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      氮化鎵對比普通充電器有哪些優(yōu)勢

      jf_78858299 ? 來源：整合自網(wǎng)絡(luò) ? 作者：整合自網(wǎng)絡(luò) ? 2023-02-05 15:41 ? 次閱讀
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      氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性[半導體泵浦固體激光器（Diode-pumped solid-state laser）的條件下，產(chǎn)生紫光（405nm）激光。

      氮化鎵功率器件的特點

      1長脈寬，高占空比

      2工作頻帶寬，工作頻率高

      3輸出功率高，附加效率高

      4抗輻照能力強，環(huán)境適應性強

      氮化鎵對比普通充電器有哪些優(yōu)勢

      1體積優(yōu)勢

      2功率需求

      3適配性選擇

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