最近,高通與Soitec達(dá)成協(xié)議,Soitec將為高通的射頻濾波器大規(guī)模生產(chǎn)POI襯底,以用于智能手機(jī)射頻前端模塊。今年初高通發(fā)布的ultraSAW濾波器技術(shù)正是基于Soitec POI襯底。
01 什么是POI襯底?
Soitec濾波器業(yè)務(wù)經(jīng)理Christophe Didier在近期的媒體說明會上,對包括電子發(fā)燒友網(wǎng)在內(nèi)的行業(yè)媒體詳解了POI襯底的技術(shù)和市場前景。
POI襯底在最頂層是一層大概幾百納米厚的單晶的壓電層,在它之下是一層氧化埋層,大概也是幾百納米厚度,在最底下基底的部分是高電阻率硅材料。

來源:Soitec
POI用的壓電材料和當(dāng)前一般使用在SAW(聲表面波)濾波器用的材料一樣,主要包括兩種材料,分別是鉭酸鋰和鈮酸鋰。而這里的氧化埋層相當(dāng)于溫度補(bǔ)償層,作用是抑制壓電材料,因為壓電材料在溫度變化的時候可能會擴(kuò)張或者收縮,從而影響到頻率,因而需要氧化埋層抑制壓電材料,即器件層的鉭酸鋰或鈮酸鋰。
而底層的高電阻率硅的作用是減少損耗。能夠在極薄的壓電層限制波能等效。而由于能很好地控制整個壓電層,可以在壓電層獲得更好的等效的波傳播。
因此,主要的射頻前端生產(chǎn)商已經(jīng)開始生產(chǎn)以POI為襯底的濾波器,主要采用的規(guī)格是直徑150毫米的POI,此款POI產(chǎn)品作為第一個使用Smart CutTM技術(shù)生產(chǎn)非硅類材料的優(yōu)化襯底,目前在Soitec法國貝寧3廠已實現(xiàn)量產(chǎn)。
從未來的技術(shù)發(fā)展來看,Soitec計劃使用鈮酸鋰代替鉭酸鋰,從而更好地把握濾波器的帶寬,同時也在開發(fā)直徑200毫米的POI襯底,以降低總體成本。
02 POI襯底SAW優(yōu)勢顯著
濾波器有不同的類型,包括SAW、BAW、XBAR等,而POI襯底的SAW以其獨(dú)特的性能優(yōu)勢在5G架構(gòu)上能夠取代TC-SAW(溫度補(bǔ)償型SAW)和BAW。
Christophe Didier解析,SAW對溫度過于敏感,溫度變化會影響頻率,但這種溫度的敏感是可以改善的,這種溫度帶來的變化叫做TCF,衡量單位是ppm.K,改善方法就是通過TC-SAW(溫度補(bǔ)償型SAW)加上一層溫度補(bǔ)償層。

來源:Soitec
另外一項濾波器技術(shù)BAW(體聲波),它的過程特別復(fù)雜,需要很多步驟才能搭建一個聲學(xué)上需要的“腔”。
通過對比可以看到,基于POI襯底的SAW技術(shù)優(yōu)勢就是能源效率更高,比TC-SAW的能源損耗更小。所以它相對于SAW和TC-SAW,獲得了更高頻率、更廣帶寬。相對BAW來說,這種基于POI襯底的SAW工藝流程更簡單且成本更低。因為可以將很多個濾波器集成在同一個芯片上,所以面積也更小。從生產(chǎn)角度來講,它的生產(chǎn)流程跟SAW是相似的,但是比TC-SAW和BAW都要簡單很多。
通過幾組測試數(shù)據(jù)來看基于POI襯底的SAW性能與優(yōu)勢:
第一個系數(shù)是品質(zhì)系數(shù),采用Bode Q來測量中頻段的諧振器的參數(shù),測出來的參數(shù)是大于4000。
第二個參數(shù)是耦合系數(shù),耦合系數(shù)涉及到可以實現(xiàn)更廣帶寬的濾波功能,這里耦合系數(shù)k2測出來是大于8%。
第三個參數(shù)是TCF(頻率溫度系數(shù)),這是跟溫度相關(guān)的、導(dǎo)致頻率變化的一個系數(shù),我們測得的TCF是小于10 ppm.K-1。
相較于TC-SAW一般用于低頻段和中頻段的濾波技術(shù),BAW則一般用于中頻段和高頻段,POI襯底的SAW可以解決中頻段和高頻段這兩個頻段的技術(shù)難題,在5G濾波器方面成為取代TC-SAW和BAW的更優(yōu)解決方案。
03 市場前景
濾波器在5G智能手機(jī)上是非常關(guān)鍵的組件,鑒于5G的MIMO、載波聚合等技術(shù)的使用,預(yù)計智能手機(jī)在5G時代的前端模塊的濾波器面積將會增加50%。
根據(jù)Yole Development的數(shù)據(jù),射頻濾波器未來的市場規(guī)模從2018年的31億美元有望上升到2025年的約51億美元。就POI襯底的價值而言,Christophe Didier認(rèn)為POI襯底將會成為未來幾年的一項行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。到2024年預(yù)計POI襯底的可服務(wù)市場規(guī)模將達(dá)到100萬片的晶圓。
審核編輯 :李倩
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原文標(biāo)題:5G射頻前端“POI襯底SAW濾波器”大熱,可取代TC-SAW和BAW
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