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東芝半導(dǎo)體N溝道30V MOSFET器件SSM6K809R介紹

東芝半導(dǎo)體 ? 來(lái)源:東芝半導(dǎo)體 ? 作者:東芝半導(dǎo)體 ? 2022-08-26 11:01 ? 次閱讀
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隨著科技的不斷革新發(fā)展,MOSFET產(chǎn)品也經(jīng)過(guò)技術(shù)的迭代升級(jí)有了更加優(yōu)越的表現(xiàn)。但如何提升器件性能的同時(shí)進(jìn)一步降低器件的自身?yè)p耗依舊是亟待解決的問(wèn)題。為此東芝半導(dǎo)體拓展了MOSFET產(chǎn)品線,推出了適用于頭燈控制開(kāi)關(guān)等車載小型設(shè)備的N溝道30V MOSFET器件——SSM6K809R,該器件通過(guò)東芝新型工藝技術(shù)設(shè)計(jì)把設(shè)備功耗深度壓縮。

一、電氣屬性綜述

SSM6K809R采用東芝半導(dǎo)體獨(dú)有的新工藝技術(shù)(U-MOSⅧ-H)設(shè)計(jì),具有行業(yè)先進(jìn)的低導(dǎo)通電阻。并且通過(guò)扁平引腳封裝的設(shè)計(jì),提升了器件安裝能力,降低了熱阻。該產(chǎn)品采用的小型TSOP6F封裝,減少了所占板載空間。額定功率損耗為1.5W,不會(huì)造成能源浪費(fèi)。此外,SSM6K809R符合AEC-Q101車規(guī)級(jí)標(biāo)準(zhǔn),通道溫度最高可達(dá)175℃,滿足車載環(huán)境要求。

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二、動(dòng)態(tài)特性分析

SSM6K809R的漏極電流最高可達(dá)6A,最大支持1KHz的PWM脈沖信號(hào),對(duì)于車載燈的控制恰到好處。

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得益于產(chǎn)品強(qiáng)大的負(fù)載能力,在設(shè)計(jì)中可以將其配合額外的多組輸入信號(hào)源做矩陣式LED控制電路,從而達(dá)到獨(dú)立控制多個(gè)LED的照明目的。具體可前往東芝官網(wǎng),參考東芝矩陣式LED前照燈設(shè)計(jì)。

三、應(yīng)用場(chǎng)景部署

隨著節(jié)能減排的大力發(fā)展,新能源車的產(chǎn)業(yè)得到了蓬勃發(fā)展,提高電池容納能力和降低車載器件設(shè)備功耗開(kāi)銷是有效節(jié)能的一個(gè)重要措施。SSM6K809R適合用于車載應(yīng)用,如前大燈、轉(zhuǎn)向燈、日間行車燈、USB充電器等,以低導(dǎo)通電阻降低功耗持續(xù)節(jié)能。

科技引領(lǐng)生活,東芝半導(dǎo)體堅(jiān)持科技創(chuàng)新用更安全、更出色、更智能的電子產(chǎn)品服務(wù)市場(chǎng)大眾。作為全球知名的半導(dǎo)體企業(yè),東芝擁有先進(jìn)的實(shí)驗(yàn)設(shè)備和專業(yè)的研發(fā)團(tuán)隊(duì),持續(xù)耕耘創(chuàng)新電子元器件的性能特性,致力打造一個(gè)可持續(xù)的未來(lái)迎接美好生活。

審核編輯:湯梓紅

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原文標(biāo)題:性能提升,功耗降低!,這樣的MOSFET是你的最愛(ài)么?

文章出處:【微信號(hào):toshiba_semicon,微信公眾號(hào):東芝半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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