近日，長(zhǎng)沙高新區(qū)發(fā)布了名為《關(guān)于促進(jìn)長(zhǎng)沙高新區(qū)功率半導(dǎo)體及集成電路發(fā)展的若干政策》的文件，將為半導(dǎo)體及集成電路產(chǎn)業(yè)提供總計(jì)5000萬(wàn)元的扶持資金與16條惠企政策，該文件具體內(nèi)容如下。

第一條 支持招大引強(qiáng)。對(duì)實(shí)際到位資金額達(dá)到1億元（含）以上的國(guó)內(nèi)外功率半導(dǎo)體及集成電路企業(yè)落戶長(zhǎng)沙高新區(qū)，按其實(shí)收資本的2.5%給予一次性獎(jiǎng)勵(lì)，單個(gè)企業(yè)最高1000萬(wàn)元，獎(jiǎng)勵(lì)金額按照企業(yè)首次達(dá)到上述標(biāo)準(zhǔn)時(shí)的實(shí)收資本進(jìn)行核定，按4：3：3比例分3年兌現(xiàn)。功率半導(dǎo)體及集成電路領(lǐng)域的獨(dú)角獸企業(yè)、領(lǐng)軍企業(yè)、國(guó)家重大項(xiàng)目承擔(dān)機(jī)構(gòu)等在長(zhǎng)沙高新區(qū)設(shè)立總部或者建設(shè)重大項(xiàng)目的，按照“一事一議”政策給予支持。國(guó)內(nèi)外知名院校和研究機(jī)構(gòu)來(lái)區(qū)設(shè)立創(chuàng)新中心或研究院的，可給予“一事一議”政策支持。

第二條 鼓勵(lì)平臺(tái)招商。每年根據(jù)平臺(tái)招商和產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況，給予一定資金獎(jiǎng)勵(lì)，每年招商簽約落地園區(qū)的項(xiàng)目達(dá)10家（設(shè)計(jì)類(lèi)企業(yè)研發(fā)設(shè)計(jì)人員不低于20人，購(gòu)地類(lèi)項(xiàng)目實(shí)際固定資產(chǎn)投資不低于5000萬(wàn)元），則給予100萬(wàn)元獎(jiǎng)勵(lì)，每超過(guò)1家增加10萬(wàn)元，每個(gè)平臺(tái)當(dāng)年度最高補(bǔ)助不超過(guò)250萬(wàn)元。

第三條 支持企業(yè)通過(guò)并購(gòu)重組方式落戶到長(zhǎng)沙高新區(qū)。園區(qū)內(nèi)企業(yè)通過(guò)借殼等方式將國(guó)內(nèi)外上市公司主體實(shí)際經(jīng)營(yíng)地址和工商、稅務(wù)登記關(guān)系轉(zhuǎn)移至長(zhǎng)沙高新區(qū)內(nèi)的，一次性給予300萬(wàn)元獎(jiǎng)勵(lì)。園區(qū)內(nèi)企業(yè)（即并購(gòu)方）并購(gòu)重組（與非關(guān)聯(lián)方并購(gòu)重組）境內(nèi)企業(yè)（即被并購(gòu)方）且并購(gòu)交易額達(dá)到2000萬(wàn)元（含）以上的，按照并購(gòu)交易額的4%o給予補(bǔ)助，單個(gè)并購(gòu)項(xiàng)目當(dāng)年度最高補(bǔ)貼50萬(wàn)元；并購(gòu)重組（與非關(guān)聯(lián)方并購(gòu)重組）境外企業(yè)（即被并購(gòu)方）且并購(gòu)交易額在2000萬(wàn)元（含）以上的，按照并購(gòu)交易額的5%%給予補(bǔ)助，單個(gè)并購(gòu)項(xiàng)目當(dāng)年度最高補(bǔ)貼50萬(wàn)元。

第四條 支持企業(yè)租房和購(gòu)房。對(duì)2022年1月1日后注冊(cè)的、新租賃入駐高新區(qū)的功率半導(dǎo)體及集成電路企業(yè)，自注冊(cè)之日起，對(duì)租賃面積100平方米以上且不超過(guò)1000平方米的企業(yè)（按不超過(guò)人均10平方米標(biāo)準(zhǔn)補(bǔ)貼），可以連續(xù)3年享受房租補(bǔ)貼（只限房屋租金），每平米補(bǔ)貼不超過(guò)35元/月。在高新區(qū)注冊(cè)的功率半導(dǎo)體及集成電路企業(yè)，根據(jù)企業(yè)實(shí)際納稅情況，對(duì)稅收達(dá)500萬(wàn)元以上的初次購(gòu)房企業(yè)，第1年給予高新區(qū)財(cái)政當(dāng)年實(shí)得部分80%產(chǎn)業(yè)資金支持；第2年及第3年，均以上年實(shí)繳稅收為基數(shù)，對(duì)新增稅收200萬(wàn)元以上企業(yè)，給予高新區(qū)財(cái)政實(shí)得（含基數(shù)內(nèi)）80%產(chǎn)業(yè)資金支持，總支持額度不超過(guò)企業(yè)購(gòu)房投資的80%。

