5納米芯片和7納米芯片的區(qū)別
5納米芯片相比7納米芯片的工藝技術(shù)要求更高、更好更低、性能更好。芯片工藝中5nm和7nm的兩個(gè)數(shù)值，代表的是芯片晶體管導(dǎo)電溝道的長(zhǎng)度。
拿蘋果5nm工藝的蘋果A14和7nm工藝的蘋果A13為例，A14有118億個(gè)晶體管，A13有85億個(gè)晶體管，A14的CPU性能增幅約16%，GPU性能增幅大約為8.3.
從目前芯片制造工藝的技術(shù)角度來(lái)看，5nm制程工藝已經(jīng)很接近極限了。但納米級(jí)芯片制造工藝的數(shù)值，也不能真正的代表柵極寬度的數(shù)值。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
芯片
+關(guān)注
關(guān)注
463文章
54369瀏覽量
468953 -
7納米
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
55瀏覽量
15166 -
5納米
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
27瀏覽量
5132
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
華中科技大學(xué)：研發(fā)納米材料與MEMS的“微納合奏”傳感芯片
和熊掌不可兼得”的難題：高性能納米功能材料往往與硅基加工工藝(如強(qiáng)堿性腐蝕液TMAH)不兼容。傳統(tǒng)“先制造結(jié)構(gòu)，后轉(zhuǎn)移材料”模式，極易導(dǎo)致納米薄膜厚度不均勻或傳感器件結(jié)構(gòu)受損，嚴(yán)重制約了芯片的靈敏度和一致性。長(zhǎng)期以來(lái)，如何將高性
納米AZO
納米AZO 杭州九湖新材料科技有限公司 熱線 壹伍貳陸捌壹捌貳伍零玖 李經(jīng)理
基本信息:
特點(diǎn):在Zn0中摻雜A1203簡(jiǎn)稱AZ0，耐高溫，導(dǎo)電性好，高溫穩(wěn)定性強(qiáng)，防輻射性能好。該產(chǎn)品是一種價(jià)格相對(duì)
發(fā)表于 03-23 13:22
探索MAX18000：納米功率升壓轉(zhuǎn)換器的卓越之選
探索MAX18000：納米功率升壓轉(zhuǎn)換器的卓越之選 在電子設(shè)備不斷追求小型化、低功耗的今天，電源管理芯片的性能顯得尤為關(guān)鍵。MAX18000作為一款納米功率升壓轉(zhuǎn)換器，以其出色的性能和豐富的功能
3納米芯片的發(fā)展對(duì)錫膏行業(yè)的挑戰(zhàn)？
3納米芯片的發(fā)展對(duì)錫膏行業(yè)提出了更高技術(shù)要求、加劇了市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)、推動(dòng)了材料創(chuàng)新并帶來(lái)了成本控制壓力，但同時(shí)也為行業(yè)帶來(lái)了新的市場(chǎng)機(jī)遇。下面是一些應(yīng)對(duì)策略與亮點(diǎn)可簡(jiǎn)要概括：
基于太陽(yáng)光模擬的納米材料熱光電性能測(cè)試
隨著能源與環(huán)境危機(jī)的加劇，納米材料因其在熱電轉(zhuǎn)換和光電轉(zhuǎn)換方面的優(yōu)異性能，成為新能源材料研究的熱點(diǎn)。納米結(jié)構(gòu)材料如硅納米線陣列、納米復(fù)合薄膜等，在熱電性能和光電性能方面展現(xiàn)出巨大潛力。
決戰(zhàn)納米級(jí)缺陷！東亞合成IXEPLAS納米離子捕捉劑如何助力先進(jìn)封裝？
隨著芯片制程不斷微縮，先進(jìn)封裝中的離子遷移問(wèn)題愈發(fā)凸顯。傳統(tǒng)微米級(jí)添加劑面臨分散不均、影響流動(dòng)性等挑戰(zhàn)。本文將深度解析日本東亞合成IXEPLAS納米級(jí)離子捕捉劑的技術(shù)突破，及其在解決高密度封裝可靠性難題上的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。
