截至上一篇文章,結(jié)束了部件選型相關(guān)的內(nèi)容,本文將對(duì)此前介紹過的PCB電路板布局示例進(jìn)行總結(jié)。
使用SiC-MOSFET的隔離型準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器的PCB布局示例
下面是使用了通孔插裝型SiC MOSFET SCT2H12NZ的PCB布局示例。PCB使用雙面PCB板。這是引線部件的平面視圖。

下面是實(shí)際的PCB照片。如圖所示,SiC MOSFET安裝在散熱器旁邊。

這是表面貼裝部件的布局視圖。

使用SiC MOSFET或準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器時(shí),PCB的布局原則基本不變。具體請(qǐng)點(diǎn)擊這里參閱對(duì)原則的介紹。另外,該P(yáng)CB板作為評(píng)估板銷售中。當(dāng)希望立即開始評(píng)估看一下情況時(shí),或希望先運(yùn)行一下試試時(shí),使用評(píng)估板是很有效的手段。
審核編輯:湯梓紅
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
pcb
+關(guān)注
關(guān)注
4415文章
23950瀏覽量
425959 -
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
151文章
10654瀏覽量
234798 -
SiC
+關(guān)注
關(guān)注
32文章
3846瀏覽量
70050
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
SiC-MOSFET的應(yīng)用實(shí)例
的隔離型準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)案例 前言設(shè)計(jì)中使用的電源IC專為SiC-MOSFET優(yōu)化評(píng)価編絕緣
發(fā)表于 11-27 16:38
SiC-MOSFET體二極管特性
電流檢測電阻 R1輸出電容器 C5輸出整流二極管 D4 EMI對(duì)策 實(shí)裝PCB板布局與總結(jié)使用SiC-MOSFET的隔離
發(fā)表于 11-27 16:40
設(shè)計(jì)中使用的電源IC:專為SiC-MOSFET優(yōu)化
本文將從設(shè)計(jì)角度首先對(duì)在設(shè)計(jì)中使用的電源IC進(jìn)行介紹。如“前言”中所述,本文中會(huì)涉及“準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器”的設(shè)計(jì)和功率晶體管使用“SiC-MOSFET”這兩個(gè)新課題。因此,設(shè)計(jì)中所使用的電源
發(fā)表于 11-27 16:54
SiC-MOSFET與Si-MOSFET的區(qū)別
Si-MOSFET高。與Si-MOSFET進(jìn)行替換時(shí),還需要探討柵極驅(qū)動(dòng)器電路。與Si-MOSFET的區(qū)別:內(nèi)部柵極電阻SiC-MOSFET
發(fā)表于 11-30 11:34
反激式轉(zhuǎn)換器與SiC用AC/DC轉(zhuǎn)換器控制IC組合顯著提高效率
比較數(shù)據(jù)。SCT2H12NZ與BD7682FJ-LB的評(píng)估板已作為“BD7682FJ-LB-EVK-402”在網(wǎng)上銷售,因此可立即進(jìn)行使用優(yōu)化SiC-MOSFET的反激式轉(zhuǎn)換器的評(píng)估。ROHM除該反激式
發(fā)表于 12-04 10:11
溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET與實(shí)際產(chǎn)品
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET,以及可供應(yīng)的SiC-MOSFET的相關(guān)信息。獨(dú)有的雙溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發(fā)展的進(jìn)程中,ROHM于世界首家實(shí)
發(fā)表于 12-05 10:04
SiC-MOSFET有什么優(yōu)點(diǎn)
二極管的恢復(fù)損耗非常小。主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器中。2. 標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻SiC的絕緣擊穿場強(qiáng)是Si的10倍,所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實(shí)現(xiàn)高耐壓。因此,在相同的耐壓值
發(fā)表于 04-09 04:58
SiC功率器件SiC-MOSFET的特點(diǎn)
二極管的恢復(fù)損耗非常小。主要應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器中。2. 標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻SiC的絕緣擊穿場強(qiáng)是Si的10倍,所以能夠以低阻抗、薄厚度的漂移層實(shí)現(xiàn)高耐壓。因此,在相同的耐壓值
發(fā)表于 05-07 06:21
【羅姆SiC-MOSFET 試用體驗(yàn)連載】基于SIC-MOSFET評(píng)估板的開環(huán)控制同步BUCK轉(zhuǎn)換器
是48*0.35 = 16.8V,負(fù)載我們?cè)O(shè)為0.9Ω的阻值,通過下圖來看實(shí)際的輸入和輸出情況:圖4 輸入和輸出通過電子負(fù)載示數(shù),輸出電流達(dá)到了17A。下面使用示波器測試SIC-MOSFET管子的相關(guān)
發(fā)表于 06-10 11:04
SiC-MOSFET器件結(jié)構(gòu)和特征
面積?。蓪?shí)現(xiàn)小型封裝),而且體二極管的恢復(fù)損耗非常小?! ≈饕獞?yīng)用于工業(yè)機(jī)器電源、高效率功率調(diào)節(jié)器的逆變器或轉(zhuǎn)換器中?! ?. 標(biāo)準(zhǔn)化導(dǎo)通電阻 SiC的絕緣擊穿場強(qiáng)是Si的10倍,所以能夠以低阻抗、薄厚
發(fā)表于 02-07 16:40
非隔離型降壓轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)案例-實(shí)裝PCB板布局與總結(jié)
本文將介紹該設(shè)計(jì)案例的PCB板布局示例,并進(jìn)行整體總結(jié),以結(jié)束AC/DC轉(zhuǎn)換器 設(shè)計(jì)篇 “AC/DC 非
使用SiC-MOSFET的隔離型準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)案例-設(shè)計(jì)案例電路
上一篇文章對(duì)設(shè)計(jì)中使用的電源IC進(jìn)行了介紹。本文將介紹設(shè)計(jì)案例的電路。準(zhǔn)諧振方式:上一篇文章提到,電源IC使用的是SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)用AC/DC轉(zhuǎn)換器控制IC“BD7682FJ-
使用SiC-MOSFET的隔離型準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)案例-案例中的電路和部件清單
這之前介紹了示例電路的各部件選型要點(diǎn)、常數(shù)的計(jì)算、PCB板布局示例,最后將利用示例電路來確認(rèn)并評(píng)
使用SiC-MOSFET的隔離型準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)案例 小結(jié)
此前共用19個(gè)篇幅介紹了“使用SiC-MOSFET的隔離型準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)案例”,本文將作為該
使用SiC-MOSFET的隔離型準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)案例-PCB板布局示例
評(píng)論