三星第8代V-NAND已開始量產(chǎn)
三星第8代V-NAND已開始量產(chǎn)，具有目前三星同類產(chǎn)品中最高的存儲(chǔ)密度
三星宣布，已開始量產(chǎn)三星產(chǎn)品中具有最高存儲(chǔ)密度的 1Tb（太字節(jié)）三比特單元（TLC）第 8 代 V-NAND。1Tb 的全新 V-NAND 在目前三星 V-NAND 中具有最高的存儲(chǔ)密度，可為全球企業(yè)系統(tǒng)提供容量更大、密度更高的存儲(chǔ)解決方案。
三星電子第八代V-NAND，1Tb
三星采用 3D 縮放（3D scaling）技術(shù)，減少表面積并降低高度，同時(shí)避免了縮小時(shí)通常會(huì)發(fā)生的單元間的干擾。通過這項(xiàng)技術(shù)，三星顯著的提升每片晶圓的存儲(chǔ)密度，使三星的存儲(chǔ)密度達(dá)到了新的高度。基于最新 NAND 閃存標(biāo)準(zhǔn) Toggle DDR 5.0 接口的三星第 8 代 V-NAND，其輸入和輸出（I/O）速度高達(dá) 2.4 Gbps（千兆比特每秒），相比上一代提升了 1.2 倍，這可以滿足 PCIe 4.0 和更高版本 PCIe 5.0 的性能要求。
審核編輯 ：李倩
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
NAND
+關(guān)注
關(guān)注
16文章
1755瀏覽量
140970 -
存儲(chǔ)密度
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
5瀏覽量
6940 -
三星
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
1760瀏覽量
34125
原文標(biāo)題：三星第8代V-NAND已開始量產(chǎn)
文章出處：【微信號：西安集成電路，微信公眾號：西安集成電路】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
三星NAND漲價(jià)100%，存儲(chǔ)芯片迎來超級周期
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃山明）在內(nèi)存之后，閃存價(jià)格也開始暴漲。據(jù)韓國《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道，三星電子今年第一季度要將NAND閃存的供應(yīng)價(jià)格上調(diào)100%以上，這一漲幅遠(yuǎn)超市場預(yù)期，凸顯了當(dāng)前存儲(chǔ)芯片市場嚴(yán)重
三星2nm良率提升至50%，2027年前實(shí)現(xiàn)晶圓代工業(yè)務(wù)盈利可期
據(jù)報(bào)道，三星電子第一代2nm GAA制程（SF2）良率已穩(wěn)定在50%，該數(shù)據(jù)也通過其量產(chǎn)的Exynos 2600處理器得到印證。
三星美光缺貨怎么辦｜紫光國芯國產(chǎn)存儲(chǔ)芯片現(xiàn)貨供應(yīng)替代方案
缺貨先說說為什么會(huì)出現(xiàn)這種局面。三星和SK海力士從2024年底就開始減產(chǎn)NAND閃存,幅度還不小。SK海力士2025年NAND晶圓出貨量從2024年的201萬顆降
三星公布首批2納米芯片性能數(shù)據(jù)
三星公布了即將推出的首代2nm芯片性能數(shù)據(jù)；據(jù)悉，2nm工藝采用的是全柵極環(huán)繞（GAA）晶體管技術(shù)，相比第二代3nm工藝，性能提升5%，功耗效率提高8%，芯片面積縮小5%。
傳三星 HBM4 通過英偉達(dá)認(rèn)證，量產(chǎn)在即
開始實(shí)現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)。這一進(jìn)展將使得三星參與到下一階段HBM訂單的有力競爭。 ? 三星還在HBM3E上提供了非常具有吸引力的報(bào)價(jià)，傳聞向英偉達(dá)提供比SK海力士低20%至30%的報(bào)價(jià)，三星
三星最新消息：三星將在美國工廠為蘋果生產(chǎn)芯片 三星和海力士不會(huì)被征收100%關(guān)稅
給大家?guī)?b class='flag-5'>三星的最新消息： 三星將在美國工廠為蘋果生產(chǎn)芯片 據(jù)外媒報(bào)道，三星電子公司將在美國德克薩斯州奧斯汀的芯片代工廠生產(chǎn)蘋果公司的下一代芯片。而蘋果公司在新聞稿中也印證了這個(gè)一消息
曝三星S26拿到全球2nm芯片首發(fā)權(quán) 三星獲特斯拉千億芯片代工大單
我們來看看三星的最新消息： 曝三星S26拿到全球2nm芯片首發(fā)權(quán) 數(shù)碼博主“剎那數(shù)碼”爆料稱，三星Exynos 2600芯片已進(jìn)入質(zhì)量測試階段，計(jì)劃在今年10月完成基于HPB（High
瞻芯電子第3代1200V 35mΩ SiC MOSFET量產(chǎn)交付應(yīng)用
近期，中國領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率器件與IC解決方案供應(yīng)商——瞻芯電子開發(fā)的首批第3代1200V SiC 35mΩ MOSFET產(chǎn)品，憑借優(yōu)秀的性能與品質(zhì)贏得多家重要客戶訂單，已
回收三星S21指紋排線 適用于三星系列指紋模組
深圳帝歐電子回收三星S21指紋排線，收購適用于三星S21指紋模組。回收三星指紋排線，收購三星指紋排線，全國高價(jià)回收三星指紋排線，專業(yè)求購指紋
發(fā)表于 05-19 10:05
三星在4nm邏輯芯片上實(shí)現(xiàn)40%以上的測試良率
似乎遇到了一些問題 。
另一家韓媒《DealSite》當(dāng)?shù)貢r(shí)間17日報(bào)道稱，自 1z nm 時(shí)期開始出現(xiàn)的電容漏電問題正對三星 1c nm DRAM 的開發(fā)量產(chǎn)造成明顯影響。三星試圖通
發(fā)表于 04-18 10:52
三星辟謠晶圓廠暫停中國業(yè)務(wù)
對于網(wǎng)絡(luò)謠言三星晶圓代工暫停所有中國業(yè)務(wù)，三星下場辟謠。三星半導(dǎo)體在官方公眾號發(fā)文辟謠稱““三星晶圓代工暫停與中國部分公司新項(xiàng)目合作”的說法屬誤傳，
曝三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片
據(jù)外媒曝料稱三星已量產(chǎn)第四代4nm芯片。報(bào)道中稱三星自從2021年首次量產(chǎn)4nm芯片以來，每年都
閃存沖擊400層+，混合鍵合技術(shù)傳來消息
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，據(jù)韓媒報(bào)道，三星近日與長江存儲(chǔ)簽署了3D NAND混合鍵合專利許可協(xié)議，從第10代V-NAND
發(fā)表于 02-27 01:56
?1182次閱讀
工商網(wǎng)監(jiān)
評論