MRAM是一種新型的非易失性存儲器技術(shù)，與傳統(tǒng)的存儲器技術(shù)相比，MRAM 具有更快的讀寫速度、更低的功耗、更高的可靠性和更長的壽命。已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于汽車電子、工業(yè)自動化、智能電氣電表、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域。在 PLC (Programmable Logic Controller) 中，MRAM 可以用于存儲程序、數(shù)據(jù)、寄存器和狀態(tài)信息等。此外，MRAM 還可以提高 PLC 的運行效率，減少故障率，并降低能耗。由于 PLC 被廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制領(lǐng)域，因此可靠性和耐久性非常重要。MRAM 的非易失性和高可靠性使它成為一種非常適合用于 PLC 的存儲器技術(shù)。

高可靠性

在PLC產(chǎn)品中，穩(wěn)定性和可靠性是非常重要的特性。由于MRAM芯片不需要電源來保持存儲，因此具有非常高的可靠性。即使在突然斷電或其他異常情況下，MRAM芯片也能夠保持數(shù)據(jù)的完整性，從而有效地防止數(shù)據(jù)丟失和系統(tǒng)崩潰。

快速讀寫

在PLC產(chǎn)品中，需要快速地讀取和寫入數(shù)據(jù)以控制機器和設(shè)備。相比傳統(tǒng)存儲器技術(shù)，MRAM芯片具有更快的讀寫速度，可以更快地響應(yīng)控制信號，提高生產(chǎn)效率和工作效率。

與其他技術(shù)相比，韓國NETSOL品牌的 MRAM技術(shù)具有以下優(yōu)勢:

更快的寫入速度：MRAM芯片比FRAM芯片具有更快的寫入速度。MRAM芯片可以實現(xiàn)單個字節(jié)的寫入，而FRAM芯片則需要寫入整個數(shù)據(jù)塊。這使得MRAM芯片在存儲大量數(shù)據(jù)時更加高效。

更低的功耗：MRAM芯片比FRAM芯片具有更低的功耗。MRAM芯片的寫入操作只需要很少的電流，而FRAM芯片則需要更多的電流。這使得MRAM芯片在移動設(shè)備和其他低功耗設(shè)備中更加適用。

更高的可靠性：MRAM芯片比FRAM芯片具有更高的可靠性。MRAM芯片具有更長的數(shù)據(jù)保存時間和更大的存儲容量，這使得它們更適用于長期存儲。

更大的存儲容量：MRAM芯片比FRAM芯片具有更大的存儲容量。MRAM芯片的存儲密度比FRAM芯片高，這使得它們可以存儲更多的數(shù)據(jù)。

MRAM使用OTA (Over The Air)比NOR更快的寫入速度，不需要額外的RAM。MRAM更長的寫入耐力意味著它比NOR持續(xù)時間更長。MRAM提供1字節(jié)訪問，以有效利用存儲區(qū)域。例如，32Mb的NOR將被16Mb的MRAM取代。

MRAM無需備用電池、電池插座、超級電容或Vcc監(jiān)控電路。流線型的設(shè)計和簡單的SMT工藝導(dǎo)致質(zhì)量成本遠遠低于SRAM。MRAM的電池保留時間為10年，而SRAM的電池壽命為7年。

MRAM不需要超級電容器，節(jié)省電路板面積，減少元件。MRAM可快速開機可快速系統(tǒng)恢復(fù)。

MRAM芯片是一種非揮發(fā)性存儲器，可以永久保存數(shù)據(jù)，即使斷電也不會丟失數(shù)據(jù)。而DRAM芯片是一種揮發(fā)性存儲器，需要電源持續(xù)供電才能保持數(shù)據(jù)長電池壽命，從而減少維護成本。

數(shù)據(jù)保存時間長

MRAM芯片的存儲介質(zhì)是磁性材料，與EEPROM和Flash相比，它的數(shù)據(jù)保存時間更長，更不易受到外界干擾。

存儲容量大

MRAM芯片可以實現(xiàn)大容量存儲，與傳統(tǒng)存儲器件相比，可以實現(xiàn)更高的集成度和更小的尺寸。由于MRAM芯片的存儲過程不需要耗費能量，因此MRAM芯片具有低功耗的特點。這不僅有助于減少系統(tǒng)的整體功耗，還有助于延長電池壽命，從而減少維護成本。

韓國Netsol MRAM存儲芯片，憑借高續(xù)航、快速訪問和長保留期特性，一顆MRAM芯片替換“工作內(nèi)存”(典型的SRAM或DRAM)和“代碼存儲”(典型的NOR、Flash或E2PROM）二合一的解決方案。使其在工業(yè)控制領(lǐng)域中越來越受到歡迎。隨著MRAM技術(shù)的不斷發(fā)展和完善，它在PLC產(chǎn)品中的應(yīng)用將有望得到更廣泛的推廣和應(yīng)用。

選型列表

由于STT-MRAM的非易失性、幾乎無限的持久性和快速寫入特性，NETSOL串行/并行MRAM產(chǎn)品非常適合必須快速頻繁地存儲和檢索數(shù)據(jù)和程序的應(yīng)用程序。它們適用于工業(yè)設(shè)計中的代碼存儲、數(shù)據(jù)記錄、備份存儲器和工作存儲器，可以取代Flash、FeRAM或nvSRAM，具有相同的功能和非易失性。

#串行STT-MRAM

1Mb, 2Mb, 4Mb, 8Mb, 16Mb, 32Mb密度

電源:1.8V (1.71V ~ 1.98V)或3.3V (2.7V ~ 3.6V)

單，雙和四SPI與SDR和DDR串行接口兼容

數(shù)據(jù)保留:10年

讀取耐力：無限

寫入耐力:1014

不需要外部ECC

封裝規(guī)格: 8WSON, 8SOP

#并行STT-MRAM

1Mb,2Mb, 4Mb, 8Mb,16Mb,32Mb,64Mb密度

電源:1.8V (1.71V ~ 1.98V)或3.3V (2.7V ~ 3.6V)

并行異步接口x16/x8 I/O

高性能頁面讀寫功能

數(shù)據(jù)保留:10年

讀取耐力：無限

寫入耐力:1014

不需要外部ECC

封裝規(guī)格:48FBGA, 44TSOP2, 54TSOP2

審核編輯：湯梓紅