三星公布首批2納米芯片性能數(shù)據(jù)
三星公布了即將推出的首代2nm芯片性能數(shù)據(jù)；據(jù)悉，2nm工藝采用的是全柵極環(huán)繞（GAA）晶體管技術(shù)，相比第二代3nm工藝，性能提升5%，功耗效率提高8%，芯片面積縮小5%。
納米加工技術(shù)的核心：聚焦離子束及其應(yīng)用
聚焦離子束技術(shù)的崛起在納米科技蓬勃發(fā)展的浪潮中，納米尺度制造業(yè)正以前所未有的速度崛起，而納米加工技術(shù)則是這一領(lǐng)域的心臟。聚焦離子束（FocusedIonBeam，F(xiàn)IB）作為納米加工的
臺(tái)積電2納米制程試產(chǎn)成功，AI、5G、汽車芯片
臺(tái)積電2nm 制程試產(chǎn)成功 近日，晶圓代工龍頭臺(tái)積電（TSMC）正式宣布其2納米制程技術(shù)試產(chǎn)成功，這一重大里程碑標(biāo)志著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正式邁入全新的制程時(shí)代。隨著試產(chǎn)工作的順利推進(jìn)，2納米芯片距離量產(chǎn)
MediaTek采用臺(tái)積電2納米制程開發(fā)芯片
MediaTek 今日宣布，MediaTek 首款采用臺(tái)積電 2 納米制程的旗艦系統(tǒng)單芯片（SoC）已成功完成設(shè)計(jì)流片（Tape out），成為首批采用該技術(shù)的公司之一，并預(yù)計(jì)明年底進(jìn)入量產(chǎn)。雙方
上海交通大學(xué):研究可調(diào)多孔金覆蓋納米光學(xué)天線生物傳感芯片
，如何最大化利用納米光學(xué)結(jié)構(gòu)的等離子共振效應(yīng)，使得低濃度、低樣本量目標(biāo)分子在生物免疫實(shí)驗(yàn)中達(dá)到更高的檢測(cè)信號(hào)強(qiáng)度是技術(shù)創(chuàng)新的關(guān)鍵。本項(xiàng)研究通過(guò)三維納米級(jí)制造方法，批量化制造具有宏觀陣列結(jié)構(gòu)與納米級(jí)金屬孔徑的
今日看點(diǎn)丨臺(tái)積電開除多名違規(guī)獲取2納米芯片信息的員工，蘋果腦控實(shí)機(jī)視頻曝光
? ? 違規(guī)獲取2納米芯片信息，臺(tái)積電開除多名員工 據(jù)《日經(jīng)亞洲》報(bào)道，臺(tái)積電已開除多名違反尖端芯片技術(shù)敏感信息獲取規(guī)定的員工，并就此啟動(dòng)法律程序。多位知情人士透露，多名臺(tái)積電前員工涉嫌在任
發(fā)表于 08-06 09:34
?1866次閱讀
壓電納米定位系統(tǒng)如何重塑納米壓印精度邊界
的問(wèn)題，還存在工藝復(fù)雜度大幅增加的瓶頸。而納米壓印技術(shù)憑借其在高分辨率加工、低成本生產(chǎn)以及高量產(chǎn)效率等方面的顯著優(yōu)勢(shì)，正逐步成為下一代微納制造領(lǐng)域的核心技術(shù)之一。 （注：圖片來(lái)源于網(wǎng)絡(luò)） 一、納米壓?。?b class='flag-5'>芯片制造領(lǐng)域的
超聲波指紋模組靈敏度飛升！低溫納米燒結(jié)銀漿立大功
工藝中。
低溫?zé)Y(jié)，開啟便捷高效大門
低溫?zé)Y(jié)是AS9120BL3納米銀漿的一大顯著優(yōu)勢(shì)，也是其區(qū)別于傳統(tǒng)銀漿的關(guān)鍵特性。與傳統(tǒng)銀漿通常需要在高溫下進(jìn)行燒結(jié)不同，低溫納米燒結(jié)銀漿的燒結(jié)溫度在120
發(fā)表于 05-22 10:26
評(píng)論