第五條 支持關(guān)鍵領(lǐng)域企業(yè)規(guī)模化發(fā)展。對(duì)年度營(yíng)收首次突破5000萬(wàn)元、1億元、5億元的功率半導(dǎo)體及集成電路設(shè)計(jì)服務(wù)類(lèi)企業(yè)，分別給予企業(yè)50萬(wàn)元、100萬(wàn)元、200萬(wàn)元的一次性獎(jiǎng)勵(lì)，晉級(jí)補(bǔ)差。對(duì)年度營(yíng)收首次突破1000萬(wàn)元、5000萬(wàn)元、1億元、10億元及50億元的網(wǎng)絡(luò)安全企業(yè)，分別給予企業(yè)10萬(wàn)元、50萬(wàn)元、100萬(wàn)元、500萬(wàn)元及1000萬(wàn)元的一次性獎(jiǎng)勵(lì)，晉級(jí)補(bǔ)差。

第六條 支持企業(yè)流片和購(gòu)買(mǎi)IP。對(duì)企業(yè)的晶圓（MPW）試流片、全掩膜（FULL MASK）工程產(chǎn)品首次流片、購(gòu)買(mǎi)IP核費(fèi)用，分別給予實(shí)際交易額30%、25%、25%的補(bǔ)助，同一企業(yè)年度補(bǔ)助最高不超過(guò)250萬(wàn)元。

第七條 鼓勵(lì)企業(yè)資質(zhì)備案。對(duì)列入“國(guó)家鼓勵(lì)的重點(diǎn)集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)”、“國(guó)家鼓勵(lì)的線寬小于130納米（含）的集成電路生產(chǎn)企業(yè)或項(xiàng)目”清單的企業(yè)，給予50萬(wàn)元的一次性獎(jiǎng)勵(lì)。對(duì)產(chǎn)品通過(guò)汽車(chē)車(chē)規(guī)級(jí)芯片認(rèn)證的企業(yè)，給予100萬(wàn)元的一次性獎(jiǎng)勵(lì)。

第八條 支持重大技術(shù)裝備首臺(tái)（套）突破。對(duì)當(dāng)年新獲批省級(jí)首臺(tái)（套）重大技術(shù)裝備，且已實(shí)現(xiàn)銷(xiāo)售的，按照獲批省級(jí)資金的50%給予獎(jiǎng)勵(lì)，單個(gè)企業(yè)獎(jiǎng)勵(lì)資金最高不超過(guò)100萬(wàn)元。

第九條 支持創(chuàng)建制造業(yè)創(chuàng)新中心和先進(jìn)產(chǎn)業(yè)技術(shù)研發(fā)平臺(tái)。對(duì)當(dāng)年新獲批國(guó)家級(jí)、省級(jí)制造業(yè)創(chuàng)新中心，分別給予2000萬(wàn)元、200萬(wàn)元獎(jiǎng)勵(lì)，晉級(jí)補(bǔ)差。鼓勵(lì)產(chǎn)業(yè)龍頭骨干企業(yè)和技術(shù)優(yōu)勢(shì)單位強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，以股份制方式新組建先進(jìn)產(chǎn)業(yè)技術(shù)研發(fā)平臺(tái)，連續(xù)3年每年給予100萬(wàn)元經(jīng)費(fèi)補(bǔ)貼。

第十條 支持功率半導(dǎo)體及集成電路領(lǐng)域高端人才（團(tuán)隊(duì)）來(lái)區(qū)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)。經(jīng)認(rèn)定后以股權(quán)投資和資金補(bǔ)助結(jié)合的方式可給予每個(gè)高端人才（團(tuán)隊(duì)）項(xiàng)目最高500萬(wàn)元資金支持，企業(yè)獲利后，根據(jù)高新區(qū)財(cái)政實(shí)得部分，給予連續(xù)3年100%的支持，同一企業(yè)年度補(bǔ)助最高不超過(guò)500萬(wàn)元。

第十一條 加大高層次人才獎(jiǎng)補(bǔ)支持。經(jīng)認(rèn)定的功率半導(dǎo)體及集成電路企業(yè)高級(jí)管理、技術(shù)人才，年度工資薪金收入個(gè)人所得稅實(shí)繳1萬(wàn)元/年以上的（含），按上一自然年度個(gè)人所得稅實(shí)繳金額高新區(qū)財(cái)政實(shí)得部分的100%予以支持。

