當(dāng)今世界，人們需要隨時(shí)訪問數(shù)據(jù)及服務(wù)。隨著用戶對(duì)數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施的需求不斷增長，數(shù)據(jù)中心客戶始終在追求更高的性能及可靠性。

盡管全球領(lǐng)先的處理器及服務(wù)器供應(yīng)商不斷推出性能更高的新一代平臺(tái)，但僅靠處理器的升級(jí)仍難以滿足客戶對(duì)性能及可靠性的需求，因?yàn)?DDR4 內(nèi)存無法為不斷增長的處理器內(nèi)核提供足夠高的帶寬。為此，半導(dǎo)體行業(yè)引入了 DDR5 內(nèi)存，突破內(nèi)存帶寬限制，助力擁有更多內(nèi)核的服務(wù)器訪問可擴(kuò)展的高性能內(nèi)存，解鎖全部性能與能效。然而該技術(shù)需要平臺(tái)支持，因此并非所有的數(shù)據(jù)中心客戶都能采用突破性的 DDR5 內(nèi)存。

如今，這一問題迎刃而解！2023 年 1 月 10 日，英特爾推出全新第四代英特爾至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器家族，提供了一系列新功能，包括首款支持 DDR5 內(nèi)存的服務(wù)器處理器。這些新平臺(tái)能夠?yàn)殛P(guān)鍵任務(wù)、存內(nèi)存儲(chǔ)和網(wǎng)絡(luò)工作負(fù)載提供更高的數(shù)據(jù)吞吐量。目前，多家服務(wù)器供應(yīng)商正積極準(zhǔn)備，希望借助英特爾平臺(tái)為數(shù)據(jù)中心客戶帶來全新的高性能系統(tǒng)。

DDR5 即將普及

美光致力于幫助客戶解決性能難題，領(lǐng)先的 DDR5 內(nèi)存能夠助力客戶提升數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載的性能及能效。美光與英特爾強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，為客戶端和數(shù)據(jù)中心用戶提供一流的使用體驗(yàn)，確保美光 DDR5 內(nèi)存在英特爾至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器系列中按時(shí)完成大規(guī)模驗(yàn)證。英特爾、美光和多家領(lǐng)先的服務(wù)器制造商現(xiàn)已在第四代英特爾至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器系列中完成了 16GB、32GB 和 64GB 的 DDR5 RDIMM 驗(yàn)證，這些新系統(tǒng)將為客戶帶來超凡的性能及可擴(kuò)展性。

在美光和其他半導(dǎo)體廠商的不懈努力下， JEDEC 為內(nèi)存制定了可靠的標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)范，使 DRAM 內(nèi)存制造很大程度上實(shí)現(xiàn)了標(biāo)準(zhǔn)化。盡管如此，構(gòu)建可靠的高性能服務(wù)器解決方案，仍需要整個(gè)生態(tài)系統(tǒng)密切合作。內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展對(duì)數(shù)據(jù)中心解決方案的演變至關(guān)重要，美光 DDR5 內(nèi)存與第四代英特爾至強(qiáng)平臺(tái)打造的解決方案也經(jīng)歷了一段漫長的旅程。

賦能至關(guān)重要

美光始終認(rèn)為可靠的早期組件和平臺(tái)支持對(duì)系統(tǒng)供應(yīng)商順利推出產(chǎn)品至關(guān)重要。為此，美光在 2020 年推出了面向 DDR5 的技術(shù)賦能計(jì)劃（TEP）。在該計(jì)劃中，美光開放了技術(shù)規(guī)格、熱力數(shù)據(jù)和其他關(guān)鍵信息的早期訪問權(quán)限，支持公司的合作伙伴在數(shù)據(jù)中心、客戶端、智能邊緣和云計(jì)算等方面，設(shè)計(jì)、開發(fā)并推出基于 DDR5 的計(jì)算平臺(tái)。截至目前，美光生態(tài)系統(tǒng)中已有 160 多家各具特色的公司在該平臺(tái)構(gòu)建、測(cè)試和驗(yàn)證他們的組件及系統(tǒng)。

近日，美光在新聞發(fā)布中展示了與英特爾的合作細(xì)節(jié)——從處理器啟動(dòng)、初步驗(yàn)證、共享工程樣片，到產(chǎn)品正式發(fā)布，美光內(nèi)存是英特爾大批量驗(yàn)證測(cè)試中不可或缺的一環(huán)。在合作中，108 種不同配置的美光內(nèi)存在第四代英特爾至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器中進(jìn)行了驗(yàn)證，這對(duì)于優(yōu)化客戶體驗(yàn)，并滿足客戶對(duì)可擴(kuò)展性的需求至關(guān)重要。

美光很高興看到首批搭載 DDR5 的平臺(tái)現(xiàn)已上市。接下來，美光將繼續(xù)與英特爾及生態(tài)系統(tǒng)合作，測(cè)試并驗(yàn)證下一代 DDR5（JEDEC 已制定了相關(guān)規(guī)范，未來 DDR5 的速率將逐步提升至 5600 MT/秒、6400 MT/秒 和 8800 MT/秒）。

性能提升

美光 DDR5 內(nèi)存與第四代英特爾至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器平臺(tái)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，為用戶帶來了更高性能！美光及生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴將發(fā)布更多相關(guān)文章以說明 DDR5 為新一代處理器帶來的性能提升。我們可以通過以下示例先睹為快：

