本系列的上、下兩篇文章將探討如何設(shè)計(jì)防反保護(hù)電路。本文為上篇，我們將介紹汽車電源線上的各種脈沖干擾，然后討論防反保護(hù)電路的常見(jiàn)類型，并重點(diǎn)關(guān)注 PMOS電路; 下篇 將討論使用 NMOS和驅(qū)動(dòng)器 IC 實(shí)現(xiàn)的防反保護(hù)電路設(shè)計(jì)。

脈沖干擾

圖 1 顯示了不同應(yīng)用場(chǎng)景下電源線上可能出現(xiàn)的各種脈沖類型。例如，當(dāng)大功率負(fù)載突然關(guān)閉，電池電壓可能產(chǎn)生過(guò)沖;當(dāng)大功率負(fù)載突然啟動(dòng)，電池電壓將會(huì)跌落。當(dāng)感應(yīng)線束突然松動(dòng)，負(fù)載上將產(chǎn)生負(fù)電壓脈沖。而發(fā)電機(jī)運(yùn)行時(shí)，交流紋波會(huì)疊加在電池上。還有使用跳線時(shí)，備用電池可能使用錯(cuò)誤，從而導(dǎo)致極性反接，此時(shí)電池電壓極性長(zhǎng)時(shí)間反接。

圖1: 不同應(yīng)用場(chǎng)景下的脈沖類型

為解決汽車電源線上可能存在的各種脈沖干擾，行業(yè)協(xié)會(huì)和主要汽車制造商已經(jīng)制定了相關(guān)的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)來(lái)模擬電源線的瞬態(tài)脈沖。這些標(biāo)準(zhǔn)包括 ISO 7637-2 和 ISO 16750-2，以及梅賽德斯-奔馳和大眾汽車的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)。防反保護(hù)電路作為最前端的電路，也必須滿足行業(yè)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)。

防反保護(hù)電路

防反保護(hù)電路包括三種基本類型，如下所述。

串聯(lián)肖特基二極管

這種電路通常用于 2A 至 3A 之間的小電流應(yīng)用，其電路簡(jiǎn)單且成本低，但功耗較大。

在高邊串聯(lián)PMOS

對(duì)于電流超過(guò) 3A 的應(yīng)用，可以將PMOS放置在高邊。這種驅(qū)動(dòng)電路相對(duì)簡(jiǎn)單，但缺點(diǎn)是PMOS成本較高。

當(dāng)電源正接時(shí)，PMOS溝道導(dǎo)通，管壓降小，損耗和溫升低。 當(dāng)電源反接時(shí)，PMOS溝道關(guān)斷，寄生體二極管實(shí)現(xiàn)防反保護(hù)功能。

在低邊串聯(lián)NMOS

這種電路需要在低邊放置一個(gè) NMOS。簡(jiǎn)化的柵極驅(qū)動(dòng)電路通常會(huì)采用高性價(jià)比的 NMOS。找元器件現(xiàn)貨上唯樣商城該電路的功能類似于放置在高邊的 PMOS。但是，這種防反保護(hù)結(jié)構(gòu)意味著電源地和負(fù)載地是分開(kāi)的，這種結(jié)構(gòu)在汽車電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)中很少使用。

圖 2 對(duì)這幾種防反保護(hù)電路進(jìn)行了總結(jié)。

圖 2：防反保護(hù)電路的類型

本文將重點(diǎn)介紹PMOS防反保護(hù)電路。

PMOS

大多數(shù)傳統(tǒng)的防反保護(hù)電路均采用PMOS，其柵極接電阻到地。如果輸入端連接正向電壓，則電流通過(guò) PMOS 的體二極管流向負(fù)載端。如果正向電壓超過(guò) PMOS的電壓閾值，則通道導(dǎo)通。這降低了 PMOS 的漏源電壓 (VDS)，從而降低了功耗。柵極與源極之間通常會(huì)連接一個(gè)電壓調(diào)節(jié)器，以防止柵源電壓 (VGS) 出現(xiàn)過(guò)壓情況，同時(shí)還可以保護(hù) PMOS在輸入功率波動(dòng)時(shí)不會(huì)被擊穿。

但基本的 PMOS 防反保護(hù)電路也有兩個(gè)缺點(diǎn)：系統(tǒng)待機(jī)電流大和存在反灌電流。下面將對(duì)此進(jìn)行詳述。

系統(tǒng)待機(jī)電流較大

當(dāng)PMOS用于防反保護(hù)電路時(shí)， VGS 和保護(hù)電路(由齊納二極管和限流電阻組成)周圍會(huì)存在漏電流。因此，限流電阻 (R) 會(huì)對(duì)整體待機(jī)功耗產(chǎn)生影響。

限流電阻的取值不應(yīng)太大。一方面，普通穩(wěn)壓管的正常鉗位電流基本為mA級(jí)，如果限流電阻過(guò)大，齊納二極管不能可靠導(dǎo)通，鉗位性能會(huì)明顯降低，從而導(dǎo)致 VGS 出現(xiàn)過(guò)壓風(fēng)險(xiǎn)。另一方面，限流電阻太大意味著PMOS 驅(qū)動(dòng)電流較小，這會(huì)導(dǎo)致較慢的開(kāi)/關(guān)過(guò)程。如果輸入電壓(VIN) 發(fā)生波動(dòng)，PMOS可能會(huì)長(zhǎng)時(shí)間工作在線性區(qū)域(在該區(qū)域的 MOSFET 未完全導(dǎo)通)，由此產(chǎn)生的高電阻會(huì)導(dǎo)致器件過(guò)熱。

圖 3 顯示了傳統(tǒng) PMOS 防反保護(hù)電路中的待機(jī)電流。

圖 3：傳統(tǒng) PMOS 防反保護(hù)電路中的待機(jī)電流

存在反灌電流

在進(jìn)行 ISO 16750 輸入電壓跌落測(cè)試時(shí)，PMOS 在 VIN 跌降時(shí)保持開(kāi)路。在這種情況下，系統(tǒng)電容電壓會(huì)使電源極性反轉(zhuǎn)，從而導(dǎo)致系統(tǒng)電源故障并觸發(fā)中斷功能。而在疊加交流電輸入電壓測(cè)試中，由于 PMOS 完全開(kāi)路，將導(dǎo)致電流回流。這會(huì)迫使電解電容反復(fù)充電和放電，最終導(dǎo)致過(guò)熱。

圖 4 顯示了輸入電壓的跌落測(cè)試。

圖 4：輸入電壓跌落測(cè)試

結(jié)語(yǔ)

本文回顧了傳統(tǒng) PMOS 防反保護(hù)電路及其主要缺點(diǎn)，包括大的系統(tǒng)待機(jī)電流和反灌電流。 本系列的 下篇 將討論采用 NMOS 和升降壓驅(qū)動(dòng) IC 設(shè)計(jì)防反保護(hù)電路的優(yōu)勢(shì)。

審核編輯：湯梓紅