第十二條 加大產(chǎn)業(yè)博士和碩士引才支持。新引進(jìn)在長(zhǎng)沙高新區(qū)企業(yè)全職工作的全日制博士，給予40萬(wàn)元-60萬(wàn)元生活補(bǔ)貼，在麓谷園區(qū)購(gòu)房可給予10萬(wàn)元購(gòu)房補(bǔ)貼。新引進(jìn)在長(zhǎng)沙高新區(qū)創(chuàng)辦企業(yè)的博士，經(jīng)評(píng)審可給予30萬(wàn)元-100萬(wàn)元?jiǎng)?chuàng)業(yè)扶持資金。歸集一批辦公場(chǎng)地作為博士創(chuàng)業(yè)孵化基地，為博士初創(chuàng)企業(yè)提供三年免費(fèi)場(chǎng)所和相關(guān)服務(wù)；對(duì)于特別優(yōu)質(zhì)創(chuàng)業(yè)項(xiàng)目和創(chuàng)業(yè)團(tuán)隊(duì)，采取“一事一議”的方式，最高給予1億元?jiǎng)?chuàng)業(yè)扶持資金。新引進(jìn)在長(zhǎng)沙高新區(qū)企業(yè)全職工作的碩士，在麓谷園區(qū)內(nèi)購(gòu)房可給予3萬(wàn)元-5萬(wàn)元購(gòu)房補(bǔ)貼。

第十三條 支持培訓(xùn)基地建設(shè)。對(duì)于獲批為市先進(jìn)計(jì)算領(lǐng)域?qū)W生實(shí)訓(xùn)（實(shí)習(xí)）基地的單位，一次性給予實(shí)訓(xùn)基地單位30萬(wàn)元獎(jiǎng)勵(lì)。

第十四條 定期組織開(kāi)展產(chǎn)業(yè)鏈上中下游核心企業(yè)市場(chǎng)對(duì)接和技術(shù)交流活動(dòng)。支持符合條件的功率半導(dǎo)體及集成電路產(chǎn)品納入長(zhǎng)沙市兩型產(chǎn)品目錄。對(duì)企業(yè)采購(gòu)園區(qū)非關(guān)聯(lián)企業(yè)生產(chǎn)的材料、芯片、關(guān)鍵零部件和設(shè)備，以及集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)品和服務(wù)、封裝測(cè)試服務(wù)，按照實(shí)際采購(gòu)金額的5%給予補(bǔ)貼，單個(gè)企業(yè)年度補(bǔ)助最高不超過(guò)250萬(wàn)元。采購(gòu)后產(chǎn)品必須用于企業(yè)的生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)，用于貿(mào)易及物流等環(huán)節(jié)的不予支持。

第十五條 支持示范應(yīng)用推廣。支持國(guó)產(chǎn)芯片在5G、新能源汽車(chē)、智能終端、智能網(wǎng)聯(lián)、北斗等多個(gè)領(lǐng)域的融合應(yīng)用。對(duì)于入選市示范應(yīng)用項(xiàng)目的，給予示范應(yīng)用項(xiàng)目技術(shù)、產(chǎn)品及服務(wù)提供商實(shí)際研發(fā)投入15%的獎(jiǎng)勵(lì)，單個(gè)企業(yè)年度補(bǔ)助最高不超過(guò)100萬(wàn)元。鼓勵(lì)北斗系統(tǒng)、設(shè)備及產(chǎn)品的市場(chǎng)開(kāi)拓。對(duì)經(jīng)認(rèn)定的園區(qū)企業(yè)新研制的北斗系統(tǒng)、設(shè)備及產(chǎn)品的首筆訂單，按銷(xiāo)售收入的6%進(jìn)行獎(jiǎng)勵(lì)，單個(gè)產(chǎn)品最高不超過(guò)60萬(wàn)元。對(duì)經(jīng)認(rèn)定的園區(qū)企業(yè)生產(chǎn)的北斗系統(tǒng)、設(shè)備及產(chǎn)品，按年度銷(xiāo)售額度的3%給予補(bǔ)貼，單個(gè)企業(yè)每年最高不超過(guò)150萬(wàn)元。

第十六條 支持建設(shè)公共技術(shù)服務(wù)平臺(tái)。支持企業(yè)、高校和科研院所建設(shè)公共EDA（電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化）技術(shù)服務(wù)、IP復(fù)用與SoC（系統(tǒng)級(jí)芯片）開(kāi)發(fā)、MPW（多項(xiàng)目晶圓）服務(wù)、集成電路設(shè)計(jì)工具租賃、檢測(cè)及認(rèn)證等公共技術(shù)服務(wù)平臺(tái)。經(jīng)認(rèn)定后，對(duì)當(dāng)年新建的公共技術(shù)服務(wù)平臺(tái)，實(shí)際投入達(dá)2000萬(wàn)元以上的，按照實(shí)際投資金額的10%給予補(bǔ)貼，同一平臺(tái)補(bǔ)貼金額最高不超過(guò)500萬(wàn)元；對(duì)經(jīng)認(rèn)定后運(yùn)營(yíng)2年以上的集成電路公共服務(wù)平臺(tái)，按照服務(wù)合同實(shí)際完成額的10%給予補(bǔ)貼，同一平臺(tái)每年補(bǔ)貼金額最高不超過(guò)200萬(wàn)元。

綜合整理自 國(guó)際電子商情 華聲在線 長(zhǎng)沙晚報(bào)

審核編輯 黃昊宇