三星電子3nm良品率才10%-20%，大大低于預期
繼臺積電宣布今年下半年將開啟3nm芯片量產(chǎn)之后，三星3nm制程芯片已經(jīng)開始試產(chǎn)。
據(jù)報道，三星基于GAA晶體管的3nm工藝良率遠低于預期，三星電子3nm制程工藝的良品率，才到10%-20%，遠不及公司期望的目標，在提升3nm工藝的良品率方面，也陷入了掙扎。
這或許意味著公司需要更多的時間才能投入量產(chǎn)。所謂GAA晶體管即環(huán)繞柵極晶體管，它取代的是FinFET（鰭式場效應晶體管），前者可以實現(xiàn)四邊充當電流通道，二者則只有三邊。
三星本來想著通過搶占技術制高點“降維”打擊臺積電，沒想到后者堅持在3nm使用FinFET后，結果更務實。
值得注意的是，在今年2月份曾有報道稱，三星重要客戶高通明年將推出的3nm工藝應用處理器，將交由臺積電代工。
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編輯：黃飛
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