chinese直男口爆体育生外卖, 99久久er热在这里只有精品99, 又色又爽又黄18禁美女裸身无遮挡, gogogo高清免费观看日本电视,私密按摩师高清版在线,人妻视频毛茸茸,91论坛 兴趣闲谈,欧美 亚洲 精品 8区,国产精品久久久久精品免费

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

集成光子制備工藝的研究

華林科納半導(dǎo)體設(shè)備制造 ? 來源:華林科納半導(dǎo)體設(shè)備制造 ? 作者:華林科納半導(dǎo)體設(shè) ? 2022-02-24 14:55 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

摘要

本文主要研究集成光子的制備工藝。基于III-V半導(dǎo)體的器件, 這項(xiàng)工作涵蓋了一系列III-V材料以及各種各樣的設(shè)備。 最初,設(shè)計(jì),制造和光學(xué)表征研究了鋁砷化鎵波導(dǎo)增強(qiáng)光學(xué)非線性相互作用。 基于我們的研究結(jié)果,我們提出了一種新型的AlGaAs集成非線性光學(xué)波導(dǎo)。波導(dǎo)是集成光子器件中極具吸引力的元件,因?yàn)樗鼈兛刂乒饩€的空間、光譜和色散特性。

集成光子學(xué)

光子學(xué),也被稱為光學(xué),是生成的科學(xué)和工程,應(yīng)用光子的控制和檢測(cè); 例如制造業(yè)、成像、下一代顯示、國防技術(shù)、生物識(shí)別安全、傳感、圖像處理、照明、通信、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、天文學(xué)計(jì)算等等。

poYBAGIXK8iAaVsmAAJTyvrDEVo635.png

pYYBAGIXK8uAczAzAADccWMupzU796.png

審核編輯:符乾江

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評(píng)論

    相關(guān)推薦
    熱點(diǎn)推薦

    芯明天壓電納米定位臺(tái):助力六方氮化硼單光子研究

    光子源的理想基質(zhì)。 想要在六方氮化硼中實(shí)現(xiàn)單光子源的高精度制備、穩(wěn)定篩選與性能調(diào)控,始終繞不開微觀尺度精準(zhǔn)操控這一核心需求。芯明天壓電納米定位臺(tái)正是這一研究過程中的關(guān)鍵設(shè)備,為實(shí)驗(yàn)提供
    的頭像 發(fā)表于 10-23 10:21 ?258次閱讀
    芯明天壓電納米定位臺(tái):助力六方氮化硼單<b class='flag-5'>光子</b>源<b class='flag-5'>研究</b>

    革新科研智造,引領(lǐng)材料未來——高通量智能科研制備工作站

    的“高通量智能科研制備工作站”,正推動(dòng)一場(chǎng)科研范式的深刻變革。 智能驅(qū)動(dòng),全程自動(dòng)化, redefine 科研效率 高通量智能科研制備工作站集成智能機(jī)器人控制技術(shù),具備樣品抓取轉(zhuǎn)移、移液、旋涂、反溶劑萃取
    發(fā)表于 09-27 14:17

    先進(jìn)PIC光子集成工藝

    摘要 光子芯片集成封裝是一種極具潛力的技術(shù),它將光學(xué)元件集成到器件中,實(shí)現(xiàn)高速數(shù)據(jù)傳輸、 寬帶寬、低延遲和高能效,有望突破傳統(tǒng)電子元件技術(shù)的局限。尤其是近年來,高性能半導(dǎo) 體、量子計(jì)算和數(shù)
    的頭像 發(fā)表于 09-18 11:10 ?1009次閱讀
    先進(jìn)PIC<b class='flag-5'>光子集成</b><b class='flag-5'>工藝</b>

    「封裝技術(shù)」PIC光子集成封裝-從樣機(jī)到量產(chǎn)

    翻譯自 Lee Carroll在 2016年發(fā)表的文章 摘要 晶圓廠提供的光子集成電路PIC的多項(xiàng)目晶圓(MPW)服務(wù),使得研究人員和中小型企業(yè)(SMEs)能夠低成本完成硅光子芯片的設(shè)計(jì)和制造。盡管
    的頭像 發(fā)表于 08-28 10:11 ?1290次閱讀
    「封裝技術(shù)」PIC<b class='flag-5'>光子集成</b>封裝-從樣機(jī)到量產(chǎn)

    超景深顯微鏡觀測(cè):異溫軋制制備鈦-鋁-鎂復(fù)合板的組織性能研究

    /鎂、鈦/鎂/鋁三層復(fù)合板的制備工藝與組織性能,結(jié)合超景深顯微鏡揭示復(fù)合機(jī)理。光子灣科技的超景深顯微鏡憑借高分辨率三維成像能力,可為復(fù)合板界面微觀形貌、斷口特征的
    的頭像 發(fā)表于 08-07 18:03 ?682次閱讀
    超景深顯微鏡觀測(cè):異溫軋制<b class='flag-5'>制備</b>鈦-鋁-鎂復(fù)合板的組織性能<b class='flag-5'>研究</b>

