新型硅基快速恢復(fù)體二極管超結(jié) MOSFET系列為全橋相移ZVS拓撲提供理想的效率和可靠性

ST超結(jié)快速恢復(fù)硅基功率MOSFET兼具超低恢復(fù)電荷（Qrr）和超快快恢復(fù)時間（trr），以及出色的品質(zhì)因數(shù)（RDS（on）x Qg），能夠為要求嚴苛的橋式拓撲和ZVS相移轉(zhuǎn)換器帶來極高的效率和功率水平，適用于工業(yè)和汽車應(yīng)用。該產(chǎn)品系列提供了廣泛的封裝選項，包括長引線 TO-247、TO-LL，以及SOT223-2封裝。

最新的快速恢復(fù)體二極管超結(jié)MOSFET技術(shù)針對要求嚴苛的橋式拓撲和ZVS相移轉(zhuǎn)換器進行了優(yōu)化。

STPOWER MOSFET MDmesh DM9系列的擊穿電壓范圍600 - 650V，降低了反向恢復(fù)效應(yīng)，提升了最高允許di/dt和dv/dt。具有極低的通態(tài)電阻（RDS（on））和柵電荷（Qg），與同類競爭器件和意法半導(dǎo)體先前的技術(shù)相比，幫助設(shè)計人員獲得了更高的效率水平。

關(guān)鍵特性

行業(yè)領(lǐng)先的品質(zhì)因數(shù)（RDS（on） x Qg）

體二極管反向恢復(fù)時間（trr）性能提高

提高了dv/dt（120V/ns）和di/dt能力（1300A/μs）

優(yōu)化了體二極管恢復(fù)階段和平緩性