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通過放置‘墊腳石’將半導體器件的功耗減半

3DInCites中文 ? 來源:3DInCites中文 ? 作者:3DInCites中文 ? 2022-09-26 16:38 ? 次閱讀
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墊腳石是用來幫助旅行者過河的。只要有連接河兩岸的墊腳石,人們只要幾步就可輕易過河。利用同樣的原理,來自浦項科技大學(POSTECH)的一個研究團隊開發(fā)了一項技術(shù),通過放置‘墊腳石’將半導體器件的功耗減半。

由POSTECH的Junwoo Son教授和Minguk Cho博士(材料科學與工程系)領(lǐng)導的一個研究團隊通過插入鉑納米顆粒,成功地且最大限度地提高了氧化物半導體器件的開關(guān)效率。

具有金屬-絕緣體相變的氧化物材料是制造低功率半導體器件的關(guān)鍵材料,因為這種材料的相位在達到閾值電壓時可迅速從絕緣體轉(zhuǎn)變?yōu)榻饘佟?/p>

當幾個納米(nm,十億分之一米)單位大的絕緣體區(qū)域轉(zhuǎn)變?yōu)榻饘賲^(qū)域時,就會發(fā)生金屬-絕緣體相變。而關(guān)鍵是降低施加在器件上的電壓的大小,以提高半導體器件的開關(guān)效率。

研究團隊通過使用鉑納米顆粒成功地提高了器件的開關(guān)效率。當向設(shè)備施加電壓時,電流“跳過”這些粒子,并發(fā)生快速相變。

該設(shè)備的記憶效果也增加了一百多萬倍。一般來說,電壓切斷后,該設(shè)備會立即變?yōu)榻^緣體相,此時沒有電流流動;這個持續(xù)時間非常短,只有百萬分之一秒。然而,據(jù)證實,記住設(shè)備先前點火的記憶效果可以增加到幾秒鐘,并且由于鉑納米顆粒附近殘留的金屬區(qū)域,設(shè)備可以在相對低的電壓下再次運行。

這項技術(shù)預(yù)計對于開發(fā)下一代電子設(shè)備至關(guān)重要,例如智能半導體或神經(jīng)形態(tài)半導體設(shè)備,它們可以用更少的功率處理大量數(shù)據(jù)。

審核編輯 :李倩

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原文標題:可降低半導體元器件功耗的‘墊腳石’技術(shù)

文章出處:【微信號:gh_961d148c74dc,微信公眾號:3DInCites中文】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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