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      廈門云天Fine Pitch光刻工藝突破2um L/S

      半導(dǎo)體芯科技SiSC ? 來源：半導(dǎo)體芯科技SiSC ? 作者：半導(dǎo)體芯科技SiS ? 2022-11-30 17:07 ? 次閱讀
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      來源：云天半導(dǎo)體

      廈門云天半導(dǎo)體繼九月初8&12吋 “晶圓級封裝與無源器件生產(chǎn)線”正式通線后，經(jīng)過團隊的不懈努力， 8英寸晶圓Fine Pitch光刻工藝開發(fā)終破2/2um L/S大關(guān)；

      以下為部分工藝條件及成果展示：

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      膠厚均勻性 3.4%

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      CD開口均勻性 3%

      在Test Vehicle光罩下，測試了長線條&短線條，結(jié)果不論是在正性光阻還是負(fù)性光阻下， 2um的L/S下的線條都是完整而清晰的，而且沒有任何顯影不潔或過顯的外觀異常；

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      2um 短線條（光刻后）

      1e6f5f51fc1b47e088329dad5f994f39~noop.image?_iz=58558&from=article.pc_detail&x-expires=1670403531&x-signature=tQOyfUE1k5fzLjwfUbT7%2Blei3Cg%3D

      2um長線條-負(fù)膠（光刻后）

      5cfed836556e4c999a1d287a655244f4~noop.image?_iz=58558&from=article.pc_detail&x-expires=1670403531&x-signature=YRKFi3jZzspg%2BmaMbIPdGyo3fvM%3D

      2um長線條-正膠（光刻后）

      SEM切片效果圖如下，膠厚：3.308um，CD上開口：2.272um，CD下開口：1.716um，側(cè)壁垂直度約85.2°；

      9a440b4491af401e99d4c6d3a2fec7ee~noop.image?_iz=58558&from=article.pc_detail&x-expires=1670403531&x-signature=5weFdr3CFR5g9KBQK7toltpYZzA%3D

      2um孔徑SEM

      2um長線條經(jīng)過電鍍及種子層刻蝕后，線寬及線距均在工藝管控范圍內(nèi)，未出現(xiàn)線路Peeling及斷短路等外觀異常；

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      2um長線條-負(fù)膠（電鍍后）

      b832eb3f2f064d8491a3dec5c748de48~noop.image?_iz=58558&from=article.pc_detail&x-expires=1670403531&x-signature=l%2B6anMV946dwRtR%2FkgiOzDRD64Q%3D

      2um長線條-負(fù)膠（PVD刻蝕后）

      廈門云天半導(dǎo)體目前量產(chǎn)化最小L/S為10/10um，工程樣品能力最小L/S為7/7um，2/2um的L/S工藝的成功開發(fā)是二期通線后的一次重大突破。目前2/2um的L/S工藝還需進一步的開拓驗證，為后續(xù)量產(chǎn)化的導(dǎo)入做足準(zhǔn)備。廈門云天半導(dǎo)體將持續(xù)追求“創(chuàng)新、卓越、合作、奮斗”的精神，不斷挑戰(zhàn)極限、勇攀高峰！

      審核編輯黃昊宇

      聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
      • 光刻
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        <b class='flag-5'>光刻</b>膠的類型及特性