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提高大功率單相輸入電源的效率和功率密度是當(dāng)今設(shè)計(jì)人員面臨的一個(gè)挑戰(zhàn)，特別是考慮到中等負(fù)荷條件下（20%至50%）的效率。這種功率水平的電源需要功率因素校正（PFC）。使用無(wú)橋PFC來(lái)取代輸入整流橋可以提高效率。

通過(guò)在圖騰柱PFC架構(gòu)中使用SiC MOSFET ，有可能實(shí)現(xiàn)更高的功率密度和效率，因?yàn)樵谶@個(gè)功率水平上，開(kāi)關(guān)頻率比其他方案高得多。了解安森美（onsemi）的圖騰柱PFC和LLC電源方案如何應(yīng)對(duì)高密度設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，報(bào)名參加第十三屆亞洲電源技術(shù)發(fā)展論壇，聽(tīng)安森美專家傾情講述！

Jason Yu是安森美應(yīng)用方案工程中心的應(yīng)用工程師，主要負(fù)責(zé)AC/DC電源、大功率開(kāi)關(guān)電源及數(shù)字電源在5G電信和數(shù)據(jù)通信的應(yīng)用。Jason Yu畢業(yè)于華南理工大，2020年加入安森美，擁有超過(guò)20年的電源涉及以及電力電子行業(yè)經(jīng)驗(yàn)。

在我們推送過(guò)的《設(shè)計(jì)指南 | 高功率密度的電源要怎么設(shè)計(jì)？》（點(diǎn)擊回顧）一文中，討論過(guò)一個(gè)300W、20V單相交流輸入電源的設(shè)計(jì)，該電源具有超過(guò)36W/in3的高功率密度，且滿載效率為94.55%。經(jīng)由NCP1680 圖騰柱 PFC 控制器控制由GaN集成驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)的前端PFC，后端由高頻LLC級(jí)配合輸出同步整流，以此來(lái)實(shí)現(xiàn)高功率密度。

安森美的混合信號(hào)控制器NCP1681專用于無(wú)橋圖騰柱功率因數(shù)校正(TP PFC)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。該控制器以適用于達(dá)350 W設(shè)計(jì)的NCP1680的成功為基礎(chǔ)，將功率能力擴(kuò)展到千瓦范圍。

該新的NCP1681高功率TP PFC控制器結(jié)合成熟的控制算法和新穎的功能，提供一個(gè)高性能和高性價(jià)比的TP PFC方案，也可滿足具挑戰(zhàn)的能效標(biāo)準(zhǔn)，諸如“80Plus ”或“CoC Tier 2”等要求在廣泛的負(fù)載范圍內(nèi)提供高能效的標(biāo)準(zhǔn)。

除了TP PFC控制器外，安森美還提供各種SiC MOSFET和隔離門(mén)極驅(qū)動(dòng)器，可用于圖騰柱的快速支路。SiC MOSFET器件具有低導(dǎo)通電阻(RDS(on))和緊湊的芯片尺寸，確保低電容和門(mén)極電荷(Qg)，在縮小的系統(tǒng)尺寸中提供極高能效，從而實(shí)現(xiàn)高功率密度。當(dāng)NCP1681與NCP51561電隔離門(mén)極驅(qū)動(dòng)器一起使用時(shí)，可實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定可靠的設(shè)計(jì)而不會(huì)犧牲開(kāi)關(guān)性能。

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