劍指第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，國(guó)星光電產(chǎn)品布局再完善！近日，國(guó)星光電研究院乘勢(shì)推出以TO-247-4L為封裝形式的NSiC-KS系列產(chǎn)品，可應(yīng)用于移動(dòng)儲(chǔ)能、光伏逆變、新能源汽車(chē)充電樁等場(chǎng)景，為新能源市場(chǎng)再添實(shí)力猛將！

國(guó)星光電NSiC-KS

隨著工業(yè)4.0時(shí)代及新能源汽車(chē)的快速普及，工業(yè)電源、高壓充電器對(duì)功率器件開(kāi)關(guān)損耗、功率密度等性能的要求也不斷提高，新型高頻器件SiC MOSFET因其耐壓高、導(dǎo)通電阻低、開(kāi)通損耗小等優(yōu)異特點(diǎn)，正以迅猛發(fā)展之勢(shì)搶占新能源市場(chǎng)。

國(guó)星光電憑借領(lǐng)先的封裝技術(shù)優(yōu)勢(shì)，通過(guò)科學(xué)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)，采用帶輔助源極管腳的TO-247-4L作為NSiC-KS系列產(chǎn)品的封裝形式，并將之應(yīng)用于SiC MOSFET上，取得分立器件在開(kāi)關(guān)損耗、驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)等方面的新突破。

國(guó)星光電NSiC-KS亮點(diǎn)在何處？

比一比，就知道

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以國(guó)星光電第三代半導(dǎo)體 NSiC系列 1200V 80mΩ的SiC MOSFET產(chǎn)品為例，一起來(lái)對(duì)比常規(guī)TO-247-3L封裝和以TO-247-4L為封裝形式的NSiC-KS封裝在“封裝設(shè)計(jì)”“開(kāi)通損耗”“開(kāi)關(guān)損耗”及“開(kāi)關(guān)頻率及誤啟風(fēng)險(xiǎn)”四個(gè)方面的差異。

?快速閱讀，先看結(jié)論：

采用NSiC-KS封裝的SiC MOSFET，避免了驅(qū)動(dòng)回路和功率回路共用源極線路，實(shí)現(xiàn)了這兩個(gè)回路的解耦，使得NSiC-KS封裝的SiC MOSFET開(kāi)關(guān)損耗、開(kāi)通損耗均明顯降低，開(kāi)關(guān)頻率更快，寄生電感與誤開(kāi)啟風(fēng)險(xiǎn)更低。

查看TO-247-3L封裝 VS NSiC-KS封裝對(duì)比

01.封裝設(shè)計(jì)

NSiC-KS系列產(chǎn)品的封裝形式相對(duì)于TO-247-3L，NSiC-KS系列產(chǎn)品多了一個(gè)S極管腳，其可稱為輔助源極或者開(kāi)爾文源極腳KS(Kelvin-Source)。

02.開(kāi)通損耗

■TO-247-3L封裝：

在SiC MOSFET開(kāi)通過(guò)程中，漏極電流ID迅速上升，較高的電流變化率在功率源極雜散電感Lsource上產(chǎn)生較大的正壓降LSource*(dID)/dt（上正下負(fù)），該壓降使得SiC MOSFET芯片上的門(mén)極電壓VGS_real在開(kāi)通的瞬間不是驅(qū)動(dòng)電壓的數(shù)值，而是減掉Lsource上產(chǎn)生的電壓，所以，開(kāi)通瞬間的門(mén)極電壓大幅下降，導(dǎo)致ID上升速度減慢，Eon因此而增大。

■NSiC-KS封裝：

基于開(kāi)爾文源極腳（KS）的存在，門(mén)極回路中沒(méi)有大電流穿過(guò)，沒(méi)有來(lái)自主功率回路的擾動(dòng)，芯片的門(mén)極能正確地感受到驅(qū)動(dòng)電壓，從而降低了開(kāi)通損耗。經(jīng)過(guò)實(shí)測(cè)對(duì)比，NSiC-KS封裝較之TO-247-3L封裝，開(kāi)通損耗可明顯降低約55%。

03.開(kāi)關(guān)損耗

由于NSiC-KS封裝開(kāi)爾文源極腳（KS）可以分離電源源極引腳和驅(qū)動(dòng)器源極引腳，可減少電感分量的影響，讓SiC MOSFET的高速開(kāi)關(guān)性能得以充分發(fā)揮。經(jīng)過(guò)實(shí)測(cè)對(duì)比，NSiC-KS封裝較之TO-247-3L封裝，開(kāi)關(guān)損耗降低約35%。

04.開(kāi)關(guān)頻率及誤啟風(fēng)險(xiǎn)

■開(kāi)啟時(shí)：

TO-247-3L封裝在漏-源間通過(guò)大電流時(shí)，因源極引腳的電感效應(yīng)，會(huì)降低柵極開(kāi)啟電壓，降低了導(dǎo)通速度。

NSiC-KS封裝中，由于增加了開(kāi)爾文源極腳（KS），降低了源極引腳電感效應(yīng)，通過(guò)SiC MOSFET的VGS電壓幾乎等于柵極驅(qū)動(dòng)電壓VDRV。因此，如下圖所示：與TO-247-3L封裝相比，NSiC-KS封裝有助于提高SiC MOSFET開(kāi)關(guān)速度。

■關(guān)斷時(shí)：

NSiC-KS封裝中柵極回路沒(méi)有大電流流過(guò)，基本不會(huì)產(chǎn)生反向感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)VLS，因而受到極低的功率回路的串?dāng)_，減小了關(guān)斷時(shí)VGS電壓的振蕩幅度，降低誤開(kāi)啟的風(fēng)險(xiǎn)。

國(guó)星光電NSiC-KS SiC MOSFET產(chǎn)品

多款選擇，因需而至

為滿足市場(chǎng)需求，國(guó)星光電NSiC-KS SiC MOSFET產(chǎn)品有多款型號(hào)選擇。同時(shí)，基于公司具備完整的SiC分立器件生產(chǎn)線，國(guó)星光電可根據(jù)客戶需要，提供高性能、高可靠性、高品質(zhì)的產(chǎn)品技術(shù)解決方案。

厚積薄發(fā)，走得更遠(yuǎn)。國(guó)星光電持續(xù)實(shí)施創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)發(fā)展戰(zhàn)略，走深走實(shí)“三代半封測(cè)”領(lǐng)域，積極打破關(guān)鍵技術(shù)壁壘，為我國(guó)第三代半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化提供更多高品質(zhì)的“星”方案，注入磅礴“星”力量。

審核編輯 ：李倩