    泡沫銅:獨(dú)特性能、制備工藝與性能研究中的微觀洞察

    作為一種輕質(zhì)、強(qiáng)度高、導(dǎo)電性好的材料,泡沫銅被廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域,例如電子技術(shù)、航空航天、能源儲(chǔ)存等。它的獨(dú)特性能使得人們對(duì)它的關(guān)注和研究不斷增加。為了更好地利用這些材料,深入了解其制造工藝、結(jié)構(gòu)
    的頭像 發(fā)表于 08-05 17:51 ?1011次閱讀
    泡沫銅:獨(dú)特性能、<b class='flag-5'>制備</b><b class='flag-5'>工藝</b>與性能<b class='flag-5'>研究</b>中的微觀洞察

    基于碳納米材料的TPU導(dǎo)電長(zhǎng)絲制備與性能研究

    、金屬材料與復(fù)合材料等各領(lǐng)域的研究開發(fā)、工藝優(yōu)化與質(zhì)量監(jiān)控.基于碳納米材料的TPU導(dǎo)電長(zhǎng)絲制備與性能研究【江南大學(xué)趙樹強(qiáng)】基于碳納米材料的TPU導(dǎo)電長(zhǎng)絲
    的頭像 發(fā)表于 07-11 10:21 ?489次閱讀
    基于碳納米材料的TPU導(dǎo)電長(zhǎng)絲<b class='flag-5'>制備</b>與性能<b class='flag-5'>研究</b>

    分子束外延技術(shù)的原理及制備過程

    高質(zhì)量的材料制備是一切器件研究的核心與基礎(chǔ),本篇文章主要講述MBE的原理及制備過程?
    的頭像 發(fā)表于 06-17 15:05 ?1454次閱讀
    分子束外延技術(shù)的原理及<b class='flag-5'>制備</b>過程

    詳解原子層沉積薄膜制備技術(shù)

    CVD 技術(shù)是一種在真空環(huán)境中通過襯底表面化學(xué)反應(yīng)來進(jìn)行薄膜生長(zhǎng)的過程,較短的工藝時(shí)間以及所制備薄膜的高致密性,使 CVD 技術(shù)被越來越多地應(yīng)用于薄膜封裝工藝中無機(jī)阻擋層的制備。
    的頭像 發(fā)表于 05-14 10:18 ?1386次閱讀
    詳解原子層沉積薄膜<b class='flag-5'>制備</b>技術(shù)

    晶圓制備工藝與清洗工藝介紹

    晶圓制備是材料科學(xué)、熱力學(xué)與精密控制的綜合體現(xiàn),每一環(huán)節(jié)均凝聚著工程技術(shù)的極致追求。而晶圓清洗本質(zhì)是半導(dǎo)體工業(yè)與污染物持續(xù)博弈的縮影,每一次工藝革新都在突破物理極限。
    的頭像 發(fā)表于 05-07 15:12 ?2386次閱讀
    晶圓<b class='flag-5'>制備</b><b class='flag-5'>工藝</b>與清洗<b class='flag-5'>工藝</b>介紹

    深入解析硅基光子芯片制造流程,揭秘科技奇跡!

    在信息技術(shù)日新月異的今天,硅基光子芯片制造技術(shù)正逐漸成為科技領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。作為“21世紀(jì)的微電子技術(shù)”,硅基光子集成技術(shù)不僅融合了電子芯片與光子芯片的優(yōu)勢(shì),更以其獨(dú)特的高
    的頭像 發(fā)表于 03-19 11:00 ?3139次閱讀
    深入解析硅基<b class='flag-5'>光子</b>芯片制造流程,揭秘科技奇跡!

    N型單晶硅制備過程中拉晶工藝對(duì)氧含量的影響

    本文介紹了N型單晶硅制備過程中拉晶工藝對(duì)氧含量的影響。
    的頭像 發(fā)表于 03-18 16:46 ?1497次閱讀
    N型單晶硅<b class='flag-5'>制備</b>過程中拉晶<b class='flag-5'>工藝</b>對(duì)氧含量的影響

    集成電路前段工藝的可靠性研究

    在之前的文章中我們已經(jīng)對(duì)集成電路工藝的可靠性進(jìn)行了簡(jiǎn)單的概述,本文將進(jìn)一步探討集成電路前段工藝可靠性。
    的頭像 發(fā)表于 03-18 16:08 ?1947次閱讀
    <b class='flag-5'>集成</b>電路前段<b class='flag-5'>工藝</b>的可靠性<b class='flag-5'>研究</b>

    集成電路和光子集成技術(shù)的發(fā)展歷程

    本文介紹了集成電路和光子集成技術(shù)的發(fā)展歷程,并詳細(xì)介紹了鈮酸鋰光子集成技術(shù)和硅和鈮酸鋰復(fù)合薄膜技術(shù)。
    的頭像 發(fā)表于 03-12 15:21 ?1904次閱讀
    <b class='flag-5'>集成</b>電路和<b class='flag-5'>光子集成</b>技術(shù)的發(fā)展歷程

    EastWave應(yīng)用:自動(dòng)計(jì)算光子晶體透反率

    本案例使用“自動(dòng)計(jì)算透反率模式”研究光子晶體的透反率,將建立簡(jiǎn)單二維光子晶體結(jié)構(gòu)以說明透反率的計(jì)算方法。 模型示意圖: 預(yù)覽網(wǎng)格劃分效果如下: 觀察到下面的實(shí)時(shí)場(chǎng): 記錄得到數(shù)據(jù)如下: 雙擊
    發(fā)表于 02-28 08:46