)入，甚至需要重新上電，初始化寄存器才能恢復(fù)。

這種現(xiàn)象多數(shù)是因?yàn)楦蓴_施加到如/WR信號(hào)、/RD信號(hào)或者E信號(hào)或者/CS信號(hào)等控制信號(hào)上。干擾信號(hào)比較容易在這些信號(hào)線上產(chǎn)生錯(cuò)誤的波形，使得寄存器參數(shù)被誤修改、顯示單元被誤寫(xiě)入數(shù)據(jù)等。

在系統(tǒng)整機(jī)運(yùn)行時(shí)，多數(shù)程序只對(duì)局部顯示區(qū)域進(jìn)行數(shù)據(jù)寫(xiě)入操作，沒(méi)有其他地址的寫(xiě)入操作或者沒(méi)有對(duì)一些只在初始化才設(shè)置的寄存器進(jìn)行重復(fù)設(shè)置，所以出現(xiàn)上述現(xiàn)象。

假設(shè)干擾信號(hào)從空間施加在MPU與液晶顯示模塊之間的傳輸線上，建議：

①用磁環(huán)或者錫紙、銅薄做傳輸線的屏蔽;

②改變傳輸線的走向，躲避干擾環(huán)境;

③縮短傳輸線長(zhǎng)度;

④在關(guān)鍵信號(hào)線，并行接口模式：以先/WR(/RD)信號(hào)或E信號(hào)，再/CS信號(hào)，再RS信號(hào)的順序加入100～300pF的小電容到地(VSS)。串行接口模式：以先SCLK，再SDA，再RS\RESET的順序加入100～300pF的小電容到地(VSS)。
審核編輯：湯梓紅