美光 DDR5，助力 SPECjbb 運(yùn)行速度提高 1.48 倍

全新開發(fā)的 SPECjbb2015 基準(zhǔn)測(cè)試工具可衡量 Java 網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用性能和可擴(kuò)展性，與所有對(duì) Java 服務(wù)器性能感興趣的公司和個(gè)人息息相關(guān)，例如 Java 虛擬機(jī)（JVM）供應(yīng)商、硬件開發(fā)人員、Java 應(yīng)用開發(fā)人員、研究人員和學(xué)者。此次測(cè)試所用的工作負(fù)載旨在模擬電子商務(wù)工作負(fù)載。

DDR4 系統(tǒng)內(nèi)存帶寬可達(dá)每秒 408 GB；DDR5 系統(tǒng)內(nèi)存帶寬可達(dá)每秒 614 GB。

用于測(cè)試此工作負(fù)載的軟件堆棧：

·SUSE Enterprise Linux（SLES）15 SP4（DDR5 系統(tǒng)）和 Alma Linux 9.0（DDR4 系統(tǒng)）

·SPECjbb 2015 v1.03 版本

測(cè)試設(shè)置：

·Dell PowerEdge R750 系統(tǒng)，美光 DDR4 3200 MHz 64 GB RDIMM，第三代英特爾至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器（40 核，3.4 GHz）

·Dell PowerEdge R760 系統(tǒng)，美光 DDR5 4800 MHz 64GB RDIMM，第四代英特爾至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器（56 核，3.8 GHz）

測(cè)試結(jié)果：

1.DDR4 內(nèi)存系統(tǒng)（雙插槽 Dell PowerEdge R750 搭載第三代英特爾至強(qiáng)8380 鉑金處理器和美光 DDR4 3200 MHz 內(nèi)存），可實(shí)現(xiàn)最高每秒 408 GB的帶寬，以及每秒 135269 次關(guān)鍵 Java 操作。

2.DDR5 內(nèi)存系統(tǒng)（雙插槽 Dell PowerEdge R760 搭載第四代英特爾至強(qiáng)8480 鉑金處理器和美光 DDR5 4800 MHz 內(nèi)存），可實(shí)現(xiàn)最高每秒 614 GB 的帶寬，以及每秒 200288 次關(guān)鍵 Java 操作。

可靠性提升

數(shù)據(jù)是客戶的寶貴資產(chǎn)，他們?cè)谄谕@得更高性能的同時(shí)，也需要通過更多功能以提升數(shù)據(jù)和服務(wù)的可靠性、完整性與可用性。美光 DDR5 在可靠性方面同樣為客戶提供了附加價(jià)值，其中幾項(xiàng)新功能可以增強(qiáng)傳統(tǒng)服務(wù)器的 RAS 功能：

·片上糾錯(cuò)碼（ODECC）

·錯(cuò)誤檢查與清除（ECS）

·同步刷新（Same bank refresh）

片上糾錯(cuò)碼是 DDR5 規(guī)范中新增的功能，用于提高客戶使用質(zhì)量并實(shí)現(xiàn)未來的可擴(kuò)展性。憑借片上糾錯(cuò)碼功能，DDR5 能夠?qū)㈠e(cuò)誤碼發(fā)送到主機(jī) CPU/GPU 之前糾正所有單比特錯(cuò)誤。該功能進(jìn)一步完善了片上可靠性、可用性及可服務(wù)性 （RAS），減輕了許多高級(jí)服務(wù)器處理器中集成內(nèi)存控制器的工作負(fù)擔(dān)。

片上糾錯(cuò)碼的工作原理是：DDR5 每寫入 128 位數(shù)據(jù)，DRAM 就生成并保存一個(gè) 8 位代碼。當(dāng)執(zhí)行讀取操作時(shí)，DRAM 會(huì)校驗(yàn)組合的數(shù)據(jù)串，并糾正所有單比特錯(cuò)誤。

此外，DDR5 還引入了錯(cuò)誤檢查與清除（ECS）功能，當(dāng)檢測(cè)到單比特錯(cuò)誤時(shí)，設(shè)備會(huì)在內(nèi)部糾正數(shù)據(jù)。ECS 可以在 24 小時(shí)內(nèi)手動(dòng)或自動(dòng)運(yùn)行一次。錯(cuò)誤清除完畢后，DDR5 會(huì)報(bào)告已糾正的錯(cuò)誤數(shù)。

最后，低延遲應(yīng)用還可利用新引入的“同步刷新”功能，提升應(yīng)用的可用性與響應(yīng)能力。DDR4 在刷新時(shí)會(huì)鎖定所有 bank，DDR5 則能憑借細(xì)粒度 bank 刷新功能，實(shí)現(xiàn)更快的訪問速度?！巴剿⑿隆惫δ苤С謫未沃凰⑿乱粋€(gè) bank，保證其他 bank 組處于可用狀態(tài)，以供處理器訪問數(shù)據(jù)。

以上僅為 DDR5 新功能的幾個(gè)示例，新一代 DDR5 內(nèi)存還擁有更多其他優(yōu)勢(shì)。

DDR5 無處不在

英特爾近日推出的第四代英特爾至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器，大幅增加了基于 DDR5 的平臺(tái)可用性。主流的數(shù)據(jù)中心平臺(tái)客戶現(xiàn)可訪問新一代系統(tǒng)，享受超凡的性能、能效與可靠性。美光將繼續(xù)與整個(gè)生態(tài)系統(tǒng)合作，為新平臺(tái)和解決方案提供相應(yīng)的 DDR5 內(nèi)存產(chǎn)品，確保數(shù)據(jù)能夠在處理器內(nèi)核數(shù)量大幅增長的情況下暢行無阻，為客戶提供真正的價(jià)值。

審核編輯：湯梓紅